Параметры полевого транзистора
Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).
Подобные документы
Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа, добавлен 17.03.2015Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат, добавлен 27.05.2012Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.
контрольная работа, добавлен 13.08.2013Особенности проектирования и расчета интегрального МОП-транзистора. Структура и граничная частота n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения. Определение геометрических размеров канала. Характеристика параметров областей истока и стока.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Коллекторные характеристики БПТ. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода в активном режиме. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Малосигнальные Т-образные модели БПТ. Параметры основной П-образной модели. Системы параметров.
реферат, добавлен 14.12.2008- 7. Электроника
Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка, добавлен 11.12.2012 Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.
курсовая работа, добавлен 25.11.2014Основные параметры и характеристики, выбор режима работы транзистора. Расчет малосигнальных параметров. Определение основных параметров схемы замещения. Расчет основных параметров каскада. Оценка нелинейных искажений. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 01.10.2014Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Рассмотрение синтеза структуры транзистора с использованием расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в производстве. Расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов, их конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики.
курсовая работа, добавлен 21.09.2010Изучение транзистора с обобщенной и избирательной нагрузкой. Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора. Расчет параметров нагрузки на резонансной частоте, резонансных сопротивлений. Определение полосы пропускания цепи по карте нулей и полюсов.
контрольная работа, добавлен 06.01.2015Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.
курсовая работа, добавлен 14.12.2013Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат, добавлен 12.06.2009Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
дипломная работа, добавлен 29.09.2010Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.
лекция, добавлен 19.11.2008Уравнения ВАХ нелинейного элемента, полевого транзистора. Спектр выходного тока вплоть до десятой гармоники. Временные диаграммы входного напряжения, тока. Индуктивность и полоса пропускания контура. Амплитудный детектор вещательного приёмника.
курсовая работа, добавлен 30.11.2007Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Общие сведения об усилителях мощности на полевых транзисторах. Расчет статических вольтамперных характеристик транзистора в программе Microwave Office. Модель полевого транзистора с барьером Шотки. Аналитический расчет выходной согласующей цепи.
курсовая работа, добавлен 24.03.2011Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.
курсовая работа, добавлен 17.03.2011- 22. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 21.11.2014 Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2014Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.
курсовая работа, добавлен 22.08.2013История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат, добавлен 15.11.2009