Розробка радіаційностійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію
Фотоелектричні пристрої широкого спектрального діапазону на основі селенідів індію та галію. Вплив високоенергетичного випромінювання на параметри фотодіодів та напівпровідники. Вплив лазерного випромінюванням на фотоелектричні параметри пристроїв.
Подобные документы
Удосконалення оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі нових науково-технічних рішень і розробці нових типів інжекційних фотодіодів. Аналіз методу підвищення фоточутливості діодів шляхом реалізації інжекційного підсилення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка нових підходів до конструювання та технології фотодіодів підвищеної надійності. Підвищення надійності p-i-n фотодіодів за рахунок ізоляції фоточутливого елементу та його охоронного кільця областю p+- типу від периферії кристалу фотодіоду.
автореферат, добавлен 31.01.2014Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016Структурна схема радіометричного вимірювача інтенсивності оптичного випромінювання на основі модуляційного перетворення параметра вхідного сигналу. Періодичне порівняння та оцінка чутливості і точності сигналів опорного та вимірювального фотодіодів.
статья, добавлен 13.02.2016Розробка математичної моделі для дослідження впливу фонового випромінювання на МПФ ОС та параметри розсіяного випромінювання, які впливають на МПФ. Розробка алгоритмів та експериментальне вимірювання функцій розсіювання випромінювання в елементах ОС.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розробка рідкокристалічних оптоелектронних пристроїв для координатного переміщення оптичного випромінювання. Текстурний та фазовий перехід в рідких кристалах. Розкручування гелікоїда за наявності температурного градієнта, електричного і магнітного полів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Фотоелектричні прилади на основі внутрішнього фотоефекту. Процес генерації вільних носіїв заряду. Довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Вольт-амперна характеристика звичайного p-n-переходу. Відсутність вхідного сигналу на базі транзистора.
контрольная работа, добавлен 12.05.2016Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розробка фізико-хімічних основ технології створення та функціональної діагностики кристалів і структур (приладів) для реєстрації та перетворення енергії інфрачервоного випромінювання на базі напівпровідникових сполук і вузькощілинних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію.
автореферат, добавлен 26.07.2014- 12. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Відображення однієї і пропуск іншої частини спектру випромінювання - принцип дії дихроічного фільтру. ПЗС-матриця - аналогова інтегральна мікросхема, що складається з світлочутливих фотодіодів і використовує технологію приладів із зарядовим зв'язком.
курсовая работа, добавлен 04.06.2015Методи математичного моделювання дозиметричних властивостей неохолоджуваних напівпровідникових детекторів. Розробка моделі процесів, що протікають в напівпровідникових детекторах при взаємодії з випромінюванням. Метод вимірювання дози випромінювання.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розробка електродинамічної ниткової моделі процесу збурення стороннім діелектричним тілом поля випромінювання. Створення нового принципу побудови радіохвильового давача на основі антени-автогенератора з модуляційним прийманням відбитого сигналу.
автореферат, добавлен 29.09.2015Функціональні вузли електрозв`язку. Пристрої підключення до лінії зв`язку. Протоколи фізичного рівня. Захист від шкідливих впливів. Розподіл напрямків передачі сигналів, реєстрація та регенерація. Параметри пристроїв поелементної і циклової синхронізації.
учебное пособие, добавлен 24.06.2014Встановлення рівня забруднення сполуки CdTe хімічними домішками в процесі отримання кристалів. Методики отримання детекторів іонізуючих випромінювань й оптоелектронних пристроїв. Вплив умов хімічної обробки кристалів ZnSe на параметри діодів Шоттки.
автореферат, добавлен 28.08.2015Порівняння експериментальних результатів досліджень амплітудних і частотних характеристик багатофункціональних параметричних зонних пристроїв. Розробка практичних рекомендацій по підвищенню швидкодії пристроїв на основі параметричних зонних систем.
автореферат, добавлен 23.08.2014Шляхи побудови ефективних термометричних калібраторів на основі активних імітаторів опору. Розробка методики аналізу та синтезу структур калібраторів електричних величин. Створення пристроїв автоматизованої повірки засобів вимірювання температури.
автореферат, добавлен 15.11.2013Аналіз методу підвищення завадостійкості приймальних пристроїв радіотехнічних комплексів та космічних каналів зв'язку, передачі даних в умовах трансіоносферного розповсюдження хвилі, на основі аналізу впливу збурень іоносфери землі на параметри сигналів.
автореферат, добавлен 27.09.2014Оптимізація структури елементів і пристроїв обчислювальної техніки на основі спільного використання класичного і альтернативних форм проектування. Розробка засобів оптимізації цифрових блоків на основі ізоморфізму логічних та кусково-постійних функцій.
автореферат, добавлен 22.06.2014Джерела могутнього оптичного випромінювання на основі магнітоплазмового компресора. Дослідження швидкоплинних процесів за допомогою швидкісного фоторегістратора СФР. Методика розрахунку енергетичної дози випромінювання, необхідної для очищення повітря.
реферат, добавлен 22.08.2011Аналіз процесу перетворення оптичного опромінювання в електричні сигнали. Пристрої обробки інформації. Дослідження транзисторних комбінованих елементів і пристроїв автоматики. Коефіцієнти максимально-досяжного підсилення потужності та стійкості УПІ.
автореферат, добавлен 10.09.2014Систематизація структур та засобів побудови арифметичних пристроїв різноманітних класів, дослідження їх властивостей. Розвиток і адаптація алгебри симетричних функцій. Розробка програм функціонально-логічного проектування арифметичних пристроїв.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 25. Архітектурно-структурна організація, розробка і застосування реконфігуровних пристроїв на базі ПЛІС
Теоретичні основи побудови реконфігуровних цифрових структур на основі однорідного середовища, включаючи систему формалізованих методик й алгоритмів синтезу параметричних модулів і закінчених функціональних пристроїв. Синтез адаптивних логічних мереж.
автореферат, добавлен 14.10.2015