Введение в наноэлектронику
Тенденции к миниатюризации и переходу к нанометровым размерам в современной электронике. Физические основы зондовой нанотехнологии. Методы формирования нанорельефа. Совместное использование лазера и сканирующего электронного микроскопа в нанолитографии.
Подобные документы
История изобретения и эволюции микроскопа. Сканирующие зондовые микроскопы, их классификация по способу организации обратной связи. Принцип работы сканирующего туннельного, атомно-силового микроскопа. Особенности ближнепольной оптической микроскопии.
презентация, добавлен 29.05.2014Механика и принципы методов исследования поверхности твердого тела: вторичная электронная эмиссия; масс-спектрометрия. Принципы работы растрового электронного микроскопа. Разработка алгоритма расчетов секторных магнитов с однородным магнитным полем.
дипломная работа, добавлен 22.02.2012Сравнительные характеристики световых и электронных микроскопов. Растровая электронная микроскопия. Преимущества и недостатки сканирующей зондовой микроскопии по отношению к другим методам диагностики поверхности. Применение атомно-силового микроскопа.
курсовая работа, добавлен 10.01.2014Макромир, микромир, наномир, мир элементарных частиц: основные положения квантовой теории; свойства микро- и наночастиц. Основы микроскопии в электронике. История создания технологических микрообъектов. Наноэлектронные элементы информационных систем.
курсовая работа, добавлен 15.06.2013Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.
лекция, добавлен 24.01.2014Теоретические основы проектирования полосового фильтра на сосредоточенных элементах. Метаматериалы и их использование в электронике. Типы элементов частотно-селективных поверхностей. Настройка резонансной частоты добавлением промежуточного слоя пластин.
дипломная работа, добавлен 17.10.2016История создания электронного микроскопа. Исследование микрорельефа поверхности и ее локальных свойств при помощи сканирующих зондовых микроскопов. Уравнение обратного пьезоэффекта для кристаллов. Механические редукторы и шаговые электродвигатели.
курсовая работа, добавлен 03.05.2011Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация, добавлен 19.02.2014Технологии получения углеродных нанотрубок. Использование их в эмиссионной электронике. Создание токопроводящих соединений, сверхбыстрых транзисторов на основе атомов углерода. Производство наноэлектронных приборов. Электрические свойства нанотрубки.
презентация, добавлен 24.05.2014Особенности оптических систем связи. Физические принципы формирования каналов утечки информации в волоконно-оптических линиях связи. Доказательства уязвимости ВОЛС. Методы защиты информации, передаваемой по ВОЛС - физические и криптографические.
курсовая работа, добавлен 11.01.2009Волоконный световод как основной элемент оптического кабеля. Физические и технические особенности светопередачи. Общие сведения об оптоволокне и их типы. Физика светопередачи и основы теории затухания. Типичный спектр поглощения кварцевого световода.
курс лекций, добавлен 13.12.2009Модель формирования сигнала в подповерхностном радиолокаторе непрерывного действия с апертурной антенной. Плоская граница раздела однородной среды, характеризуемой комплексной диэлектрической проницаемостью. Определение глубины залегания предмета.
статья, добавлен 11.01.2011- 13. Аргоновый лазер
Основные характеристики и применение аргонового лазера. Вынужденное испускание фотонов возбужденными атомами. Процесс поглощения фотонов. Активная среда ионных лазеров. Уровни энергии для лазера на ионах аргона. Характерные значения выходной мощности.
реферат, добавлен 12.06.2011 Особенности проектирования линзовой афокальной насадки для маломощного He–Ne лазера с возможностью управления расходимостью выходного лазерного излучения. Способы обеспечения его дискретного изменения с помощью механической смены линз объектива.
курсовая работа, добавлен 13.03.2014Эрбиевые усилители оптического сигнала. Параметры волоконных усилителей. Выходная мощность сигнала и энергетическая эффективность накачки. Ширина и равномерность полосы усиления. Полупроводниковый лазер накачки "ЛАТУС-К". Конструкция лазера накачки.
дипломная работа, добавлен 24.12.2015Теоретические основы методов расчета корректирующих цепей САУ и исследование их устойчивости. Особенности модернизации электронного термометра с использованием корректирующей цепи последовательного типа. Исследование устойчивости типовых звеньев САУ.
контрольная работа, добавлен 07.06.2010Физические основы и средства радионуклидной интроскопии. Использование радиоактивных изотопов в медицине для диагностики и терапии. Технология изготовления сцинтилляционных кристаллов. Устройство и важнейшие аналоговые узлы эмиссионного томографа.
реферат, добавлен 13.01.2011Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций, добавлен 11.01.2013- 19. Создание лазера на кристалле YAlO3 с диодной накачкой и исследование генерационных характеристик
Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.
контрольная работа, добавлен 13.06.2012 - 20. Проектирование системы управления модулятором добротности лазера с импульсной модуляцией добротности
Структура лазера с импульсной модуляцией добротности. Расчет первого и второго ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (строб задержки и работы). Схема ключа с резистивно-емкостной связью. Применение мультивибраторов с коллекторно-базовыми связями.
курсовая работа, добавлен 28.12.2014 Определение элементной базы электронного устройства. Определение технологии изготовления печатной платы. Обзор современных систем автоматизированного проектирования печатных плат. Анализ трудоемкости работ по проектированию электронного устройства.
курсовая работа, добавлен 18.12.2013Вычисление силовых трансформаторов с магнитопроводами типа ОЛ и Ш. Выбор размеров корпуса электронного блока с принудительным охлаждением. Расчет охлаждающей системы, площади радиатора проходного транзистора блока питания и параметров электронного блока.
курсовая работа, добавлен 01.04.2013Разработка структурной схемы и 3D модель мехатронной системы ориентирования, проектирование ее электронной и механической частей. Методы измерения расстояния с использованием лазеров. Технические характеристики лазерного сканирующего дальномера.
дипломная работа, добавлен 18.09.2015Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа, добавлен 23.01.2012Законы и критерии оценки пропорциональной миниатюризации. Различные типы микроактюаторов. Электростатические, магнитные, пьезоэлектрические, гидравлические, тепловые актюаторы. Группы материалов при создании микросистем: конструкционные; "активные умные".
реферат, добавлен 05.02.2011