Сравнительный анализ влияния низкотемпературного и высокотемпературного электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов
Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
Подобные документы
Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.
дипломная работа, добавлен 28.03.2016Анализ автоматизированного электропривода. Основные требования, предъявляемые к тахогенераторам. Виды трансформаторов: испытательные, сварочные, автоматические. Особенности электропривода "Трехфазный нулевой выпрямитель". Построение схемы регулятора тока.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Механизм возникновения инверсной населенности. Особенности генерации в химических лазерах, способы получения исходных компонентов. Активная среда лазеров на центрах окраски, типы используемых кристаллов. Основные характеристики полупроводниковых лазеров.
презентация, добавлен 19.02.2014Особенности двухзонной системы регулирования скорости и ЭДС, управляющей возбуждением двигателя. Расчет СУЭП, проектирование функциональной и принципиальной схем привода. Выбор силовых полупроводниковых приборов, коммутационной и защитной аппаратуры.
дипломная работа, добавлен 18.06.2015Осветительные приборы: прошлое, настоящее и будущее. Тепловые и газоразрядные источники света. Преимущества и недостатки люминесцентных ламп. Генерации света при прохождении электрического тока через границу полупроводниковых и проводящих материалов.
реферат, добавлен 09.04.2013Рассмотрение специфики оптической накачки активной среды лазера. Описание квантовых приборов с оптической накачкой, работающих по трёхуровневой и четырёхуровневой схеме. Параметрическая генерация света. Принцип действия полупроводниковых лазеров.
контрольная работа, добавлен 20.08.2015Источники вторичного электропитания как неотъемлемая часть любого электронного устройства. Рассмотрение полупроводниковых преобразователей, связывающих системы переменного и постоянного тока. Анализ принципов построения схем импульсных источников.
дипломная работа, добавлен 17.02.2013Краткий обзор основных направлений синтеза полупроводниковых нанопроводов и наностержней, общее описание основных подходов к синтезу такого рода наночастиц. Попытка анализа закономерностей протекания самоорганизации наночастиц и ее возможных причин.
курсовая работа, добавлен 28.05.2013Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.
контрольная работа, добавлен 25.07.2013Расчет и выбор элементов пассивной защиты силовых полупроводниковых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Выбор цифровых и аналоговых интегральных микросхем. Расчет генератора высокочастотных импульсов. Внешняя характеристика выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 30.04.2012Оптические свойства полупроводников. Механизмы поглощения света и его виды. Методы определения коэффициента поглощения. Пример расчета спектральной зависимости коэффициента поглощения селективно поглощающего покрытия в видимой и ИК части спектра.
реферат, добавлен 01.12.2010Основы движения твердого тела. Сущность и законы, описывающие характер его поступательного перемещения. Описание вращения твердого тела вокруг неподвижной оси посредством формул. Особенности и базовые кинематические характеристики вращательного движения.
презентация, добавлен 24.10.2013Определение параметров силового полупроводникового ключа. Характеристики ключей и режим работы схемы. Расчет предельных характеристик полупроводниковых ключей. Исследование процесса формирования потерь в силовых ключах. Допустимые режимы работы ключей.
конспект урока, добавлен 26.03.2019Методы изготовления квантовых точек. Перспективы их использования в устройствах и приборах. Однофотонное поглощение света. Сравнительный анализ энергетического спектра и плотности электронных состояний в массивном полупроводнике, проволоке и точке.
курсовая работа, добавлен 29.04.2014Взаимодействие электронов с электрическим полем как основной процесс в электровакуумных и полупроводниковых приборах, его общая характеристика и значение, факторы влияния. Устройство и принцип действия лампы обратной волны типа "О" как генератор.
контрольная работа, добавлен 07.12.2014Разработка системы стабилизации скорости электропривода на основе двигателя постоянного тока. Расчёт силового согласующего трансформатора, полупроводниковых приборов, фильтров, регуляторов скорости и тока. Рассмотрена методика наладки электрооборудования.
курсовая работа, добавлен 27.02.2012Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.
дипломная работа, добавлен 24.07.2012Изучение свойств графита и структуры однослойных нанотруб. Квантовые поправки к проводимости невзаимодействующих электронов. Эффекты слабой локализации в присутствии магнитного поля. Взаимодействие в куперовском канале в присутствии магнитного поля.
дипломная работа, добавлен 20.10.2011Механизмы поглощения энергии излучения в полупроводниках. Принцип действия полупроводниковых фотоприемников. Характеристики и параметры фотоприемников. Темновое сопротивление, чувствительность, спектральная характеристика, охлаждаемые фотодатчики.
контрольная работа, добавлен 29.08.2013Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Характеристики полупроводниковых материалов и источников излучения. Соединение источника с волокном. Конструкции одномодовых лазеров, особенности РБО-лазеров. Расчет параметров многомодового лазера с резонатором Фабри-Перо. Светоизлучающие диоды (СИД).
реферат, добавлен 11.06.2011Структура кристаллов. Роль, предмет и задачи физики твердого тела. Кристаллические и аморфные тела. Типы кристаллических решеток. Типы связей в кристаллах. Кристаллические структуры твердых тел. Жидкие кристаллы. Дефекты кристаллов.
лекция, добавлен 13.03.2007Общие свойства твердого тела, его состояния. Локализированные и делокализированные состояния твердого тела, отличительные черты. Сущность, виды химической связи в твердых телах. Локальное и нелокальное описания в неискаженных решетках. Точечные дефекты.
учебное пособие, добавлен 21.02.2009Физика твердого тела – один из столпов, на которых покоится современное технологическое общество. Физическое строение твердых тел. Симметрия и классификация кристаллов. Особенности деформации и напряжения. Дефекты кристаллов, способы повышения прочности.
презентация, добавлен 12.02.2010Электрические и электронные аппараты, их назначение и функции. Разновидности и отличия данных устройств. Электродинамические силы в электрических аппаратах: между параллельными проводниками бесконечной длины, в круговом витке, в месте изменения сечения.
контрольная работа, добавлен 06.12.2010