Концентрация электронов и дырок в р-полупроводнике
Решение уравнения Шредингера для идеального кристалла. Причины возникновения проводимости в собственном полупроводнике. Концентрация электронов и дырок в зонах. Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике. Электрон в идеальном кристалле.
Подобные документы
Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Исследования в области полупроводников и их значение для радиотехники, электротехники, автоматики, приборостроения, энергетики. Вопрос о характере движения электронов в полупроводнике. Свойства периодически повторяющейся элементарной ячейки кристалла.
статья, добавлен 20.09.2009Распределение электронов в твёрдом теле по энергиям и распределение Ферми. Квазистационарные уровни Ферми. Равновесное распределение электронов по энергиям. Величина и физический смысл постоянной, которая входит в функцию распределения Ферми-Дирака.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013Понятие нормировки в теории вероятности, получение и основные свойства уравнения Шредингера. Определение скорости электронов в квантовой теории, решение волнового уравнения. Вероятность нахождения частицы (атома) в различных точках пространства.
реферат, добавлен 04.12.2015Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Линейная и квадратичная рекомбинация. Линейная и сублинейная зависимость фототока от интенсивности света. Очувствление фотопроводника путём введения новых рекомбинационных уровней. Зависимость времени жизни от положения уровня Ферми в полупроводнике.
дипломная работа, добавлен 30.03.2017Метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Отличие неравновесного от равновесного распределения Ферми-Дирака.
статья, добавлен 26.06.2016Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Гальваномагнитные явления, магнетосопротивление, эффект Эттингсгаузена. Концентрация 3d-электронов проводимости в зависимости от энергии. Классический эффект Холла и его приложения. Двумерные металл-диэлектрик-полупроводники – структуры и гетероструктуры.
учебное пособие, добавлен 12.02.2016Понятие и условия возникновения фоторезистивного эффекта в однородном полупроводнике при его освещении. Расчет проводимости канала поверхностной электропроводности. Основные параметры и характеристики фотоприемников, их применение в технике и энергетике.
курсовая работа, добавлен 28.11.2013Открытия Э. Холлом передачи электрической энергии заряженными частицами двух противоположных знаков, несостоятельность принятия "дырок" в качестве положительных носителей, альтернативных электронам. Невозможность существования "свободных электронов".
статья, добавлен 10.12.2024Процесс возникновения фотогальванического эффекта (ФГЭ). Исследование линейного ФГЭ при межзонных центральных переходах в полупроводнике. Показано, что основным механизмом, приводящим к ФГЭ, является электростатическое взаимодействие электрона и дырки.
статья, добавлен 19.06.2018Анализ квантового характера явлений в наноструктурах. Исследование спектра и энергетических зон в полупроводнике. Рассмотрение экситонов как состояния атомов в виде волны возбуждения кристалла. Изучение зависимости его энергии от ширины квантовой ямы.
статья, добавлен 13.04.2016Построение и элементы зонной структуры пилообразной сверхрешетки. Закон дисперсии электронов и дырок для нижних энергетических минизон. Исследование и обоснование влияния природы и высоты потенциального барьера на число и ширину энергетических минизон.
статья, добавлен 21.06.2018Распределение частиц газа по скоростям согласно Максвеллу-Больцману. Распределение электронов проводимости в твердом теле. Схема энергетических зон для электронов в проводниках. Определение отклонения носителей тока в твердом теле магнитным полем.
реферат, добавлен 24.11.2014Рассмотрение электрически нейтральной системы, состоящей из конечного числа электронов и ядер. Описание движения электронов и ядер в рамках нерелятивистской квантовой механики. Кулоновское взаимодействие электронов. Использование теоремы вириала.
статья, добавлен 02.12.2018Изучение радиальных относительно ядра атома групп электронов с одинаковым значением орбитального квантового числа и одинаковой очередностью появления на подоболочках. Установление орбитального принципа запрета, регулирующего распределение электронов.
статья, добавлен 29.04.2017Периодическое строение кристаллов, анизотропия свойств как характерная черта кристаллического состояния, зависимость его свойств от направления в кристалле. Структура кристаллической решетки, определяющая потенциальную энергию электронов в кристалле.
статья, добавлен 24.03.2019Физический процесс, приводящий к экспериментально-наблюдаемой картине дифракции электронов. Уравнение для длины волны. Экспериментальная установка для изучения дифракции электронов на кристаллических структурах. Изображение электронно-лучевой трубки.
лабораторная работа, добавлен 01.09.2020Перегруппировка свободных электронов в теле металлического диска при вращении. Расчет числа свободных электронов в каждом слое. Градиент числа свободных электронов. Схема развертки металлического зубчатого диска. Графики емкостной связи зубчатого диска.
доклад, добавлен 01.06.2016Измерения энергетического спектра электронов "встряски" при распаде изотопа европия и их скоррелированности по направлению вылета с импульсом заряженной частицы в диапазоне 150-2000 эВ. Регистрация электронов "встряски" по создаваемым ими е-электронам.
статья, добавлен 11.09.2013Исследование зависимости интенсивности испускания электронов от расстояния между поверхностью источника и местом образования заряда в приповерхностном слое. Измерение выходов электронов околонулевой энергии из источников различной толщины при распаде Cu.
статья, добавлен 18.11.2013Методические решения применения технологических ускорителей электронов для ядерных исследований. Средства адаптации радиационной установки ИЯИ НАН Украины с ускорителем электронов для исследований сечений электронного возбуждения изомерных состояний ядер.
статья, добавлен 22.08.2013Квантовые числа электронов, понятие энергетического уровня, значение орбиталей. Форма электронного облака s-орбитали. Главные составляющие атома, его возможные состояния. Порядок составления электронных формул. Химические источники электрической энергии.
реферат, добавлен 14.01.2013