Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів
Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
Подобные документы
Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Особливості дефектної структури CdS та їхньої кристалічної ґратки при збудженні електронної підсистеми. Методики експериментальних досліджень монокристалічних зразків. Аномальна емісія електронів з поверхні кристалів CdS та вплив зовнішніх факторів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, характеристика їх відклику на зовнішні збурення такі як деформації та дефекти. Встановлення аспектів формування зонного спектру кристалу CdSb.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження перебудови локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних та циліндричних квантових точках різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації. Аналіз матеріалу квантової точки, оточуючої матриці та зовнішнього тиску.
автореферат, добавлен 30.08.2014Одержання спектрів електронного парамагнітного резонансу та подвійного електронно-ядерного резонансу домішкових центрів та їх комплексів. Розшифровка та опис спектрів, визначення радіоспектроскопічних параметрів. Вплив домішок на фононні спектри.
автореферат, добавлен 23.11.2013Зв’язок змін фізичних властивостей перехідних металів та сплавів на їх основі під впливом зовнішніх факторів з особливостями електронного спектру. Вплив зміни динаміки руху електронів при електронно-топологічних переходах на кінетичні характеристики.
автореферат, добавлен 24.07.2014Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
автореферат, добавлен 20.07.2015Опис взаємодії квазічастинок з поляризаційними зарядами меж поділу для багатошарових сферичних гетеро структур. Дослідження впливу перехідних областей, в яких діелектрична проникність є неперервною функцією координати, на енергетичний спектр екситона.
автореферат, добавлен 12.02.2014Вивчення застосування явища поверхневого плазмон-поляритонного резонансу в тонких шарах золота та срібла. Вплив оптичних параметрів шаруватої структури на чутливість сенсору та дослідження впливу зовнішнього електричного потенціалу на параметри сенсору.
автореферат, добавлен 27.04.2014Кореляційні функції та визначення ролі ефективної взаємодії між псевдоспінами через електрони провідності у можливій появі в системі фаз із різними типами впорядкувань. Вплив гаусових флюктуацій ефективного поля на термодинамічні властивості системи.
автореферат, добавлен 22.04.2014Аналіз ролі технологічних факторів у формуванні підсистеми власних точкових дефектів і електрофізичних властивостей плівок PbTe, PbS і PbSe. Процеси дефектоутворення і зміни дефектної підсистеми і електрофізичних властивостей плівок халькогенідів свинцю.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження енергетичних спектрів носіїв заряду в об'ємних кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe, кристалів із поверхнею телуриду кадмію та товщини надграток. Парціальні вклади марганцю в густину станів валентної зони та зони провідності цих структур.
автореферат, добавлен 19.04.2014Визначення положень кристалохімічної і термодинамічної моделі парофазної епітаксії плівок халькогенідів свинцю. Аналіз експериментальних досліджень для з'ясування механізмів впливу атмосфери кисню на концентрації носіїв струму і дефектів у плівці.
автореферат, добавлен 15.07.2014Теоретичне дослідження рівноважних струмових станів у просторово неоднорідних надпровідних структурах з малими розмірами неоднорідностей при температурах, близьких до критичної. З’ясування залежності густини струму від різниці фаз між берегами контакту.
автореферат, добавлен 25.02.2015Дослідження рівноважних струмових станів у надпровідних структурах з малими розмірами неоднорідностей при температурах, близьких до критичної. З’ясування залежності величини струму від різниці фаз між берегами контакту та наявності немагнітних домішок.
автореферат, добавлен 29.09.2015Визначення за допомогою електронного парамагнітного резонансу локальної структури та зарядового стану домішок і власних дефектів в сегнетоелектричних матеріалах. Встановлення моделей парамагнітних центрів. Розрахунок параметрів кристалічного поля.
автореферат, добавлен 22.04.2014Створення дифракційної моделі розсіювання оптичного випромінювання з урахуванням фазових та поляризаційних змін хвилі при відбиванні від локальних дефектів поверхні. Реалізація сенсорів хвильового фронту з підвищеними чутливістю та просторовою здатністю.
автореферат, добавлен 25.07.2015Процес проходження й відбиття світла від двошарової феромагнітної структури з неколінеарною орієнтацією намагніченостей шарів. Залежність оптичних характеристик структури від її параметрів і параметрів падаючої хвилі. Одержання рішень рівнянь Максвелла.
автореферат, добавлен 24.08.2015Побудова фізичної моделі зародження, росту і розчинення складної системи нано- і мікророзмірних дефектів у перенасиченому твердому розчині кисню в кремнії. Еволюція функції розподілу дефектів за розмірами. Рівняння дифузії для міжвузлових атомів системи.
автореферат, добавлен 14.09.2014Характеристика механізмів спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках через локалізовані електронні пари та через збуджені триплетні стани точкових дефектів. Врахування надтонкого поля в квантовій теорії електрично детектованого магнітного резонансу.
автореферат, добавлен 21.11.2013Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015- 24. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017