Обгрунтування технологічних режимів і параметрів пристрою для лазерного передпосівного опромінення насіння овочевих культур
Способи передпосівної стимуляції насіння овочевих культур і основні механізми дії стимулюючих факторів на проростання насіння. Експериментальні дослідження параметрів режимів імпульсного світлолазерного передпосівного опромінення насіння овочевих культур.
Подобные документы
Інформативні параметри якості сепарації насіння та метод керування електрообладнанням потокової насіннєочисної лінії за результатами аналізу зразка насіння. Алгоритмізація сприйняття зображення зразка, перетворення аналогової інформації у цифрову модель.
автореферат, добавлен 12.07.2014Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Аналіз енергетичної ефективності роботи технологічних схем об'ємного опромінення рідких середовищ. Визначення параметрів, за допомогою яких можна оцінити енергетичну ефективність конкретної технологічної схеми опромінення, що сприятиме її вдосконаленню.
статья, добавлен 30.01.2017Можливість шляхом впливу електромагнітних полів на біологічні об’єкти модифікувати біологічні показники насіння рослин, мікроорганізмів в залежності від їх вихідного стану. Залежність біологічного відгуку від частоти і спектральних характеристик сигналу.
автореферат, добавлен 29.08.2015Встановлення взаємодії лазерного випромінювання та оптимізації режимів і умов лазерного опромінення для ціленапрямленої модифікації. Дослідження впливу променів на поверхневі функціональні групи та зміна електронної підсистеми різної модифікації.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 6. Вплив лазерного опромінення на поведінку домішок і дефектів у Ві-заміщених ферит-ґранатових плівках
Дослідження та характеристика впливу лазерного опромінення на структуру неімплантованих ферит-ґранатових плівок. Виявлення змін дефектності з товщиною порушеного шару плівки-підкладки за допомогою рентґенодифрактометричних експериментальних досліджень.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розробка та виготовлення установки для високочастотного електромагнітного імпульсного опромінення композицій, що дозволяє дослідити вплив частоти, тривалості електромагнітного опромінення та напруженості поля на зміну властивостей епоксикомпозитів.
статья, добавлен 29.07.2016Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014Математична модель для розрахунку вихідних параметрів режиму установки. Аналіз вихідних параметрів, обґрунтування вибору режимів регулювання активної потужності, що забезпечують високі енергетичні показники. Вивчення режимів роботи індукційної установки.
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження природи хімічного зв’язку Si–Al при входженні кремнію в решітку за допомогою ab initio розрахунків. Взаємозв’язок квантово-хімічних параметрів і термодинамічних характеристик системи Si–Al. Утворення кластерів під дією нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Характеристика структурних змін у кристалах кремнію. Визначення параметрів методами опромінення, дифракції та акустичної взаємодії. Дослідження мікродефектів та природного старіння. Аналіз температурного гістерезису внутрішнього тертя і модуля зсуву.
автореферат, добавлен 29.07.2014Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження впливу імплантації іонами фтору в дозовому інтервалі. Вивчення імпульсного лазерного випромінювання наносекундної тривалості на кристалічну та магнітну мікроструктуру ферит-ґранатових плівок. Механізм формування деформованого шару фтору.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження еволюції смуг розсіяного світла та дифракції при утворенні періодичних структур у плівках As2S3–Ag під дією сфокусованого лазерного пучка. Вплив дії на плівку розсіяного в підкладку світла поза зоною опромінення плівки лазерним пучком.
автореферат, добавлен 05.08.2014Визначення номінальних параметрів трансформатора. Розрахунок параметрів для побудови залежності вторинної напруги від характеру навантаження, а також зовнішніх параметрів трансформаторів. Визначення допустимого навантаження при паралельній роботі.
контрольная работа, добавлен 10.12.2013Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
статья, добавлен 03.07.2016Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015- 21. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 З’ясування впливу попереднього опромінення на преципітацію кисню в кремнії. Підвищення стійкості кремнію для твердотільних детекторів ядерних випромінювань. Структурні, оптичні та електрофізичні властивості кремнію після нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Оцінка поведінки транзисторних структур у полі високоенергетичного опромінення. Деформація електричних сигналів, що поширюються в опромінених інтегральних схемах. Зміни ВАХ їх активних і пасивних компонентів. Вплив складного радіаційного фактору.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Дослідження відмінностей впливу опромінення електронами на оптичні та люмінесцентні властивості кристалів лейкосапфіру, вирощених видозміненим методом Кіропулоса. Вивчення сигналів термолюмінесценції за допомогою молібденових та ніобієвих екранів.
статья, добавлен 30.01.2016