Полупроводниковые диоды
Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
Подобные документы
Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация, добавлен 29.11.2013Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.
реферат, добавлен 10.12.2009Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа, добавлен 17.02.2010Составление измерительных схем для снятия характеристик опто-электронных приборов, содержащих p-n-переходы; регистрация напряжений и токов. Значения параметров цепи, получение ВАХ p-n-перехода, определение параметров перехода, моделирование работы схемы.
лабораторная работа, добавлен 23.12.2011Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Формирователь длительности импульсов. Регулировочная характеристика преобразователя.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа, добавлен 08.03.2010Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа, добавлен 24.11.2013- 33. Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем"
Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.
дипломная работа, добавлен 20.06.2012 Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 13.11.2012Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Выпрямительные диоды. Полупроводниковый стабилитрон. Туннельные и обращенные диоды. Варикапы. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми диодами.
лекция, добавлен 19.11.2008- 37. Полупроводники
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2015 Полупроводниковые, пленочные и гибридные интегральные микросхемы. Микросхема как современный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры. Серии микросхем для телевизионной аппаратуры, для усилительных трактов аппаратуры радиосвязи и радиовещания.
реферат, добавлен 05.12.2012Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.
реферат, добавлен 12.06.2009Принцип действия прибора, его основные параметры и характеристики. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Максимальный прямой ток через переход. Расчёт активных элементов интегральных микросхем. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.
презентация, добавлен 24.04.2016Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Работа оптоэлектронных приборов основана на электронно-фотонных процессах получения, передачи и хранения информации. Одним из оптоэлектронных приборов является оптрон, принцип действия которого состоит в преобразовании электрического сигнала в оптический.
реферат, добавлен 07.01.2009Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.
реферат, добавлен 13.06.2009Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.
реферат, добавлен 23.06.2010Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.
реферат, добавлен 14.02.2016Особенности влияния облучения на конструкционные материалы, электровакуумные приборы и интегральные схемы. Влияние ионизирующего облучения на резисторы, радиации на полупроводниковые диоды и транзисторы. Зависимость коэффициента усиления от радиации.
реферат, добавлен 20.09.2010Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
курсовая работа, добавлен 18.10.2009