Диод Ганна. Принцип действия, применение
Рассмотрение использования и конструкции диода Ганна. Анализ подходов выполнения низкоомных омических контактов, необходимых для подвода тока для работы диодов Ганна. Режимы использования генераторов на диоде Ганна в зависимости от питающего напряжения.
Подобные документы
Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016- 2. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Влияние температуры на прямую и обратную ветвь диода. Классификация диодов по их назначению. Основные параметры выпрямительных, импульсных диодов. Электрический и туннельный пробой. Время установления прямого напряжения на диоде (прямого сопротивления).
лекция, добавлен 06.09.2017Вольт-амперная характеристика диода. Применение двухполупериодного выпрямителя. Фильтры в источниках питания. Расщепление напряжения питания. Схема выпрямителей с умножением напряжения. Пример использования диодов. Индуктивные нагрузки и диодная защита.
лекция, добавлен 09.12.2013Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.
реферат, добавлен 17.06.2015Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.
курсовая работа, добавлен 07.12.2014Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.
методичка, добавлен 18.05.2010Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016- 18. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015- 20. Исследование вольтамперных характеристик выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона
Изучение принципа работы и исследование статистических вольтамперных характеристик выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона. Понятие электронно-дырочного перехода. Принцип действия, конструктивное выполнение и основные параметры диода.
методичка, добавлен 15.12.2014 Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.
реферат, добавлен 24.05.2015Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017- 24. Туннельный диод
Схематическое изображение туннельного диода, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Функции и работа стабилизаторов напряжения.
реферат, добавлен 17.03.2016 Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016