Методи вирощування кристалів
Структура кристалів. Сполучення елементів симетрії структур. Грати Браве. Кристалографічні категорії, системи та сингонії. Як утворюються розплави. Вирощування монокристалів розплавів. Метод Вернейля, Чохральського. Метод твердофазної рекристалізації.
Подобные документы
Внутрішня будова та зовнішня форма кристалів. Внутрішній пристрій кристала. Поняття і сутність елементів симетрії, що характерні для кристалів: площина, центр і вісь симетрії. Священна сімка сингоній (систем). Поняття ідеального і реального кристалів.
реферат, добавлен 11.05.2014Встановлення закономірностей утворення дефектів кристалічної структури. Методи оптимізації параметрів процесу вирощування довгомірних лужно-галоїдних монокристалів максимального діаметру із поліпшеними структурними та сцинтиляційними характеристиками.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вплив радіаційного теплообміну на температурні умови вирощування оксидних кристалів з розплаву. Кінетична залежність швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні кристалів методом осьового теплового потоку на фронті кристалізації.
автореферат, добавлен 27.09.2014Дослідження кристалізаційних, структурних, спектроскопічних, люмінесцентних, нелінійно-оптичних, та генераційних властивостей кристалів боратів стронція. Отримання нової хімічної сполуки. Методика вирощування та дослідження структури нових монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Розробка фізико-технологічних основ вирощування нових монокристалів SrB4O7:Eu2+ та Li6Gd1-xYx(BO3)3:Eu3+. Вплив катіонної підґратки кристалів з каркасним типом структури SrB4O7:Eu2+ і острівцевим Li6Gd1-xYx(BO3)3:Eu3+ на процеси дефектоутворення.
автореферат, добавлен 14.09.2015Роль регулярних складових елементів кристалічної гратки та дефектів у формуванні оптичних характеристик (люмінесценція, поглинання, відбивання та діелектрична проникність) кристалів. Електронна структура ідеальних за будовою та дефектних кристалів PbWO4.
автореферат, добавлен 12.07.2014Взаємозв'язок між умовами вирощування, чистотою вихідної сировини й формуванням структури власних та домішкових точкових дефектів, які суттєво впливають на роботу приладів, виготовлених на сапфірових підкладках. Технологія оптимального розкрою кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Дослідження взаємодії оптичного випромінювання з періодично впорядкованими структурами. Основні методи створення фотонних кристалів. Головні характеристики фотонних кристалів та перспективи їх застосування. Характеристика тонких плоских зразків опалу.
реферат, добавлен 18.12.2020Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Проведення розділення коливань за типами симетрії, використовуючи метод класифікації коливних мод в надпросторовому підході. Отримання розкладу повного коливного зображення досліджуваного кристалу Hg3Te2Cl2 та його розклади по незвідних зображеннях.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження кристалічного просторового розташування матеріальних частинок: атомів, іонів або молекул. Геометричні закономірності форми макроскопічних кристалів. Фундаментальне поняття ґратки Браве. Фізичне вивчення структури кристалу типу алмаз.
курсовая работа, добавлен 06.08.2014Вирощування i комплексне дослідження оптико-фізичних властивостей великогабаритних i високоякісних монокристалів. Побудова карти деформаційної електронної густини безводних боратів літію. Ростові дефекти i вплив легування на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розгляд засад чисельно-експериментального дослідження кінетичної залежності швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні оксидних кристалів. Аналіз температурних умов на фронті кристалізації за допомогою радіаційного теплообміну.
автореферат, добавлен 29.01.2016Дослідження спектральних характеристик радіаційностійких кристалів окислів боратів бета–BaB2O4 та Li2B4O7, нелінійно-оптичних та гіротропних кристалів Ca3(VO4)2 та нелінійних кристалів GaP в умовах впливу полів імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 21.11.2013Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Вплив умов кристалізації на атомну будову поверхонь кристалів. Фактори, що впливають на рельєф плівок при рідкофазній епітаксії. Роль адсорбційних процесів при рості кристалів. Характеристика механізму утворення плівок шляхом конденсації з газової фази.
автореферат, добавлен 27.08.2015Роль фононної підсистеми у формуванні нелінійнооптичного відгуку монокристалів LiB3O5, b-BaB2O4 та Li2B4O7 та вироблення рекомендацій для прогнозування параметрів цих матеріалів. Структура ІЧ спектрів відбивання та спектрів розсіювання монокристалів.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 20. Світ симетрії
Роль симетрії у науковому пізнанні світу. Симетрія відносно прямої і площини. Дзеркально-поворотна і ковзна симетрії. Розрахунок дифракційної картини від кристалічної решітки. Кристало-хімічні і фізичні закономірності кристалів. Симетрія у світі атомів.
методичка, добавлен 26.08.2013 Особливості застосування ідей симетрії до фізичних явищ і проблем. Вплив симетрії на електропровідність кристалів. Простір і час та системи відліку. Симетрія і спеціальний принцип відносності. Інваріантність інтервалу відносно перетворень Лоренца.
методичка, добавлен 26.08.2013Результати діелектричних досліджень сегнетиелектричних кристалів CuIn1+гамаP2S6 в температурному інтервалі 293-450 К при дії гідростатичних тисків до р=300МПа. Етапи побудови фазової p,T-діаграми кристалів; причини її відхилення від лінійного закону.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Застосування ідей симетрії до фізичних явищ і проблем. Вплив симетрії на електропровідність кристалів. Простір і час; системи відліку. Спеціальний принцип відносності. Інваріантність інтервалу. Відомості про загальну теорію відносності. Сила інерції.
статья, добавлен 26.08.2013Вивчення структури одержаних нових рідкісноземельних монокристалів боратів. Визначення основних дозиметричних і сцинтиляційних характеристик одержаних кристалів. Дослідження механізму пластичної деформації монокристалів острівного та каркасного типів.
автореферат, добавлен 18.07.2015