Расчет параметров ступенчатого p-n перехода
Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.
Подобные документы
Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009Расчет геометрических и электродинамических параметров облучателя и параболоида. Определение геометрических и электродинамических характеристик поля. Построение пространственной диаграммы направленности и определение параметров параболической антенны.
курсовая работа, добавлен 04.03.2011Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Методика расчета уголковой антенны, петлевого вибратора, коллинеарной антенной решетки. Выбор размеров уголковой антенны, расчет параметров элемента решетки с учетом уголкового рефлектора, ширины диаграммы направленности. Схема распределения мощности.
курсовая работа, добавлен 21.03.2011Эквивалентная схема усилителя заряда, технические характеристики. Структурная схема модуля усилителя ME-230. Эквивалентная электрическая схема усилителя заряда, соединенного с пьезоэлектрическим преобразователем. Выходное напряжения предусилителя.
курсовая работа, добавлен 15.01.2012Расчет характеристик параметров кремниевого диода. Составление и характеристика элементов схемной модели для малых переменных сигналов. Структура диода и краткое описание его получения, особенности исследования зависимости барьерной ёмкости от Uобр.
курсовая работа, добавлен 24.01.2012Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
лекция, добавлен 19.11.2008Изучение температурной зависимости подвижности и проводимости носителей заряда в полупроводниках. Основные электрофизические свойства кремния и германия, мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014Расчет параметров преобразования непрерывных сообщений при их кодировании, определение ошибок и выбор соотношения между ними. Расчет характеристик системы передачи информации. Методы помехоустойчивого кодирования сообщений. Временные диаграммы процессов.
курсовая работа, добавлен 07.07.2009Расчет и моделирование системы автоматического управления. Дискретная передаточная функция объекта с учетом заданных параметров. Вычисление основных параметров цифрового регулятора. Уравнение разницы регулятора. Результаты моделирования системы.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Расчет параметров помехопостановщика. Мощность передатчика заградительной и прицельной помех, средств создания пассивных помех, параметров уводящих помех. Алгоритм помехозащиты структуры и параметров. Анализ эффективности применения комплекса помех.
курсовая работа, добавлен 21.03.2011Расчет входного каскада широкополосного усилителя. Расчет нижней и верхней граничной частоты. Распределение частотных искажений. Схема регулировки усиления. Расчет параметров обратной связи. Топология элементов широкополосного усилителя мощности.
курсовая работа, добавлен 20.10.2009Сигналы в системах (зондирующий, сигнал подсвета, запросный, собственное радиоизлучение объекта наблюдения, отраженный сигнал и т.п.). Электромагнитные поля. Поляризационная структура электромагнитного поля. Амплитудное равномерное распределение поля.
реферат, добавлен 14.12.2008Роль малого зеркала. Расчет геометрических параметров двухзеркальной антенны Кассегрена, параметров облучателя. Соотношение радиуса волновода и критической длины волны. Максимальная фазовая ошибка на краях апертуры. Амплитудное распределение в раскрыве.
курсовая работа, добавлен 07.07.2009Расчет полосы пропускания. Выбор промежуточной частоты, активных элементов и расчет их параметров. Распределение избирательности и полосы пропускания между трактами приемника. Проектирование антенного переключателя. Автоматическая регулировка усиления.
курсовая работа, добавлен 14.01.2011Общее понятие про сотовую связь, принцип действия. Входные и выходные данные программы расчета электрической составляющей электромагнитного поля, создаваемой каждой из антенн базовой станции. Графическая оболочка программы, руководство пользователя.
отчет по практике, добавлен 15.03.2012Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.
дипломная работа, добавлен 02.06.2011Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа, добавлен 02.08.2009Описание трехфазной мостовой схемы. Определения и расчет параметров тиристорного выпрямителя. Выбор допустимых нагрузок вентилей по току и параметров цепи управления. Расчет токов короткого замыкания; ограничение напряжения, защита предохранителями.
курсовая работа, добавлен 22.09.2014Расчет параметров настройки ПИ-регулятора для объекта второго порядка. Аналитический расчет и реализация программы в среде MatLab, которая определяет параметры регулятора и переходного процесса. Критерии качества переходного процесса замкнутой системы.
лабораторная работа, добавлен 29.09.2016Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Особенности проектирования диэлектрических стержневых антенн. Построение диаграммы направленности антенны, расчет ее геометрических размеров. Разработка конструкции и выбор материала возбуждающего устройства. Достоинства и недостатки излучающей части.
курсовая работа, добавлен 28.12.2014Разработка генератора прямоугольных импульсов, длительностью 5 мкc, сдвинутых на заданное время относительно перехода через 0 сетевого синусоидального напряжения 220В. Расчет источника тока, управляемого напряжением, выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 08.06.2012Расчет размеров диэлектрического стержня. Выбор подводящего коаксиального кабеля. Расчет размеров волновода и возбудителя, характеристики антенны. Результаты моделирования: общий вид проектируемого устройства, диаграмма направленности, согласование.
курсовая работа, добавлен 27.10.2011Структурная схема усилителя. Определение числа каскадов, распределение искажений по ним. Расчет требуемого режима и эквивалентных параметров транзистора, предварительных каскадов. Расчет усилителя в области нижних частот. Оценка нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 08.09.2014