Температурные зависимости параметров вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода

Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.

Подобные документы

  • Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.

    курсовая работа, добавлен 21.11.2014

  • Что такое электронный усилитель. Резистивный каскад на биполярном транзисторе, его простейшая схема. Графическое пояснение процесса усиления сигнала схемой с общим эмиттером. Схема, проектирование резистивного каскада с фиксированным напряжением смещения.

    курсовая работа, добавлен 22.12.2009

  • Проявления нелинейности вольт-амперной характеристики при воздействии гармонического радиосигнала. Работа усилителя в режиме отсечки коллекторного тока; функции Берга в инженерных расчетах. Определение коэффициентов усиления гармоник коллекторного тока.

    курсовая работа, добавлен 27.05.2013

  • Основные характеристики микроскопов: разрешающая способность, глубина резкости. Принцип действия электронных микроскопов. Растровая электронная микроскопия. Принцип действия ионных микроскопов, полевого ионизационного и растрового туннельного микроскопа.

    реферат, добавлен 15.01.2009

  • Анализ и расчет схемы, состоящей из идеального источника напряжения треугольной формы с заданными параметрами, резистора и стабилитрона. Построение временных диаграмм сигналов. Определение режима покоя и расчет цепи смещения для усилительного каскада.

    контрольная работа, добавлен 26.01.2013

  • Энергетическая установка для питания главного магнита и система водяного охлаждения. Структурная схема системы МРТ с резистивным магнитом. Блоки радиочастотной группы. Принцип смещения частоты. Точный сдвиг фаз. Источник питания главного магнита.

    контрольная работа, добавлен 14.01.2011

  • Идеальный и реальный гетеропереход. Светодиоды: понятие, материалы, конструкция. Фотодиоды, фототранзисторы, квантовые ящики и сверхрешетки. Вольтамперная характеристика диода. Квантовые наноструктуры кремния. Спектры электролюминесценции структуры.

    презентация, добавлен 24.05.2014

  • Расчет цепей смещения и питания транзистора. Выбор радиодеталей для цепей связи, фильтрации, питания для схемы оконечного каскада. Расчет принципиальной схемы передатчика. Электрический расчет генератора, управляемого напряжением с частотной модуляцией.

    курсовая работа, добавлен 04.11.2014

  • Принципы построения схем трансформаторных импульсных декодеров логических сигналов. Описание модели в файле SCHEMATIC.net. Моделирование увеличения прямого сопротивления, обратного тока и напряжения открытия диода D1. Виды временных диаграмм работы схем.

    лабораторная работа, добавлен 28.05.2012

  • Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.

    курсовая работа, добавлен 24.03.2009

  • Анализ измерительных устройств для измерения электрического тока, напряжения и сопротивления. Расчёт параметров четырехплечего уравновешенного моста постоянного тока. Оценивание характеристик погрешности и вычисление неопределенности измерений.

    курсовая работа, добавлен 19.06.2012

  • Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.

    курсовая работа, добавлен 28.01.2015

  • Характеристики и параметры спиральных антенн, их геометрические размеры. Диаграмма направленности и коэффициент направленного действия. Зависимость усиления и ширины диаграммы направленности спиральной антенны от количества витков, согласование с фидером.

    курсовая работа, добавлен 06.09.2014

  • Выбор диода, выполняющего заданную функцию, его маркировка и характеристики, схема включения и принцип работы. Схема включения полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме. Преимущества и недостатки некоторых устройств оптоэлектроники.

    контрольная работа, добавлен 11.11.2010

  • Разработка функциональной и принципиальной схемы контактора. Расчет силовой части устройства: выбор варистора и диодного моста, фильтровых конденсаторов. Расчет параметров силового диода и расчет тепловой загрузки. Источник питания системы управления.

    дипломная работа, добавлен 08.11.2011

  • Определение параметров резистора и индуктивности катушки, углов сдвига фаз между напряжением и током на входе цепи. Расчет коэффициента усиления напряжения, добротности волнового сопротивления цепи. Анализ напряжения при активно-индуктивной нагрузке.

    контрольная работа, добавлен 11.06.2011

  • Конструирование усилителя низкой частоты, состоящего из каскадов и RC-цепочки связки. Расчет мощности сигнала на входе электронного модуля. Расчет напряжения смещения на коллекторном переходе транзисторов, сопротивления резистора и емкости конденсатора.

    реферат, добавлен 27.08.2010

  • Выбор операционного усилителя, расчет его основных параметров для входного и выходного каскада. Вычисление каскадов усилителя, смещения нуля, коэффициента гармоник и частотных искажений. Моделирование усилителя с помощью Electronics Workbench 5.12.

    курсовая работа, добавлен 04.10.2014

  • Принципиальная схема однотактного резистивного трансформаторного усилителя с общей базой, его параметры. Питание коллекторной цепи транзистора. Необходимость дополнительного источника смещения. Выходные характеристики транзистора и нагрузочной линии.

    контрольная работа, добавлен 24.11.2010

  • Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.

    лабораторная работа, добавлен 05.06.2013

  • Сущность, условия решения и критерий оптимальности задачи измерения параметров сигнала. Постановка задачи измерения параметров сигнала. Классификация измерителей. Следящий режим измерения. Автоматические измерители работающие без участия человека.

    реферат, добавлен 29.01.2009

  • Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2009

  • Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.

    учебное пособие, добавлен 25.03.2009

  • История изобретения и эволюции микроскопа. Сканирующие зондовые микроскопы, их классификация по способу организации обратной связи. Принцип работы сканирующего туннельного, атомно-силового микроскопа. Особенности ближнепольной оптической микроскопии.

    презентация, добавлен 29.05.2014

  • Основные характеристики импульса. Генераторы линейно изменяющегося (пилообразного) напряжения, их назначение и область применения. Методы линеаризации пилообразного напряжения. Требования к устройству. Основные характеристики и принцип построения ГПН.

    курсовая работа, добавлен 07.08.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.