Влияние облучения на свойства CdTe детекторов
Сравнительный анализ экспериментальных данных о концентрации, сечении захвата и типе ловушек в CdTe:Cl. Влияние радиационных дефектов, возникших под воздействием рентгеновского облучения, на электрофизические и детекторные свойства теллурида кадмия.
Подобные документы
Використання фотоелектричних перетворювачів. Визначення оптичних та рекомбінаційних втрат в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe та n-CdS/p-CdTe із струмознімальними фронтальними контактами ITO і ZnO.
статья, добавлен 23.12.2016- 2. Оптичні і люмінесцентні властивості нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах та полімерних матрицях
Виготовлення макету світловипромінюючого пристрою на основі нанокристалів телуриду кадмію. Дослідження фотолюмінесцентних і оптичних властивостей нанокристалів CdTe. Знаходження залежності зсуву Стокса від розмірів нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах.
автореферат, добавлен 19.07.2015 Влияние радиационного облучения на изменение термодинамических свойств конденсированных систем. Свойства облучаемого вещества, скорость генерации и релаксации радиационных возбуждений. Индуцированное изменение условий растворимости твердых тел в жидкости.
статья, добавлен 07.10.2013Исследование спектрометрических характеристик CdTe (CdZnTe)-детекторов при регистрации гамма-излучений в диапазоне 15-500 кэВ и альфа-излучений в диапазоне 4-8 МэВ. Определение элементов от лантана до плутония с регистрацией характеристического излучения.
статья, добавлен 11.11.2013Влияние лазерного импульсного облучения на структуру поверхностных слоёв сплавов. Мультимасштабная структура, которая образуется в результате лазерного облучения поверхности. Уменьшение концентрации включений интерметаллических фаз в поверхностном слое.
статья, добавлен 27.07.2016Исследование характеристик структуры Al–p-CdTe–Mo с протяженной базой в зависимости от температуры в рамках диффузионного и дрейфового механизмов переноса тока, учитывающего возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса.
курсовая работа, добавлен 08.11.2016Молекулярные эффекты рентгеновского излучения. Повреждение биомолекул химически активными продуктами радиолиза воды. Влияние радиоактивного облучения на молекулу ДНК. Исследование механизма хромосомных изменений при первичном и вторичном эффекте.
реферат, добавлен 22.11.2014Явления рентгеновского излучения и сферы его применения. Устройство рентгеновской трубки. Дифракция рентгеновских лучей. Эффективная эквивалентная доза облучения. Влияние рентгеновского излучения на организм человека. Применение рентгеновских лучей.
научная работа, добавлен 21.11.2018- 9. Диффузное и дрейфовое движение электронов в N-типе кремния, облученного быстрыми нейтронами реактора
Анализ области температур диффузного и дрейфового движения электронов в N-типе кремния после облучения быстрыми нейтронами реактора. Расчет температурных зависимостей концентрации носителей в проводящей матрице и в объеме образцов, дрейфовых барьеров.
статья, добавлен 02.09.2013 Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013Доцільність застосування анодного процесу формування плівок кадмію сульфіду з електроліту на основі органічного апротонного розчинника. Принципова технологічна схема способу одержання тонких полікристалічних стрічок CdS і CdTe електролітичним способом.
автореферат, добавлен 29.08.2015Механізми фізичних процесів, що визначають спектральний розподіл фотоелектричної квантової ефективності, напругу розімкненого кола та коефіцієнт корисної дії тонкоплівкової гетеро структури. Можливість застосування тонкоплівкового CdTe в детекторах.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Физико-химические свойства "идеальных" кристаллических структур. Основные причины возникновения дефектов в кристаллах. Классификация и типы дефектов кристаллической решетки, их вредное влияние на свойства материалов и характеристики электронных приборов.
реферат, добавлен 27.02.2017Зависимость продолжительности линейного, обратного логарифмического, кубического, логарифмического участков от толщины пленок висмута в процессе облучения светом. Диаграмма энергетических зон. Фотохимические проявления фотоэлектрических процессов.
статья, добавлен 02.02.2019Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины плёнки на её электрофизические свойства. Создание структур "кремний на изоляторе", измерение методом эллипсометрии. Исследование электрофизических свойств структур в условиях анодного окисления.
дипломная работа, добавлен 15.10.2013Електронна та домішково-дефектна структура монокристалічних сполук ZnSe і CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів. Розробка моделі неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs, механізми рентгенолюмінесценції і рентгеночутливості.
автореферат, добавлен 22.04.2014Влияние температуры и точечных дефектов на свойства твердого тела. Исследование физико-химического механизма ионизации органических соединений азота, фосфора, мышьяка и серы на поверхности оксидов переходных металлов. Точечные дефекты в оксидах металлов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Основные сведения активационного метода, его основные свойства. Сущность наведения как процесс облучения нейтронами стабильных изотопов. Закон нарастания наведенной активности, основные задачи сечения. Порядок активации детекторов нейтронами, их расчет.
курсовая работа, добавлен 13.06.2013Зависимости логарифма скорости внедрения индентора при различных нагрузках от обратной температуры. Использование метода графоаналитического дифференцирования по программе "Grafdifer.exe". Воздействие ультрафиолетового облучения на пенополиуретан.
статья, добавлен 13.02.2020Анализ вклада космогенного излучения в формирование годовой эффективной дозы облучения в зависимости от высоты над уровнем моря. Доказательство экспоненциального возрастания дозы облучения с увеличением высоты. Эффект альбедо космогенных нейтронов.
статья, добавлен 25.03.2019Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014- 23. Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
Разработка модели и анализ результатов моделирования образования наноразмерных областей разупорядочения в кремнии при облучении потоком ионизирующих частиц с учётом параметров материала и условий облучения. Образование первичных радиационных дефектов.
автореферат, добавлен 27.07.2018 Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015- 25. Влияние облучения медленными электронами на состояние нанопленок KCl и LiF на поверхности Si(111)
Изучение и определение условий образования точечных дефектов и их кластеров на поверхности тонких нанопленок KCl и LiF, сформированных на поверхности Si(111) при облучении медленными электронами. Зависимости образования поверхностных точечных дефектов.
статья, добавлен 12.08.2020