Технологический процесс полупроводникового производства
Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
Подобные документы
Современный технологический процесс изготовления печатной платы для автомата световых эффектов, разработка маршрутных и операционных карт, подбор ИМС, транзисторов и диодов. Технологические требования к паяным соединениям, выбор типа припоя и флюса.
курсовая работа, добавлен 31.07.2013Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Понятие транзисторов и необходимость в уменьшении из размеров. Технология производства микросхем и оптическая литография. Особенности процессоров с архитектурой Penryn. High-k диэлектрики, металлические затворы и другие особенности 45 нм процесса.
реферат, добавлен 08.12.2013Исследование главных классов микросхем, предназначенных для управления электронными устройствами. Анализ структуры процессорного ядра микроконтроллеров. Основная характеристика и преимущества архитектуры CISC. Существенные особенности RISC-процессоров.
курсовая работа, добавлен 12.12.2015Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Организация рабочего места и его обслуживание. Устройство и принцип действия. Технологический процесс измерение параметров полупроводниковых диодов прибором Л2-54. Подготовка прибора к работе. Техника безопасности при проведении электрорадиоизмерений.
курсовая работа, добавлен 26.11.2008Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015- 12. Защита кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем от воздействий внешней среды
Понятие и функциональные особенности интегральных микросхем, эксплуатационные и технологические требования к ним. Виды корпусов данных микросхем, современный этап развития: керамические, пластмассовые, металлополимерные. Методы герметизации пластмассами.
курсовая работа, добавлен 11.03.2012 Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Рассматриваются моющие рабочие позиции автоматических линий фотолитографии. Модернизация оборудования на базе линий фотолитографии на платах тонкопленочных микросборок и пластин с интеграцией генераторов пены, представляющих собой мехатроннное устройство.
статья, добавлен 29.12.2020Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Требования к технологичности и метрологическому обеспечению разработки, производства и эксплуатации. Стабилизация выходных напряжений импульсного блока питания. Выбор микросхем усилителя, резисторов, конденсаторов, силовых транзисторов, диодов.
курсовая работа, добавлен 22.11.2013Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.
доклад, добавлен 22.05.2016Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Основные этапы производства: выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей, тестирование, изготовление корпуса. Технологические этапы создания микропроцессоров. Процесс легирования и диффузии. Формирование структуры с помощью фотолитографии.
статья, добавлен 12.12.2012Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
презентация, добавлен 05.04.2020- 23. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.
реферат, добавлен 03.11.2016