Контактные явления. Р-n-переход
Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
Подобные документы
Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.
дипломная работа, добавлен 28.12.2016Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.
реферат, добавлен 22.11.2015Плотность электрического тока. Электродвижущая сила и напряжение. Контактная разность потенциалов. Работа, выполняемая сторонними силами по перемещению единичного положительного заряда вдоль замкнутой цепи. Закон Ома для однородного участка цепи.
лекция, добавлен 01.10.2015Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.
реферат, добавлен 22.01.2017- 10. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Взаимодействие дрейфующих носителей заряда с бегущей волной электрического поля методом последовательных приближений. Создание волн электрического поля при помощи систем, сопряженных с полупроводниковой средой и упругими волнами в пьезополупроводнике.
статья, добавлен 08.12.2018Поверхностная плотность электрического заряда, поле равномерно заряженной бесконечной плоскости. Потенциал и разность потенциалов электростатического поля. Работа по перемещению электрического заряда. Связь между напряженностью и разностью потенциалов.
лекция, добавлен 03.04.2019Связь плотности тока с концентрацией и скоростью упорядоченного движения носителей заряда. Необходимое условие существования электрического тока в замкнутой цепи. Характеристика закона Джоуля–Ленца. Механизм электропроводности в полупроводниках.
курс лекций, добавлен 26.03.2014- 16. Время релаксации
Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020 Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.
статья, добавлен 09.03.2015Беспорядочное тепловое движение электронов. Образование двойного электрического слоя на поверхности металла. Математическое выражение первого и второго законов Вольта. Контактная разность потенциалов, возникающая при соединении крайних проводников.
краткое изложение, добавлен 14.03.2014- 20. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Характеристика спектральной и пространственной оптической фильтрации. Анализ существования различных определений приемника излучения. Возникновение излучений в процессе рекомбинации носителей заряда, которые образуются при прохождении тока через диод.
статья, добавлен 02.02.2019Изучение и анализ циркуляции вектора напряжённости электрического поля. Характеристика потенциала поля точечного заряда и системы зарядов. Рассмотрение эквипотенциальных поверхностей. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля.
реферат, добавлен 24.10.2013Сущность электрического тока, магнитное поле. Действие тока, расчет его силы и плотности. Определение природы носителей тока в металлах. Электронная теория проводимости металлов. Зависимость сопротивления полупроводников и диэлектриков от температуры.
презентация, добавлен 21.06.2016Взаимодействие заряженных тел. Закон Кулона, закон сохранения электрического заряда. Напряженность электрического поля. Диэлектрики в электрическом поле, Разность потенциалов. Электрическое поле точечного заряда. Проводники в электрическом поле.
контрольная работа, добавлен 14.09.2015- 25. Р-п переходы
Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.
лекция, добавлен 29.10.2013