Фізико-технологічні основи одержання aiibvi сцинтиляторів, їхні властивості й особливості застосування

Визначення впливу надстехіометричних компонентів Zn, Se, Те та середовища попередньої термообробки шихти й кристалів ZnSe(ІВД) на вихідні характеристики халькогенідних сцинтиляторів. Властивості датчиків іонізуючих випромінювань на їхній основі.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.