Структура металл-диэлектрик-полупроводник
Анализ физических процессов в структуре металл-диэлектрик-полупроводник. Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры. Построение диаграммы МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов.
Подобные документы
Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Анализ технического задания. Выбор способа изготовления печатной платы, расчет конструктивно-технологических параметров, выбор элементов и материалов, расчет надежности. Технологический процесс изготовления реле, операционная карта изготовления.
курсовая работа, добавлен 03.07.2008Анализ способов построения телефонных сетей общего пользования. Расчет интенсивности телефонной нагрузки на сети, емкости пучков соединительных линий. Выбор структуры первичной сети. Выбор типа транспортных модулей SDH и типа оптического кабеля.
курсовая работа, добавлен 22.02.2014Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.
лекция, добавлен 17.02.2011Расчет спектра и энергетических характеристик сигнала. Определение интервалов дискретизации и квантования сигнала. Расчет разрядности кода. Исследование характеристик кодового и модулированного сигнала. Расчет вероятности ошибки в канале с помехами.
курсовая работа, добавлен 07.02.2013Рассмотрение использования радиорелейных линий прямой видимости для передачи сигналов сообщений. Выбор трассы и определение структуры проектируемой линии. Построение профиля интервала, расчет высот подвеса антенн и уровня сигнала на входе приемника.
курсовая работа, добавлен 03.06.2014В модели Кронига-Пенни рассматривается движение электронов в линейной цепочке прямоугольных потенциальных ям. Зависимость энергии электрона от волнового вектора. Зоны Бриллюэна. О структуре энергетических зон. Случаи зонной структуры твёрдых тел.
реферат, добавлен 11.12.2008Методы исследования динамических характеристик систем автоматизированного управления. Оценка качества переходных процессов в САУ. Определение передаточной функции замкнутой системы, области ее устойчивости. Построение переходных характеристик системы.
курсовая работа, добавлен 29.06.2012Транзистор - полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность. Максимально допустимые параметры и вольтамперные характеристики биполярного и полевого транзисторов. Расчет величин элементов системы.
курсовая работа, добавлен 01.12.2014Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники. Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.
реферат, добавлен 23.06.2010Особенности работы биполярного транзистора в режиме общего эмиттера. Измерение зависимостей выходного тока от выходного напряжения при различных фиксированных входных токах. Построение по ним семейства выходных и входных вольтамперных характеристик.
отчет по практике, добавлен 27.06.2015Разработка командной радиолинии КИМ-ФМ-ФМ: выбор технических характеристик, расчет частоты дискретизации и разрядности квантования; описание структуры группового сигнала и принципов работы приемника и передатчика. Особенности контура управления.
курсовая работа, добавлен 07.02.2011Сравнительный анализ осесиметрических двухзеркальных и однозеркальных антенн. Проведение расчета энергетических, электрических характеристик, фокусных расстояний, профилей большого и малого зеркала, диаметра облучателя и диаграммы направленности антенны.
курсовая работа, добавлен 23.01.2010Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат, добавлен 14.02.2003Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа, добавлен 28.04.2013Получение передаточной функции разомкнутой системы методом структурных преобразований блок-схемы. Построение частотных характеристик, необходимых для исследования зависимости устойчивости замкнутой системы от параметра по критериям Михайлова и Найквиста.
контрольная работа, добавлен 04.06.2010Расчет основных параметров и характеристик антенны. Выбор питающего волновода. Определение фазовых ошибок. Расчет коэффициента направленного действия и коэффициента усиления. Диаграммы направленности рупора. Замечания к конструкции.
курсовая работа, добавлен 21.03.2011Исследование характеристик направленности цилиндрической антенной решётки - системы излучателей, размещённых на цилиндрической поверхности. Расчет пространственной диаграммы направленности решётки в разных плоскостях при различных количествах излучателей.
курсовая работа, добавлен 19.12.2009Методы моделирования характеристик КМОП транзисторов с учетом высокочастотных эффектов. Проектирование высокочастотного усилителя на МОП транзисторе с использованием S-параметров. Сравнение измеренных и рассчитанных характеристик усилителя на транзисторе.
дипломная работа, добавлен 30.09.2016Расчет характеристик треугольного, прямоугольного и колоколообразного сигнала. Определение интервала дискретизации и разрядности кода. Расчет характеристик кодового и модулированного сигнала. Расчёт вероятности ошибки при воздействии белого шума.
курсовая работа, добавлен 07.02.2013Составление топологии печатной платы, а также разводка токоведущих дорожек в САПР P-CAD. Специфика выбора элементной базы, транзисторов и диодов синтезатора. Разработка конструкции, подбор материалов. Расчет объемно-компоновочных характеристик устройства.
курсовая работа, добавлен 12.11.2009Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.
реферат, добавлен 14.11.2008Определение импульсной характеристики фильтра. Расчет амплитудно- и фазово-частотной характеристик и методами разложения в ряд Фурье, наименьших квадратов и частотной выборки. Построение графиков и оценка точности аппроксимации (абсолютной погрешности).
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа, добавлен 03.02.2012Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009