Полупроводниковые диоды
Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Выпрямительные диоды. Полупроводниковый стабилитрон. Туннельные и обращенные диоды. Варикапы. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми диодами.
Подобные документы
Обзор применения импульсных дальномеров-высотомеров на основе полупроводниковых лазеров для контроля объектов подстилающей поверхности. Методы повышения точности временной фиксации принимаемого сигнала. Расчет безопасности лазерного высотомера ДЛ-5.
дипломная работа, добавлен 14.03.2016Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Формирователь длительности импульсов. Регулировочная характеристика преобразователя.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Назначение и классификация полупроводниковых приборов, особенности их применения в преобразователях энергии и передаче информации. Система обозначений диодов и тиристоров, их исследование на стенде. Способы охлаждения расчет нагрузочной способности.
дипломная работа, добавлен 28.09.2014Классификация воздействий в электрических цепях. Анализ линейных электрических цепей при гармонических воздействиях. Анализ параллельной цепи переменного тока. Напряжения, сопротивления и проводимости.
реферат, добавлен 07.04.2007Выбор силовой схемы преобразователя и тиристоров. Построение диаграммы работы преобразователя. Диаграмма закона регулирования для однофазной схемы выпрямления. Синхронизирующее устройство. Расчет формирователя напряжения и фазосдвигающего устройства.
курсовая работа, добавлен 19.05.2014Анализ схемы, особенности расчёта цепей с операционными усилителями. Вычисление передаточной функции, составление ее карты и проверка по схеме. Расчёт частотных и временных характеристик функции. Определение реакции цепи на прямоугольный импульс.
контрольная работа, добавлен 28.02.2011Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа, добавлен 13.03.2013Описание физических процессов в полупроводниковой структуре, расчет необходимых электрофизических характеристик заданной структуры. Краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов ее формирования.
курсовая работа, добавлен 16.04.2012Краткий обзор коммутационных устройств ручного управления. Разработка кнопки для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока низкой частоты: определение контактного усилия, переходного сопротивления и температур локального перегрева.
контрольная работа, добавлен 29.08.2010Формирование технических требований к структурным компонентам. Устройство регистрации информации. Расчет и выбор элементов входных цепей. Выбор устройства индикации, клавиатуры. Схемы защиты измерительного канала. Окончательный расчет электронных узлов.
отчет по практике, добавлен 21.03.2013Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.
курсовая работа, добавлен 14.03.2014Проектирование устройства полупроводникового усилителя оптического сигнала ВОЛС, работающего на длине волны нулевой хроматической дисперсии кварцевых волокон – 1,3 мкм. Энергетический расчет, особенности конструирования узла оптического усилителя.
дипломная работа, добавлен 19.04.2011Прокладка волоконно-оптического кабеля с применением аппаратуры синхронной цифровой иерархии СЦИ (SDH), вместо уплотненной системы К-60п, на участке "Джетыгара - Комсомолец". Расчет предельно-допустимых уровней излучения полупроводникового лазера.
дипломная работа, добавлен 06.11.2014Обзор домашних метеостанций. Разработка технического задания на прибор. Расчет топологических характеристик печатной платы. Проектирование лицевой панели. Расчет теплового режима блока. Анализ технологичности конструкции. Определение типа производства.
дипломная работа, добавлен 27.06.2014Определение, виды и назначение тиристоров. Теоретическое и практическое описание принципа действия полупроводниковых приборов и их основных параметров. Упрощённые типичные схемы силовых частей управляемых выпрямителей, их достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 24.12.2011Этапы разработки и перспективы внедрения проекта по созданию бюджетного лазерного комплекса на базе полупроводникового лазера, предназначенного для обработки органических материалов. Исследование основных параметров и характеристик фотоприемника.
курсовая работа, добавлен 15.07.2015Понятие гетеропереходов как поверхностей раздела между двумя полупроводниками с различными запрещенными зонами. Физическая особенность гетеропереходов, примеры гетероструктур. Формирование квантовой ямы для электронов. Электронные зоны в сверхрешетках.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015- 93. Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат, добавлен 12.01.2010 Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015- 95. Фотолитография
Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
курсовая работа, добавлен 09.03.2009 Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009- 97. Электроника
Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка, добавлен 11.12.2012 Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.
курсовая работа, добавлен 22.08.2015Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат, добавлен 14.03.2010Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
лабораторная работа, добавлен 31.10.2009