Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники
Оценка влияния параметров процесса газофазного осаждения нитрида кремния (Si3N4) на механические напряжения пленок. Определение размерного фактора, позволяющего управлять чувствительностью гофрированной мембраны для миниатюрного акустического датчика.
Подобные документы
Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Современные научно-технические направления микросистемной техники (МСТ) и мехатроники (МТ). Сравнение концептуальных положений микросистемной техники и мехатроники. Критерии отнесения объектов к МСТ и МТ. Проблемы МСТ в связи с ее применением в МТ.
реферат, добавлен 30.03.2010Проведение исследования эффекта изменения вносимых параметров и коэффициента демпфирования колебаний мембраны. Характеристика мембранного измерительного преобразователя датчиков давления. Особенности эксплуатации измерителя напора в сложных условиях.
статья, добавлен 28.05.2017Анализ характеристик тонкопленочного тензорезисторного датчика давления. Повышение чувствительности в программе SolidWorks с помощью трехмерного моделирования методом конечных элементов на чувствительность базового элемента и модернезированного варианта.
статья, добавлен 25.05.2017- 6. Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники
Получение и исследование наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния, обладающих высокой фоточувствительностью и стабильностью. Расчет излучательной способности наноструктурированных пленок в видимом и инфракрасном диапазонах.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Нанесение изображения через маску 2-го уровня (углубление) используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление. Изучение осаждения 1-ого слоя оксида, используя LPCVD. Удаление ненужного поликремния, используя реактивное ионнное травление.
презентация, добавлен 26.10.2013- 8. Оптимизация параметров миниатюрного многолучевого клистрода с двухчастотным двухзазорным резонатором
Анализ основных результатов численного моделирования выходных характеристик миниатюрного четырехлучевого клистрода, предназначенного для работы в диапазоне частот 200-700 МГц с выходной непрерывной мощностью около 300 Вт в полосе усиления 8 МГц.
статья, добавлен 03.11.2018 Сущность элементов микросистемной техники как устройств с интегрированными в объеме или на поверхности твердого тела электрическими структурами. Технологические операции, используемые в микроэлектронике: окисление, фотолитография, травление, легирование.
лекция, добавлен 26.10.2013Рост популярности метод электрофоретического осаждения в микроэлектронике. Исследование преимуществ метода электрофоретического осаждения. Основные факторы, влияющие на процесс. Экспериментальное исследование процесса осаждения с заданным составом.
курсовая работа, добавлен 14.06.2018Средства противодействия наблюдению в оптическом диапазоне. Пассивные и активные средства контроля телефонных линий и цепей электропитания. Подавления опасных сигналов, вызванных побочным электромагнитным излучением. Защита акустического канала.
реферат, добавлен 22.01.2011Рассмотрение видов датчиков, применяющихся для измерения угловых перемещений. Проведение анализа влияния внешних факторов, таких как солнечный свет. Разработка макета датчика, позволяющего измерять угловое перемещение; его математическое моделирование.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019- 13. Повышение эффективности устройств формирования служебного напряжения в импульсных преобразователях
Осуществление классификации существующих схемных решений для устройств формирования служебного напряжения. Разработка PSpice-моделей основных топологий импульсных преобразователей напряжения со схемами устройств формирования служебного напряжения.
автореферат, добавлен 13.04.2018 Элементы управляющих устройств сверхвысотной частоты. Способы широкополосного согласования, принцип частотной компенсации. Коаксиальный тракт облучателя зеркальной антенны. Преимущества использования диапазона в согласовании активных, пассивных устройств.
курсовая работа, добавлен 02.07.2013Описание распределительных устройств высокого напряжения. Изучение основных характеристик и свойств элегаза и основных технических параметров элегазовых выключателей зарубежного производства. Применение элегазового коммутационного электрооборудования.
учебное пособие, добавлен 07.11.2014Расчёт параметров моста Вина и генератора синусоидальных колебаний. Расчет цепи выпрямителя, оценка влияния отклонения выходного напряжения на ±10% от установившегося значения, расчет усилителя мощности и определение точностных параметров устройства.
курсовая работа, добавлен 31.05.2012Методика определения мгновенного значения заряда на выводах пьезоэлектрического акселерометра интеллектуального датчика вибрации. Характеристика зависимости постоянной времени затухания переходного процесса от величины напряжения тестового импульса.
статья, добавлен 27.05.2018Переход от микро- к наноразмерным пленкам в электронике. Работа технологической установки для формирования наноразмерных пленок и диагностической рентгено-рефлектометрической системы. Контроль параметров растущих пленок в реальном времени их формирования.
лабораторная работа, добавлен 30.11.2018Определение значения сопротивления, предельно-допустимого напряжения коллектор-эмиттера, напряжения питания усилителя, параметров режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлении. Определение коэффициента нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 20.12.2012Обнаружение наличия фрактального сигнала в смеси с шумом и выполнение оценки параметров фрактала. Особенность спектрального анализа тестового акустического сигнала и определение его фрактальной размерности. Изучение схемы установки для передачи сигнала.
статья, добавлен 06.11.2018Краткая характеристика судовой электроэнергетической системы. Выбор устройств стабилизации параметров напряжения и частоты синхронного генератора. Подбор устройств автоматизации управления параллельной работой генераторов и автоматической защиты.
курсовая работа, добавлен 30.04.2014Сведения об авиационных генераторах. Выбор структурной схемы. Выбор датчика напряжения и схемы источника опорного напряжения, устройства сравнения и усилителя напряжения, схем усилителя мощности и регулирующего элемента. Эмиттерный переход транзистора.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Описание экспериментальной установки для измерения скорости звука. Рассмотрение внешнего вида приемно-передающего пьезопреобразователя. Измерение скорости звука при изменении одного из физических параметров воды. Конструкция акустического датчика.
статья, добавлен 30.07.2020Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.
статья, добавлен 29.07.2017Достоинства ионно-плазменного нанесения, его отличие от термовакуумного процесса. Устройства катодного распыления на постоянном токе, основные элементы магнетронных распылительных систем. Отличительные особенности осаждения пленок из ионных пучков.
курсовая работа, добавлен 17.05.2011