Исследование биполярных и полевых транзисторов
Транзистор - полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность. Максимально допустимые параметры и вольтамперные характеристики биполярного и полевого транзисторов. Расчет величин элементов системы.
Подобные документы
Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2014Светодиод — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока: история создания, виды, классификация. Устройство светодиодных световых приборов, область применения.
реферат, добавлен 05.05.2013Технические параметры бортового компьютера. Обоснование выбора элементов по их электрическим параметрам: конденсаторов резисторов, микропроцессора, транзисторов. Разработка печатной платы и сборочного чертежа. Расчет надежности, электронного ключа VT7.
дипломная работа, добавлен 16.01.2018Характеристики используемого транзистора. Схема цепи питания, стабилизации режима работы, нагрузочной прямой. Определение величин эквивалентной схемы, граничной и предельных частот, сопротивления нагрузки , динамических параметров усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 09.06.2010Выбор и расчет элементов электрической схемы блока питания управляющего устройства. Расчет мощности, рассеиваемой регулирующими транзисторами. Выбор схем интегральных стабилизаторов напряжения; оптимизация конструкции охладителей силовых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2014Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа, добавлен 28.01.2015Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Особенности моделирования схем усилителя низкой частоты на МДП-транзисторах в Multisim 8, проверка ее соответствия техническим характеристикам с помощью анализов пакета Multisim 8. Сравнительный анализ характеристик импортных и отечественных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 27.04.2010Рассмотрение принципиальной схемы и принципа действия силовых цепей преобразователей. Расчет режима мягкой коммутации и частоты коммутации транзисторов. Графические характеристики однокаскадного и двухкаскадного электронных силовых трансформаторов.
курсовая работа, добавлен 16.03.2014Конструктивно-технологические параметры печатной платы, выбор элементов и материалов для полевого транзистора, расчет надежности акустического реле. Операционная карта процесса изготовления согласно технологическим операциям и методам производства.
курсовая работа, добавлен 01.07.2008Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Обоснование принципа построения и функциональной схемы преобразователя. Выбор емкости фильтра, транзисторов, диодов силовой цепи. Принцип управления мостовыми широтно-импульсными преобразователями. Расчет параметров элементов и характеристик силовой цепи.
курсовая работа, добавлен 10.10.2019Расчет номинальных значений резисторов однокаскадного усилителя. Построение передаточной характеристики схемы на участке база-коллектор биполярного транзистора. Принципиальная электрическая схема усилителя, схема для нахождения потенциалов на эмиттере.
курсовая работа, добавлен 13.01.2014Методика и основные этапы проектирования усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов. Расчет оконечного каскада, принципы и обоснование выборов транзисторов. Определение параметров входного каскада. Расчет надежности устройства.
контрольная работа, добавлен 15.11.2012Общее описание, внутреннее устройство и функциональные особенности радиоприемных устройств, сферы практического применения. Выбор промежуточной полосы, типа транзисторов, числа каскадов высокочастотного тракта. Предварительный расчет источника питания.
курсовая работа, добавлен 11.11.2014Частота усиливаемых сигналов, дифференциальные параметры транзисторов, их равенство низкочастотным значениям. Определение сквозного коэффициента усиления по напряжению. Режимы короткого замыкания и холостого хода, входное и выходное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 25.08.2012- 118. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 21.11.2014 Расчёт и обоснование требуемых характеристик источника питания. Определение и выбор всех элементов схемы (номиналов и мощностей). Вычисление параметров конденсаторов, резисторов, транзисторов. Расчёт КПД схемы при синусоидальном входном сигнале.
контрольная работа, добавлен 05.12.2010Построение и анализ работы схем элементов интегральных микросхем средствами Electronics WorkBenck. Обработка информации цифровых устройств с помощью двоичного кода. Уровень сигнала на выходах управляющих транзисторов, перевод их в закрытое состояние.
лабораторная работа, добавлен 12.01.2010Расчет многокаскадного импульсного усилителя видеосигналов в транзисторном и микросхемном варианте. Составление принципиальных схем, определение входных и выходных характеристик транзисторов. Разработка устройства и конструкции печатной платы прибора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2013Данные источников входных сигналов, основные требования к качеству работы электронного усилительного устройства системы автоматического управления. Выбор транзисторов оконечного каскада усиления. Расчет площади теплоотвода и сопротивлений резисторов.
курсовая работа, добавлен 23.12.2011Структурная схема усилителя с одноканальной обратной связью. Выбор транзистора, расчет режима работы выходного каскада. Расчёт необходимого значения глубины обратной связи. Определение числа каскадов усилителя, выбор транзисторов предварительных каскадов.
курсовая работа, добавлен 24.09.2015Алгоритм аналитического расчёта импульсного усилителя по заданным требованиям. Разработка принципиальной готовой схемы усилителя с известными номиналами элементов при помощи использования специальных транзисторов, имеющих высокую граничную частоту.
курсовая работа, добавлен 27.12.2010Общая характеристика RC-усилителя, его назначение и свойства. Изучение взаимосвязи между каскадами RC-усилителя, его амплитудных и частотных характеристик. Построение эквивалентной схемы по электрической принципиальной и расчет ее основных элементов.
лабораторная работа, добавлен 09.06.2013