Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами
Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
Подобные документы
Визначення за допомогою електронного парамагнітного резонансу локальної структури та зарядового стану домішок і власних дефектів в сегнетоелектричних матеріалах. Встановлення моделей парамагнітних центрів. Розрахунок параметрів кристалічного поля.
автореферат, добавлен 22.04.2014Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження факторів, які впливають на зарядовий стан домішки Gd у кристалах телуридів свинцю і олова і можуть змінювати його, а також можливі механізми і результати взаємодії легуючої домішки і системи власних дефектів легованих кристалічних матриць.
автореферат, добавлен 15.07.2014Визначення закономірностей впливу концентрації дефектів, електричного поля та механічних напружень на температурну та часову динаміку модульованої структури оптичними та діелектричними методами. Кристалічні ґратки і послідовність фаз у кристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Характеристика особливостей поширення світла в деформованих та дефектних рідкокристалічних структурах. Дослідження оптичної характеризації нових рідкокристалічних матеріалів, фаз і дефектів. Вивчення структурних перетворень дефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
статья, добавлен 08.10.2013Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Природа радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах шаруватого та острівного борату. Вплив активації монокристалів рідкісноземельним елементом на створення дефектів під впливом іонізуючого випромінювання, на оптичні та сцинтиляційні характеристики.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Процеси генерації, розсіювання і розповсюдження хвиль намагніченості в матеріалах (що містять дислокації, дефекти анізотропії) та у магнонних кристалах (матеріалах з періодичною модуляцією параметрів). Кінетика магнітних неоднорідностей в надпровідниках.
автореферат, добавлен 27.08.2014- 13. Структура та властивості парамагнітних центрів СО2 в біологічному та синтетичному гідроксилапатиті
Процеси трансформації основних радіаційно-індукованих парамагнітних дефектів в гідроксилапатиті (ГАП) з часом. Вплив термічної обробки на дефектну підсистему ГАП. Попередники (прекурсори) радіаційних дефектів та місця їх локалізації в гратці апатиту.
автореферат, добавлен 28.09.2015 Вивчення електронної будови і параметрів надтонкої взаємодії в аустеніті Fe-N з використанням методу функціоналу густини та першопринципних методів. Порівняння отриманих результатів з відомими інтерпретаціями експериментальних Мессбауерівських спектрів.
автореферат, добавлен 26.07.2014- 15. Природа люмінесценції та процеси старіння структур з кремнієвими наночастинками в оксидній матриці
Дослідження термостимульованих перетворень у системах SiOx, одержаних методом магнетронного розпилення, а також природи свічення та процесів старіння ряду низьковимірних кремнієвих систем. Обумовлення рекомбінації екситонів у кремнієвих нанокристалітах.
автореферат, добавлен 29.09.2015 Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
автореферат, добавлен 20.07.2015Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення фізичної суті механізму дегідроксилації (руйнування структурних ОН-груп) на атомному рівні в типових шаруватих OH-вміщуючих матеріалах при зовнішніх впливах. Дослідження впливу постійного електричного поля на дегідроксилацію таких структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015Проведення теоретичного дослідження резонансних ефектів, що виникають при взаємодії елементарних збуджень в кристалах (квазічастинок) з плоскими дефектами. З'ясування зв'язку між квазілокальним станом всередині суцільного спектра та поверхневими хвилями.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Феноменологічна динамічна модель залежностей повної інтегральної інтенсивності дифрагованого випромінення у вигнутих кристалах з дефектами від пружного циліндричного вигину та характеристик дефектів для граничного випадку кристала в геометрії за Лауе.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Вплив дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу. Виявлення фазових переходів, зумовлених взаємодією дефектів собою, встановлення специфіки прояву переходів в тонких шарах SnTe і НГ SnTe/PbTe.
автореферат, добавлен 23.11.2013