Математична модель сенсору теплового випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник
Розробка моделі сенсору теплового випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник з від’ємним опором. Статична метрологічна характеристика, залежність функції перетворення від температури, зміна вихідної напруги пристрою з часом.
Подобные документы
Залежність потужності теплового ІЧ випромінювання напівпровідника за краєм власного поглинання, збуджуваного світлом з області поглинання. Параметри напівпровідникового кристала: концентрація домішок, товщина кристала, коефіцієнт відбивання кристала.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка математичної моделі, що описує на основі феноменологічної теорії випромінювання та теорії квазістатичної термопружності, термонапружений стан опромінюваних плоско-шаруватих ізотропних тіл. Оцінка впливу теплового нагріву на поверхні пластин.
автореферат, добавлен 27.07.2015Специфіка моделювання та експериментальна апробація дії імпульсного лазерного опромінювання на контактах метал-халькогенідного напівпровідника. Створення ефективних детекторів електромагнітного випромінювання з покращеними експлуатаційними параметрами.
автореферат, добавлен 26.02.2015Оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури металу-напівпровіднику з проміжним шаром різної фізико-хімічної природи, їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури. Вивчення деградації напівпрозорих металевих плівок.
автореферат, добавлен 21.11.2013Вивчення застосування явища поверхневого плазмон-поляритонного резонансу в тонких шарах золота та срібла. Вплив оптичних параметрів шаруватої структури на чутливість сенсору та дослідження впливу зовнішнього електричного потенціалу на параметри сенсору.
автореферат, добавлен 27.04.2014Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017Механізми впливу мікрорельєфу поверхні напівпровідників на внутрішній фотоефект в контакті метал-напівпровідник в області зона-зонної фотогенерації носіїв струму, за умов внутрішньої фотоемісії в контакті, при збудженні поверхневих плазмових поляритонів.
автореферат, добавлен 23.02.2014Визначення поняття теплових процесів, як технологічних процесів, що протікають зі швидкістю, обумовленою законами теплопередачі. Вивчення рівняння теплового балансу та способів розповсюдження тепла: теплопровідності, конвекції, теплового випромінювання.
доклад, добавлен 12.06.2014Встановлення зв'язку між параметрами йонної імплантації, зміною оптичних властивостей та приповерхневої структури систем "тонка металева плівка-піроелектрик". Методика розробки високоефективних піроелектричних приймачів інфрачервоного випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Умови виникнення люмінесцентного випромінювання. Характеристика джерел електромагнітного випромінювання, що працюють на основі вимушеного випромінювання атомів та молекул. Перший мазер на молекулах аміаку. Аналіз принципів роботи квантового генератора.
презентация, добавлен 12.03.2012Метод розрахунку параметрів електронної структури сплавів на основі перехідних елементів з врахуванням впливу топологічного розупорядкування атомів. Моделювання густини електронних станів АМС на основі Ni, порівняння результату з даними досліджень.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження результатів розрахунку імовірності тунельної іонізації глибокого домішкового центра поблизу вільної поверхні напівпровідника. Вивчення основних можливостей виникнення явища негативного диференціального опору в контакті метал-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.11.2013Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014- 16. Магнітні поля
Електричні і магнітні поля та електромагнітні випромінювання промислової частоти і радіочастотного діапазону. Інфрачервоне випромінювання як функція теплового стану джерела випромінювання. Спектр ультрафіолетових променів в електромагнітному спектрі.
реферат, добавлен 24.12.2013 Характеристика фізичної природи інфрачервоного випромінювання – оптичного випромінювання з довжиною хвилі більшою ніж у видимого випромінювання. Область застосування інфрачервоного випромінювання. Дослідження природи ультрафіолетового випромінювання.
презентация, добавлен 16.05.2016Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Механізм трансформації енергії оптичного випромінювання. Розробка методичного підходу до керування енергетичною дією оптичного випромінювання на тварин в процесі їх вирощування на основі аналізу явища фотореактивації і положень квантової біофізики.
статья, добавлен 30.01.2017Дослідження залежності коефіцієнту теплового розширення води від температури з врахуванням розширення скла. Фізичні особливості води як рідини. Зміна її просторової структури при аномальному тепловому розширенні, обчислення температурного коефіцієнту.
лабораторная работа, добавлен 29.07.2017Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз впливу теплообміну випромінюванням на критичні умови тепломасообміну частинки, що характеризують їх самозаймання. Опис та специфіка гістерезисних режимів тепломасообміну і окислення частинок в азотно-кисневих сумішах кімнатної температури.
автореферат, добавлен 29.07.2015Залежності ефективності перетворення короткохвильового випромінювання в довгохвильове від параметрів зовнішніх впливів і параметрів кристалів. Температурний діапазон, в межах якого досягаються найвищі значення ефективності перетворення в монокремнії.
автореферат, добавлен 25.08.2014Теплофізична модель об’єкта циліндричної форми і аналіз закономірності виявлення дефектів. Методика розрахунку джерел теплового збудження випромінювального типу для теплового неруйнівного контролю, виявлення параметрів реєструючої апаратури (радіометрів).
автореферат, добавлен 28.07.2014Фізичні основи роботи піросенсорів. Робота піроелектрика в зовнішніх електричних колах навантаження і підсилення. Методи побудови мікроелектронних перетворювачів теплової потужності у частоту. Методи вимірювання температури на основі піроелектриків.
статья, добавлен 24.12.2018