Контактные явления. Р-n-переход

Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.

Подобные документы

  • Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.

    отчет по практике, добавлен 04.10.2019

  • Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.

    дипломная работа, добавлен 28.12.2016

  • Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.

    реферат, добавлен 22.11.2015

  • Плотность электрического тока. Электродвижущая сила и напряжение. Контактная разность потенциалов. Работа, выполняемая сторонними силами по перемещению единичного положительного заряда вдоль замкнутой цепи. Закон Ома для однородного участка цепи.

    лекция, добавлен 01.10.2015

  • Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.

    методичка, добавлен 26.05.2015

  • Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.

    лекция, добавлен 04.12.2018

  • Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.

    реферат, добавлен 22.01.2017

  • Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.

    автореферат, добавлен 31.07.2018

  • Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.

    лекция, добавлен 11.11.2021

  • Взаимодействие дрейфующих носителей заряда с бегущей волной электрического поля методом последовательных приближений. Создание волн электрического поля при помощи систем, сопряженных с полупроводниковой средой и упругими волнами в пьезополупроводнике.

    статья, добавлен 08.12.2018

  • Связь плотности тока с концентрацией и скоростью упорядоченного движения носителей заряда. Необходимое условие существования электрического тока в замкнутой цепи. Характеристика закона Джоуля–Ленца. Механизм электропроводности в полупроводниках.

    курс лекций, добавлен 26.03.2014

  • Поверхностная плотность электрического заряда, поле равномерно заряженной бесконечной плоскости. Потенциал и разность потенциалов электростатического поля. Работа по перемещению электрического заряда. Связь между напряженностью и разностью потенциалов.

    лекция, добавлен 03.04.2019

  • Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.

    курсовая работа, добавлен 23.09.2020

  • Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.

    статья, добавлен 31.07.2018

  • Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.

    статья, добавлен 09.03.2015

  • Беспорядочное тепловое движение электронов. Образование двойного электрического слоя на поверхности металла. Математическое выражение первого и второго законов Вольта. Контактная разность потенциалов, возникающая при соединении крайних проводников.

    краткое изложение, добавлен 14.03.2014

  • Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.

    лекция, добавлен 25.09.2017

  • Характеристика спектральной и пространственной оптической фильтрации. Анализ существования различных определений приемника излучения. Возникновение излучений в процессе рекомбинации носителей заряда, которые образуются при прохождении тока через диод.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Изучение и анализ циркуляции вектора напряжённости электрического поля. Характеристика потенциала поля точечного заряда и системы зарядов. Рассмотрение эквипотенциальных поверхностей. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля.

    реферат, добавлен 24.10.2013

  • Сущность электрического тока, магнитное поле. Действие тока, расчет его силы и плотности. Определение природы носителей тока в металлах. Электронная теория проводимости металлов. Зависимость сопротивления полупроводников и диэлектриков от температуры.

    презентация, добавлен 21.06.2016

  • Взаимодействие заряженных тел. Закон Кулона, закон сохранения электрического заряда. Напряженность электрического поля. Диэлектрики в электрическом поле, Разность потенциалов. Электрическое поле точечного заряда. Проводники в электрическом поле.

    контрольная работа, добавлен 14.09.2015

  • Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.

    лекция, добавлен 29.10.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.