Оже-электронная микроскопия поверхности: возможности, особенности, применение
Рассмотрение содержания эффекта Оже и глубины выхода оже-электронов. Реализация метода оже-спектроскопии и регистрация оже-электронов. Энергоанализаторы оже-электронов. Основное уравнение и количественная оже-спектроскопия. Применение оже-спектроскопии.
Подобные документы
Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
лекция, добавлен 26.10.2013Взаимодействие движущихся электронов с электрическим полем как основной процесс во всех электронных приборах. Характеристика движения электронов в вакууме в электрическом и магнитном полях, в ускоряющем и тормозящем поле, и в однородном поперечном поле.
контрольная работа, добавлен 18.04.2015Этапы развития методов исследования состава, структуры материалов микроэлектроники. Рассмотрение истории развития атомно-силовой микроскопии. Волновые функции электронов в атоме. Современная сканирующая туннельная микроскопия материалов микроэлектроники.
доклад, добавлен 22.12.2019Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.
курсовая работа, добавлен 24.09.2017Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.
учебное пособие, добавлен 11.10.2014Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Коэффициенты прохождения и отражения микрочастицы через барьер по законам квантовой механики. Роль туннельного эффекта в электронике. Энергетическая схема контакта металлов. Прохождение электронов в диэлектрическом слое. Процессы в туннельном диоде.
курсовая работа, добавлен 28.01.2014Рассмотрение процесса ускорения плотных электронных сгустков, получаемых путем ионизации тонких пленок электромагнитными импульсами. Метод ускорения сгустка последовательностью гауссовых импульсов, не имеющий ограничений на максимальное значение энергии.
статья, добавлен 04.11.2018- 10. Электроника
Определение предмета и метода исследований электроники как части электротехники, использующей управление потоком электронов и заряженных частиц в электронных элементах. Природа физических процессов в электровакуумных и полупроводниковых устройствах.
презентация, добавлен 05.04.2020 Основные причины развития нанотехнологии. Главные этапы развития информационных технологий и их реальная основа. Транзисторные схемы и их планарная реализация. Основные уровни энергии электронов в потенциальной яме и плотность энергетических состояний.
шпаргалка, добавлен 03.05.2019Общие сведения об инструментальных методах анализа. Чувствительность и селективность инструментальных методов анализа. Рассмотрение аналитических приборов регистрации сигналов. Описание атомной спектроскопии. Основы газожидкостной хроматографии.
лекция, добавлен 30.07.2015Расположение спектра частот между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонами как особенность терагерцового излучения. Способы увеличения температурного отклика болометра без изменения скорости. Технология изготовления эффекта горячих электронов.
дипломная работа, добавлен 30.06.2017Строение и принцип действия сканирующего зондового микроскопа. Обнаружение пьезоэлектрического эффекта в кристаллах в 1880 году. Схема возникновения тока туннелирования. Применение метода сканирования при помощи атомно-силового оптического прибора.
реферат, добавлен 09.11.2017Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Моделирование формирования сигналов на выходе фотоэлектронного устройства сцинтилляционного детектора. Проверка качества моделирования по статистике полного фотоэлектронного заряда единичных импульсов. Реализация выходного распределения потока электронов.
статья, добавлен 15.11.2018Электроника как наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями. Знакомство с особенностями биполярного транзистора ГТ310А, рассмотрение способов определения параметров. Анализ этапов построения нагрузочной прямой по постоянному току.
курсовая работа, добавлен 18.02.2020Описание метода и схемы растрового электронного микроскопа. Характеристика функциональных элементов камеры, схемы детектора эмитированных электронов. Анализ задач, решаемых с помощью растрового электронного микроскопа, его достоинств и недостатков.
презентация, добавлен 31.05.2016Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Принцип действия датчиков импульсных магнитных полей на основе эффектов Холла и магнитосопротивления. Основные причины движения электронов вдоль проводника. Особенности работы феррозондовых измерителей. Схема замещения индукционного преобразователя.
статья, добавлен 29.09.2016Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Движение электронов в ускоряющем электрическом поле. Анализ принципа действия триода. Схематическое устройство кинескопа для черно-белого телевидения. Кристаллическая структура полупроводника на плоскости. Классификация и маркировка транзисторов.
курс лекций, добавлен 09.07.2017Исследование топологии поверхности и структурного состояния горных пород и минералов. Способы интерпретации полученных изображений. Особенности изготовления шлифов нанообъектов. Устройство, схема и принцип работы растрового электронного микроскопа.
реферат, добавлен 30.10.2022Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019