Полупроводники

Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.

Подобные документы

  • Лабораторный стенд. Расчет параметров элемента фильтра по исходным данным. Схемы исследования фильтра с указанием параметров элемента. Таблица экспериментальных данных. Возможность изменения цвета проводников. Пассивные фильтры электрических сигналов.

    лабораторная работа, добавлен 04.10.2008

  • Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.

    контрольная работа, добавлен 13.11.2012

  • Анализ схемотехнических решений мультиметров, рассмотрение принципов работы устройства для проверки элементов, разработка структурной и принципиальной схемы устройства. Меры безопасности при техническом обслуживании средств вычислительной техники.

    дипломная работа, добавлен 11.01.2015

  • Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.

    курсовая работа, добавлен 26.05.2010

  • Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.

    учебное пособие, добавлен 25.03.2009

  • Выбор и обоснование структурной и принципиальной схемы стабилизатора постоянного напряжения. Защита полупроводниковых стабилизаторов напряжения на основе операционного усилителя от перегрузок по току и короткому замыканию. Расчет регулирующего элемента.

    курсовая работа, добавлен 09.07.2014

  • Основные частотные свойства структурных схем. Динамический диапазон обобщенной структуры устойчивых D-элементов. Собственная компенсация доминирующих параметров активных элементов. Базовый алгоритм структурного синтеза схем с собственной компенсацией.

    магистерская работа, добавлен 08.03.2011

  • Краткая историческая справка о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем. Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р12-2.

    реферат, добавлен 26.01.2013

  • Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.

    реферат, добавлен 03.02.2011

  • Электрические свойства кабельных линий связи. Оценка процессов распространения электромагнитной энергии вдоль кабельной цепи. Измерение сопротивления цепи и ёмкости жил прибором. Волновое сопротивление. Рабочее затухание. Измерение параметров влияния.

    контрольная работа, добавлен 16.05.2014

  • Стабилизатор напряжения, его предназначение. Экспериментальное определение характеристик полупроводниковых параметрического и компенсационного интегрального стабилизатора напряжения постоянного тока. Определение мощности, рассеиваемой на стабилизаторе.

    лабораторная работа, добавлен 18.06.2015

  • Описание принципиальной схемы автомата включения освещения. Анализ элементной базы и применяемых в устройстве полупроводниковых элементов. Габаритные размеры симистора КУ208Г. Микросхема К561ЛА7 логики КМОП, ее маркировка, распиновка, цоколевка и корпус.

    курсовая работа, добавлен 28.12.2015

  • Оптимизация конструкции охладителя для полупроводниковых приборов. Расчет и построение тепловых характеристик охладителя для естественного и принудительного воздушного охлаждения радиатора. Исходные данные, параметры и тепловой режим работы охладителя.

    курсовая работа, добавлен 01.05.2015

  • Выбор и обоснование варианта конструкции и материала сердечника, катушки, обмоточного провода, изоляционных материалов. Защита катушки сглаживающего дросселя от внешних воздействий. Расчет габаритных размеров, электрических и конструктивных параметров СД.

    курсовая работа, добавлен 23.05.2015

  • Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.

    дипломная работа, добавлен 07.06.2011

  • Введение эвтектического сплава в качестве припоя между соединяемыми поверхностями кристалла и корпуса. Эвтектические сплавы: золото-германий или золото-кремний. Монтаж с использованием клеев и компаундов при изготовлении полупроводниковых приборов.

    реферат, добавлен 09.01.2009

  • Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.

    курсовая работа, добавлен 20.11.2013

  • Системы передачи информации с помощью радиотехнических и радиоэлектронных приборов. Понятие, классификация радиоволн, особенности их распространения и диапазон. Факторы, влияющие на дальность и качество радиоволн. Рефракция и интерференция радиоволн.

    реферат, добавлен 27.03.2009

  • Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.

    дипломная работа, добавлен 28.04.2013

  • Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.

    курсовая работа, добавлен 31.05.2014

  • Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2009

  • История развития и становления радиопередающих устройств, основные проблемы в их работе. Обобщенная структурная схема современного радиопередатчика. Классификация радиопередатчиков по разным признакам, диапазон частот как одна из характеристик приборов.

    реферат, добавлен 29.04.2011

  • Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

    презентация, добавлен 29.11.2013

  • Классификация воздействий в электрических цепях. Анализ линейных электрических цепей при гармонических воздействиях. Анализ параллельной цепи переменного тока. Напряжения, сопротивления и проводимости.

    реферат, добавлен 07.04.2007

  • Физические принципы работы фотоприемников на приборах с зарядовой связью. Матричный ПЗС с разделением цветовых сигналов. Технологии комплементарных структур метал–оксид–полупроводник (КМОП). Фотоприёмники с координатной адресацией; телевизионный сигнал.

    презентация, добавлен 14.12.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.