Теоретичні положення і методичні вказівки до виконання лабораторних робіт
Основні параметри і властивості германієвих і кремнієвих діодів та дослідження їх вольт-амперних характеристик. Напівпровідниковий діод як електроперетворюючий напівпровідниковий прилад з дірково-слектронним переходом і двома металевими виводами.
Подобные документы
- 1. P-i-n-діод
Фізичні явища в перемикаючих p-i-n-діодах та їх вольт-амперна характеристика. Перехідні процеси при подачі прямого зміщення та при його перемиканні до зворотного. Структура швидкодіючого діода та вимоги до параметрів напівпровідникового матеріалу.
курсовая работа, добавлен 23.01.2011 Пряме і зворотне зміщення (вмикання) p-n-переходу. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди й стабілітрони: призначення і особливості, схема вмикання. Особливості структури біполярного транзистора, їх типи та умовні позначення.
лекция, добавлен 15.03.2016Методи визначення статичного опору для прямого, зворотного напряму напівпровідникового діода при різних значеннях прикладеної напруги. Формула для розрахунку динамічного опору даного електронного елементу в певній точці вольт-амперної характеристики.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, здатний підсилювати потужність. Загальні відомості про біполярні транзистори, їх будова та принцип дії. Класифікація, маркування, режими роботи та використання транзисторів.
лекция, добавлен 16.07.2017Напівпровідникові діоди і транзистори. Тунельні діоди й їх параметри. Біполярні і польові транзистори. Генератори і підсилювачі на напівпровідникових приладах. Фізичні основи квантових приладів й енергетичні спектри. Квантові прилади оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Вакуумний метод отримання напiвпровiдникових плівок моносульфіду самарію. Електрофізичні властивості та рекомбінаційні параметри плівкових структур. Можливість управління метрологічними характеристиками тензорезистора за допомогою прикладеної напруги.
автореферат, добавлен 12.02.2014Характеристика особливостей виконання контрольної роботи з дисципліни "Твердотіла електроніка", аналіз структури роботи, приклади розв’язання задач. Визначення числа діодів для випрямлення в однофазній двонапівперіодній схемі синусоїдальної напруги.
методичка, добавлен 22.07.2017Методичні вказівки для бакалаврів. Контрольні завдання для розрахунку лінійних електричних кіл постійного, змінного і трифазного струмів. Вивчення теорії та приклади виконання вправ з електротехніки. Розгляд контрольних запитань для самоперевірки.
методичка, добавлен 22.07.2017Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що здатен підсилювати потужність. Оцінка співвідношення між складовими струму за допомогою коефіцієнта інжекції. Дослідження схеми вмикання транзистора зі спільним емітером.
учебное пособие, добавлен 16.07.2017Теорія і практика застосування електронних, іонних і напівпровідникових приладів у пристроях, системах і установках. Освоєння та використання ультракоротких хвиль. Частотні властивості варикапів, принцип дії, схеми включення та основні характеристики.
курсовая работа, добавлен 22.11.2014Аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання.
статья, добавлен 27.02.2016Параметри і характеристики діодів. Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів. Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи. Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв. Внутрішні завади аналогових пристроїв.
учебное пособие, добавлен 07.07.2017Принципи роботи з компілятором AVR-Studio. Розробка алгоритму і програми, яка створює ефект "біжучий вогник". Запуск програми у пакеті "Протеус". Текст програми для 4-х діодів. Розробити програми для запалювання 8-ми діодів, зміна часу їх засвічування.
лабораторная работа, добавлен 22.07.2017- 15. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Розробка фізико-хімічних основ технології створення та функціональної діагностики кристалів і структур (приладів) для реєстрації та перетворення енергії інфрачервоного випромінювання на базі напівпровідникових сполук і вузькощілинних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Вплив рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні показники термосенсорів. Причини збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду. Зменшення величини прямого струму вольт-амперних характеристик.
статья, добавлен 10.12.2016Технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур. Одноелектронний турнікет. Методи синтезу напівпровідників та їх полі- і монокристалів та шарів цих матеріалів на підкладках. Властивості тунелювання, потенційних бар’єрів, хвилевої функції.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Розробка математичних моделей для опису механічних коливальних процесів паяних силових напівпровідникових приладів. Дослідження механічних динамічних характеристик паяних силових кремнієвих діодів та тиристорів, які широко застосовуються в електротехніці.
автореферат, добавлен 23.11.2013Основні переваги напівпровідникової пам'яті. Принцип роботи і сфера застосування DRAM, цикл зчитування та запису, оновлення та ініціалізації. Внутрішня структура DRAM, використання в мікросхемах пам'яті поєднаних ліній введення або виведення даних.
контрольная работа, добавлен 01.12.2016Поняття внутрішніх джерел шумів підсилювача. Оцінка впливу дефектів напівпровідникових приладів і їх локалізації на характеристики ПП. Визначення фізичних шумових джерел. Індукційні джерела сигналів ІВС. Заходи корекції параметрів роботи підсилювача.
автореферат, добавлен 15.07.2014Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021- 24. К вопросу о разработке модели нелинейного двухполюсника с управляемой вольт-амперной характеристикой
Разработка схемы замещения нелинейного двухполюсника с вольт-амперной характеристикой. Использование аналого-цифро-аналогового элемента для решения задачи. Применение полиномов различной степени для аппроксимации характеристик нелинейных элементов.
статья, добавлен 28.07.2017 Своєчасне оповіщення працюючих на колії про переміщення рухомого складу як основний спосіб забезпечення безпеки виконання робіт. Алгоритм визначення елементів зони виконання робіт, який засновано на геометричному представленні колійного розвитку.
статья, добавлен 26.07.2016