Дослідження структури кристалів з великою густиною планарних дефектів методом повнопрофільного аналізу дифрактограм
Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
Подобные документы
Поняття густини речовини. Визначення густини твердого тіла і рідини на основі густини води з використанням закону Архімеда. Етапи зважування тіла у повітрі і дистильованій воді. Використання методу гідростатичного зважування для визначення густини рідини.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Дослідження зміни положень дифракційних піків, їх профілів та відносних інтенсивностей в залежності від типу хаотично розташованих дефектів пакування, а також концентрації. Методика аналізу експериментальної дифракційної картини для визначення типу.
автореферат, добавлен 27.07.2014Визначення за допомогою електронного парамагнітного резонансу локальної структури та зарядового стану домішок і власних дефектів в сегнетоелектричних матеріалах. Встановлення моделей парамагнітних центрів. Розрахунок параметрів кристалічного поля.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Розробка методики синхронної реєстрації сигналів акустичної емісії та динаміки дислокацій, що двійникують. Особливості механізмів гальмування дислокацій у магнетиках, у тому числі поблизу точок фазових перетворень, з урахуванням доменної структури.
автореферат, добавлен 15.11.2013Математична коректність розкладу спектральної функції за незмінним базисом. Вимірювання товщини тонких плівок. Розробка методики повнопрофільного рентгенофлуоресцентного аналізу для пошуку спектральних ліній хімічних елементів та визначення їх параметрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Дослідження впливу складу і домішок на ефективність акумуляції дефектів у магній-алюмінієвій шпінелі, встановлення типу кристалічної ґратки її метастабільної фази. Розробка методик аналізу поверхневих шарів прозорих кристалів, модифікованих іонами.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Вплив структури, точкових дефектів кристалічної будови, температури та концентрації на параметри самодифузії у впорядкованих алюмінідах нікелю та титану. Визначення взаємозв'язку складу, точкових дефектів та механізмів дифузії в інтерметалідах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Методика статистичного моделювання реалізацій випадкового поля "шуму" для даних зміни густини крейдяної товщі у тривимірному просторі. Статистичні моделі для гауссових однорідних ізотропних випадкових полів у 3D, заданих статистичними характеристиками.
статья, добавлен 28.08.2016Роль регулярних складових елементів кристалічної гратки та дефектів у формуванні оптичних характеристик (люмінесценція, поглинання, відбивання та діелектрична проникність) кристалів. Електронна структура ідеальних за будовою та дефектних кристалів PbWO4.
автореферат, добавлен 12.07.2014Адаптація процедур розв’язків зворотної задачі до особливостей некогерентного розсіяння в іоносферній плазмі за умов одно-, двох- і трьохкомпонентного іонного складу. Модернізація структури інформаційно-обчислювальної системи на базі радара розсіяння.
автореферат, добавлен 28.08.2014Вивчення методів та набуття навичок обробки вимірювань та обчислення похибок. Обчислення густини речовини, з якої зроблено тіло, та характеристика абсолютної і відносної похибки вимірювання густини. Обчислення середньоквадратичного відхилення результатів.
лабораторная работа, добавлен 14.05.2020Взаємозв'язок між умовами вирощування, чистотою вихідної сировини й формуванням структури власних та домішкових точкових дефектів, які суттєво впливають на роботу приладів, виготовлених на сапфірових підкладках. Технологія оптимального розкрою кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Історія виникнення інтегральної оптики. Планарні оптичні хвилеводи. Електромагнітна теорія поширення хвиль в планарних оптичних хвилеводах. Хвильове рівняння для однорідних планарних хвилеводів. Дисперсійне рівняння неоднорідного планарного хвилеводу.
курс лекций, добавлен 29.04.2013Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
автореферат, добавлен 20.07.2015Встановлення закономірностей утворення дефектів кристалічної структури. Методи оптимізації параметрів процесу вирощування довгомірних лужно-галоїдних монокристалів максимального діаметру із поліпшеними структурними та сцинтиляційними характеристиками.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження фазового складу структури, фазових перетворень, фізичних властивостей перовскітів із застосуванням електричних та магнітних полів, рентгеноструктурного аналізу, електронної мікроскопії. Теоретичні моделі для точкових і протяжних дефектів.
автореферат, добавлен 24.02.2014Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013