Проектирование и испытание фототранзистора
Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
Подобные документы
Выбор и расчет блока питания всей схемы. Назначение усилительного устройства и его структура. Выбор и расчет параметров усилителя напряжения, параметров активного фильтра и усилителя мощности. Входное сопротивление усилителя. Параметры активного фильтра.
контрольная работа, добавлен 05.08.2011Рассмотрение основных видов транзисторов: точеного, сплавного плоскостного, диффузионного, биполярного, эпитаксиального, полевого и фототранзистора. Применение эпитаксиального материала для изготовления транзисторов для усилителей и электронных ключей.
презентация, добавлен 05.07.2013Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат, добавлен 14.02.2003Оптимизация конструкции охладителя для полупроводниковых приборов. Расчет и построение тепловых характеристик охладителя для естественного и принудительного воздушного охлаждения радиатора. Исходные данные, параметры и тепловой режим работы охладителя.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Разработка структурной схемы проектируемого устройства, ее элементы. Методика определения параметров полосы пропускания. Разработка отдельных узлов, характеристика и функциональное назначение: преселектор, усилитель радиочастоты и промежуточной частоты.
курсовая работа, добавлен 14.04.2014Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).
реферат, добавлен 07.10.2011Физика поверхностных акустических волн (ПАВ). Виды линейных пассивных акустоэлектронных устройств. Технические параметры, принцип устройства линий задержки на ПАВ. Схемы ультразвуковых линий задержки. Метод возбуждения и приема ПАВ с помощью ВШП.
курсовая работа, добавлен 04.03.2009Принципиальная схема и параметры составных элементов устройства для контроля отклонения от номинального значения неэлектрической величины. Выбор измерительного преобразователя: принцип действия, характеристика, конструктивное исполнение и применение.
курсовая работа, добавлен 12.05.2012Основные внешние показатели качества: достоверность распознавания музыкального звука, быстродействие (время отклика) и ресурсоемкость. Внутренние параметры устройства. Свойства вычислительного ядра процессора. Формирование базы знаний, анализ результатов.
курсовая работа, добавлен 07.01.2011Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.
лекция, добавлен 17.02.2011Назначение элементов схемы усилительного каскада, ее параметры и тип транзистора. Составление эквивалентной схемы в области средних частот и определение коэффициента усиления. Зависимость реактивных сопротивлений конденсаторов и частотные искажения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2009Параметры расчета предварительного и оконечного каскадов передатчика на биполярных транзисторах. Расчёт оконечного каскада. Параметры транзистора 2Т903А. Результат расчёта входной цепи. Результаты расчёта коллекторной цепи. Расчёт предоконечного каскада.
лабораторная работа, добавлен 26.01.2009Проектирование и расчет радиоприемника, его выполнение на интегральных микросхемах. Реальная чувствительность автомобильных радиовещательных приемников. Включение помехозащитных фильтров в систему питания устройства. Принципиальная электрическая схема.
курсовая работа, добавлен 30.08.2011Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Назначение антенно-фидерного устройства. Основные параметры антенн. Диапазон радиоволн, используемый в системах радиовещания, телевидения, а также других радиотехнических системах, использующих для передачи информации свободное распространение радиоволн.
контрольная работа, добавлен 13.06.2013Телевидение – способ передачи изображения на расстояние. История совершенствования телевизионных приемников. Зарождением электронного телевидения. Конструкция механического, электронного, плазменного телевизоров. Принцип действия, виды приемных антенн.
курсовая работа, добавлен 04.03.2009Классификация, конструкции, характеристики и применение резисторов. Цветовая маркировка и обозначение резисторов в перечне элементов отечественных и зарубежных фирм; их параметры, эквивалентные схемы замещения. Физическая природа электросопротивления.
презентация, добавлен 29.04.2014Проектирование POST Card PCI, предназначенного для диагностики неисправностей при ремонте и модернизации компьютеров типа IBM PC. Описание блок–схемы устройства. Параметры печатной платы. Технология изготовления и трассировка печатной платы с помощью ЭВМ.
дипломная работа, добавлен 11.04.2012Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014Обзор способов передачи сообщений и способов приёма сообщений. Тип антенн и их параметры. Обоснование структурной схемы системы. Вид модуляции и параметры радиосигнала. Способы синхронизации и выбор формы синхросигнала. Характеристика и параметры помех.
курсовая работа, добавлен 23.12.2011Устройства выборки-хранения, их сущность и особенности, принцип работы и назначение. Простейшая схема УВХ, их классификация и содержание. Линейные стабилизаторы напряжения, принцип их работы и назначение, регулирующий элемент и используемая схемотехника.
реферат, добавлен 14.02.2009Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа, добавлен 03.02.2012Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.06.2011