Моделирование влияния температуры на устойчивость логических схем к воздействию тяжелых заряженных частиц
Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
Подобные документы
Методика измерения тока потребления инверторов. Способ измерения характеристик кольцевого генератора. Влияние радиации на параметры КМОП транзисторов. Определение параметров Spice модели. Моделирование схем инвертора и кольцевого генератора в LTspice.
курсовая работа, добавлен 28.11.2019Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019- 3. Электроника
Определение предмета и метода исследований электроники как части электротехники, использующей управление потоком электронов и заряженных частиц в электронных элементах. Природа физических процессов в электровакуумных и полупроводниковых устройствах.
презентация, добавлен 05.04.2020 Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Понятие электрического тока как направленного движение заряженных частиц. Виды потребления электроэнергии. Выбросы в атмосферу продуктов ископаемого топлива. Спутниковые наблюдения и дистанционное зондирование. Естественные экосистемы и их значение.
презентация, добавлен 24.05.2014Практическое использование магнетронов - электровакуумных приборов для генерации радиоволн сверхвысокой частоты, в электронике и радиотехнике, в радиолокационных станциях, для высокочастотного нагрева пищи и металлов, для ускорения заряженных частиц.
статья, добавлен 25.02.2019Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Высоковольтная импульсная техника, создание мощных импульсных источников питания для сильноточных ускорителей заряженных частиц в плазменных диодах. Образование вакуумного межэлектродного промежутка, связанного с питанием плазменного прерывателя.
научная работа, добавлен 17.01.2011Возникновение и основные этапы развития электроники как науки о взаимодействии заряженных частиц с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, используемых в основном для передачи, обработки и хранения информации.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018Получение основных характеристик КМОП-устройств, а именно инвертора и операционного усилителя под воздействием электрического стресса с помощью программного моделирования. Анализ старения КМОП-устройств. Инструменты для анализа временной деградации.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.
статья, добавлен 30.05.2017Влияние механоактивации на форму частиц, дисперсность и гранулометрический состав порошка Pd: уменьшение размера частиц, рост удельной поверхности. Режимы проведения механоактивации порошка Pd с целью его применения для получения металлосплавных катодов.
статья, добавлен 28.07.2017Исследование влияния электромагнитного поля на интенсивность шума биполярных транзисторов. Характеристика особенностей работы отечественных высокочастотных транзисторов в сильных электромагнитных полях с сохранением в поле хороших шумовых показателей.
статья, добавлен 22.03.2018Транзистор, его функциональные особенности. Возникновение транзисторов, их классификация и применение. Полевые транзисторы, расчёт и построение нагрузочной прямой. Биполярные транзисторы, расчёт усилительного каскада. Общие сведения об электронных ключах.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Электротехническое моделирование и его основание на точных математических моделях элементов электрической схемы. Доказательство алгоритмического подхода для решения задачи, основанный на обучении нейронной сети. Обеспечение аппроксимации функции.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015