Контактные явления в полупроводниках

Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.

Подобные документы

  • Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.

    автореферат, добавлен 31.03.2018

  • Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.

    реферат, добавлен 10.01.2018

  • Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.

    статья, добавлен 30.05.2017

  • Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.

    курсовая работа, добавлен 08.01.2018

  • Физические процессы на контакте "металл-полупроводник". Термоэлектронная эмиссия. Поверхностные состояния. Образования режимов обеднения, обогащения и инверсии в приповерхностном слое полупроводника. Зонные диаграммы, соответствующие этим режимам.

    реферат, добавлен 18.11.2015

  • Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.

    реферат, добавлен 23.10.2010

  • Общие сведения о полупроводниках - веществах, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Характеристики p-n-перехода. Суть процесса легирования – добавления посторонних элементов.

    лекция, добавлен 03.10.2012

  • Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Электрическая характеристика явления защелки. Создание больших, сверхбольших интегральных схем. Варианты масштабирования приборов со структурой металл-оксид-полупроводник. Исследование устойчивости сверхбольших интегральных схем к эффекту "защелкивания".

    статья, добавлен 08.04.2019

  • Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.

    реферат, добавлен 15.11.2009

  • Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.

    статья, добавлен 30.05.2017

  • Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.

    реферат, добавлен 01.04.2016

  • Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.

    отчет по практике, добавлен 04.10.2019

  • Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.

    курсовая работа, добавлен 25.09.2014

  • Методы кристаллизационной очистки в технологии очистки полупроводниковых материалов и металлов. Методы выращивания монокристаллов из расплавов. Метод Вернейля и Чохральского. Расчет кристаллизационной очистки в бинарных системах полупроводник-примесь.

    курсовая работа, добавлен 01.01.2014

  • Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.

    реферат, добавлен 27.01.2011

  • Разработка структурной схемы счетчика оборотов на эффекте Холла, проведение технологических экспериментов и анализ полученных результатов. Особенности эффекта Холла в ферромагнетиках, полупроводниках, а также при примесной и собственной проводимости.

    курсовая работа, добавлен 31.01.2015

  • Выращивание методом зонной плавки и исследование электрофизических параметров монокристаллов твердых растворов. Измерение вольтамперных, вольтемкостных, спектральных и других характеристик контактов. Изучение влияния содержания германия на контакты.

    автореферат, добавлен 24.05.2018

  • Термомагнитные явления в полупроводниках: поперечный и продольный эффекты Нернста - Эттингсгаузена. Термоэлектрические явления: эффекты Зеебека, Пельтье, Томпсона. Характеристика электронно-дырочного p-n перехода. Физический смысл эффектов Холла и Ганна.

    реферат, добавлен 23.03.2014

  • Исследование электрофизических свойств полуметаллов, в особенности висмута и сурьмы. Процессы протекания тока через точечные контакты металл-полуметалл bisb. Анализ участков отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристики.

    контрольная работа, добавлен 24.10.2010

  • Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.

    учебное пособие, добавлен 21.09.2018

  • Гальваномагнитные явления, магнетосопротивление, эффект Эттингсгаузена. Концентрация 3d-электронов проводимости в зависимости от энергии. Классический эффект Холла и его приложения. Двумерные металл-диэлектрик-полупроводники – структуры и гетероструктуры.

    учебное пособие, добавлен 12.02.2016

  • Общая теория гальваномагнитных явлений и магнетосопротивление. Классический эффект Холла в металлах, полупроводниках и ферромагнетиках, а также его приложениях в науке и технологии. Свойства и методика создания наносистем пониженной размерности.

    учебное пособие, добавлен 12.02.2016

  • Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.

    курс лекций, добавлен 20.08.2017

  • Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.

    курсовая работа, добавлен 10.04.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.