Полевые транзисторы и их применение

История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.

Подобные документы

  • Основные свойства биполярного транзистора и особенности использования его в усилителях. Оценка малосигнальных параметров. Коэффициент усиления напряжения. Зависимости коэффициентов усиления напряжения, тока и входного сопротивления от рабочей точки.

    лабораторная работа, добавлен 13.12.2015

  • Принцип действия, назначение и режимы работы биполярных транзисторов. Режим покоя в каскаде с общим эмиттером. Выбор типа усилительного каскада по показателям мощности, рассеиваемой на коллекторе. Расчет сопротивления резистора базового делителя.

    курсовая работа, добавлен 02.07.2014

  • Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.

    курсовая работа, добавлен 23.01.2012

  • Обоснование принципа построения и функциональной схемы преобразователя. Выбор емкости фильтра, транзисторов, диодов силовой цепи. Принцип управления мостовыми широтно-импульсными преобразователями. Расчет параметров элементов и характеристик силовой цепи.

    курсовая работа, добавлен 10.10.2019

  • Схема электронной сирены на транзисторах. Монтажная схема, печатная плата мощной сирены для охранной сигнализации. Внешний вид конденсаторов, их состав и обозначения. Принцип действия, способы применения транзисторов. Схема сирены на PIC-микроконтроллере.

    курсовая работа, добавлен 15.02.2015

  • Расчёт и обоснование требуемых характеристик источника питания. Определение и выбор всех элементов схемы (номиналов и мощностей). Вычисление параметров конденсаторов, резисторов, транзисторов. Расчёт КПД схемы при синусоидальном входном сигнале.

    контрольная работа, добавлен 05.12.2010

  • Расчёт усилителя мощности радиочастоты и режима термостабилизации. Определение Y-параметров для каскодного включения транзисторов. Расчёт режима автогенератора по постоянному току. Вычисление параметров колебательных систем, преобразователя частоты.

    курсовая работа, добавлен 18.06.2015

  • Физические основы и принцип работы светоизлучающих диодов как полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет. Применение и анализ преимуществ и недостатков светоизлучающего диода. Стоимость светодиодных ламп и перспективы использования в ЖКХ.

    реферат, добавлен 03.03.2011

  • Основные характеристики микроскопов: разрешающая способность, глубина резкости. Принцип действия электронных микроскопов. Растровая электронная микроскопия. Принцип действия ионных микроскопов, полевого ионизационного и растрового туннельного микроскопа.

    реферат, добавлен 15.01.2009

  • Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.

    курсовая работа, добавлен 08.08.2007

  • Признаки импульсно-статических триггеров. Динамические триггеры, выполненные на основе МДП-транзисторов. Процесс записи информации в триггер. Схема квазистатических триггеров. Применение триггеров в схемотехнике для построения сдвигающих регистров.

    реферат, добавлен 12.06.2009

  • Определение принципа работы емкостного датчика присутствия. Схемы включения датчиков внесения ёмкости к МК. Технические характеристики и построение электрической схемы прибора со звуковым индикатором. Применение охранных извещателей для помещений ПИК.

    курсовая работа, добавлен 23.09.2011

  • Исследование принципа действия импульсного преобразователя постоянного напряжения понижающего типа. Фазы работы преобразователя. Расчёт силовой части схемы. Определение динамических потерь транзистора, возникающих в момент его включения и выключения.

    курсовая работа, добавлен 16.10.2014

  • Понятие чип-карты, ее значение и применение для санкционированного доступа к информации, распространение на современном этапе и принцип действия. Порядок создания "фальшивой" чип-карты и сферы ее применения, методика и этапы программирования карт.

    реферат, добавлен 09.05.2009

  • Основные параметры широкополосных аналоговых сигналов, модели электронных ключей: электронные на диодах, биполярные, полевые транзисторы. Расчет входного и выходного усилителя и источника питания. Анализ структурной схемы блока электронной коммутации.

    дипломная работа, добавлен 14.11.2017

  • Описание конструкции амплитудного модулятора. Выбор и обоснование схемы электрической принципиальной. Определение коэффициентов нагрузки для транзисторов, резисторов, конденсаторов, общей интенсивности отказа прибора. Расчет площади печатной платы.

    курсовая работа, добавлен 01.06.2015

  • Классификация ЛЭ двухступенчатой логики на биполярных транзисторах. Транзисторно-транзисторные ИМС (TTL). Базовая схема элемента T-TTL, его модификации. Характеристика ЛЭ на полевых МДП-транзисторах. Сравнение ЛЭ на биполярных и МДП-транзисторах.

    реферат, добавлен 12.06.2009

  • Электронная вычислительная техника. Описание схемы устройства, расчет фантастронного генератора пилообразного напряжения. Генераторы прямоугольных импульсов, линейно-изменяющегося напряжения, ступенчато-изменяющегося напряжения, синусоидальных колебаний.

    дипломная работа, добавлен 17.04.2009

  • Расчет усилителя мощности с представлением структурной схемы промежуточных каскадов на операционных усилителях. Расчет мощности, потребляемой оконечным каскадом. Параметры комплементарных транзисторов. Выбор операционного усилителя для схемы бустера.

    курсовая работа, добавлен 05.02.2013

  • Диспетчерское управление в электроэнергетике, применение систем телемеханики в данной сфере. Электронная система телеуправления типа ЭСТ-62, принцип действия, функциональные особенности. Взаимодействие приемного и передающего устройства телесигнализации.

    курсовая работа, добавлен 11.05.2013

  • Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.

    контрольная работа, добавлен 19.02.2012

  • Структурная схема усилителя с одноканальной обратной связью. Выбор транзистора, расчет режима работы выходного каскада. Расчёт необходимого значения глубины обратной связи. Определение числа каскадов усилителя, выбор транзисторов предварительных каскадов.

    курсовая работа, добавлен 24.09.2015

  • Характеристика свойств и параметров полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов и стабилитронов. Расчет стабилизаторов напряжения, выпрямителей с емкостным фильтром. Выбор стандартного трансформатора. Определение коэффициента полезного действия.

    курсовая работа, добавлен 19.02.2013

  • Общее описание, внутреннее устройство и функциональные особенности радиоприемных устройств, сферы практического применения. Выбор промежуточной полосы, типа транзисторов, числа каскадов высокочастотного тракта. Предварительный расчет источника питания.

    курсовая работа, добавлен 11.11.2014

  • Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 22.06.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.