Строение полупроводников
Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.
Подобные документы
Принцип действия мониторов на основе электронно-лучевой трубки (ЭЛТ). Управление цифровыми мониторами с помощью двоичных сигналов. Монохромные, цветные (RGB) и аналоговые цифровые мониторы. Общая характеристика и описание монитора VIEWS0NIC-17GA/GL.
курсовая работа, добавлен 04.09.2010Фотоэлектрические приемники лучистой энергии. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства материалов. Фоторезисторы, их свойства и принцип работы. Световые характеристики фоторезисторов. Энергетический спектр валентных электронов в материалах.
реферат, добавлен 15.01.2015Виды герметизации пропитки, назначение и область их применения. Основные свойства пропиточных материалов, рекомендации по применению. Обволакивание и заливка. Неразъёмная герметизация сваркой и пайкой. Проходные изоляторы для герметизированных корпусов.
реферат, добавлен 10.12.2008Принципы построения цифровых генераторов звуковых частот. Зоны для выполнения операций и размещения органов управления. Описание электрической принципиальной схемы процессорного блока. Выбор и обоснование технологии печатной платы, класса точности.
дипломная работа, добавлен 10.06.2009Определение, виды и назначение тиристоров. Теоретическое и практическое описание принципа действия полупроводниковых приборов и их основных параметров. Упрощённые типичные схемы силовых частей управляемых выпрямителей, их достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 24.12.2011Структура и элементы схемы измерительной цепи. Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Их главные параметры и критерии измерения. Исследование оценка изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Основные цели применения радиопоглощающих материалов. Особенности проблем при использовании беспроводных коммуникаций. Моделирование радиопоглощающей поверхности с фиксированными размерами. Изучение электрических характеристик эластичных проводников.
дипломная работа, добавлен 23.06.2013Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.
дипломная работа, добавлен 02.06.2011Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа, добавлен 10.06.2013Представление информации в цифровых устройствах, кодирование символов и основы булевой алгебры. Классификация полупроводниковых запоминающих устройств. Базовая структура микропроцессорной системы, ее функциональное назначение и способы передачи данных.
учебное пособие, добавлен 19.12.2011Спутниковая система навигации как комплексная электронно-техническая система, ее структура и содержание, назначение и функциональные особенности. Состав аппаратуры пользователя и правила ее применения. Принцип действия GPS и степень точности сигнала.
курсовая работа, добавлен 16.11.2010Выбор и обоснование варианта конструкции и материала сердечника, катушки, обмоточного провода, изоляционных материалов. Защита катушки сглаживающего дросселя от внешних воздействий. Расчет габаритных размеров, электрических и конструктивных параметров СД.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Телекоммуникационные технологии и условия перехода к ним. Концепция, архитектура и свойства интеллектуальных сетей, аппаратные и программные средства. Полумарковские процессы как основа построения базовой модели управления вызовами на приемной стороне.
дипломная работа, добавлен 22.11.2009Структура и параметры преобразователей, использующихся в бытовой радиоэлектроаппаратуры. Типы преобразователей частоты. Использование электронно-оптических преобразователей. Выбор промежуточной частоты, настройка и регулировка преобразователей частоты.
реферат, добавлен 27.11.2012Определение зоны покрытия трехсекторной базовой станции стандарта GSM с помощью моделей предсказания. Учет потерь при распространении радиоволн. Расчет радиуса зоны покрытия БС с применением эмпирических методов Окомура и Хата, Волфиша-Икегами (WIM).
курсовая работа, добавлен 26.11.2013Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Классический и операторный метод расчета переходных процессов в линейных электрических цепях. Основные сведения о переходных процессах в линейных электрических цепях. Общий алгоритм расчета переходных процессов в цепях первого и второго порядка.
курс лекций, добавлен 31.05.2010Светодиод — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока: история создания, виды, классификация. Устройство светодиодных световых приборов, область применения.
реферат, добавлен 05.05.2013Разработка измерительного программно-аппаратного комплекса, предназначенного для измерения параметров электрических сигналов в радиомодуле телевизора. Выбор элементной базы и материалов конструкции. Расчет электрического режима заданного узла пульта.
курсовая работа, добавлен 27.03.2012Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2014Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Введение эвтектического сплава в качестве припоя между соединяемыми поверхностями кристалла и корпуса. Эвтектические сплавы: золото-германий или золото-кремний. Монтаж с использованием клеев и компаундов при изготовлении полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 09.01.2009Общие сведения, виды, основные и динамические характеристики несущих конструкций. Конструктивные способы повышения жесткости и расчет жесткости несущих систем. Методы защиты технологического оборудования от механических, магнитных и тепловых воздействий.
реферат, добавлен 02.11.2008