Шари складних сполук на поверхні Cu, GaAs та ZnSe, утворення яких індуковано жорстким ультрафіолетовим випромінюванням (100-300 нм) у атмосфері хлору
Процеси фазоутворення на поверхні Cu, GaAs, ZnSe в атмосфері хлору, стимульованих впливом УФ випромінювання. Дослідження залежності квантового виходу фотореакцій від тиску активного газу, температури підкладки, часу експозиції та енергії фотонів.
Подобные документы
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Апробація радіофізичних методів дистанційної діагностики хвильових процесів в атмосфері Землі та на поверхні океану. Схема двопозиційного короткохвильового радіозондування морської поверхні з використанням випромінювання наземних широкомовних станцій.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Вплив низькотемпературних методів виготовлення плівок систем Cu-In-Se та CuInSe2-ZnSe на їх фазовий склад та структуру для потреб геліоенергетики. Методика осадження плівок ZnSe на поверхні альфа-CIS для буферних шарів плівкових сонячних елементів.
автореферат, добавлен 13.08.2015Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розрахунок на основі моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини, температурної залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1–xAs / GaAs / AlxGa1–xAs різної товщини з різною концентрацією бар’єрного наноматеріалу.
статья, добавлен 23.12.2016- 9. Гідростатика
Вивчення властивостей гідростатичного тиску. Вираження залежності тиску в точці рідини в стані спокою від виду рідини і відстані точки від вільної поверхні. Визначення сили тиску рідини на плоску стінку. Сила тиску рідини на криволінійні поверхні.
лекция, добавлен 17.05.2015 Молекулярна теорія роботи виходу атомів з плоскої поверхні простої діелектричної рідини в газ. Взаємозв’язок роботи виходу атомів з поверхні простої рідини та критеріїв стійкості рідини. Мікроскопічна теорія поверхневої енергії крапель металічних рідин.
автореферат, добавлен 27.08.2014Залежність ефективності іммобілізації олігонуклеотидів на поверхні наночастинок золота, стабілізованих цитрат-іонами, від іонної сили середовища, температури та часу іммобілізації. Головні процеси, що проходять при підвищенні іонної сили середовища.
статья, добавлен 29.07.2016Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014Влив температури нітридизації, величини поруватості підкладок GaAs на кристалографічні, оптичні (комбінаційне розсіювання світла) властивості гетероепітаксійних плівок GaN. Залежність між величиною поруватості підкладок і типом кристалічної гратки плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розробка методики для контролю геометричного стану слабкорельєфної поверхні підкладинок методом багатокутової еліпсометрії. Дослідження чутливості еліпсометричного методу до визначення геометричних і оптичних параметрів квантово-розмірних структур.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження залежності властивостей ударних хвиль від магнітного параметру та характеру неоднорідності середовища. Розповсюдження плоскої магнітогазодинамічної хвилі в плоскошаруватій атмосфері. Рух плоскої поперечної хвилі в умовах з випромінюванням.
автореферат, добавлен 21.11.2013Вивчення методами мас-спектрометрії кремнієвих поверхонь мультикристалічних підкладок до і після електрохімічного травлення з використанням складної органічної сполуки. Дослідження поверхні мультикристалічної підкладки мас-спектроскопією вторинних іонів.
статья, добавлен 30.10.2016Аналіз електронних станів на основі параметрів фотовідгуку у приповерхневій області широкозонних матеріалів (алмазні полікристалічні плівки), при взаємодії з випромінюванням інфрачервоного регіону. Взаємодія спектральних параметрів джерел випромінювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Розрахунок поверхні Фермі двох металів: натрію і магнію. Обчислення енергії Фермі цих металів, швидкість електронів на поверхні, хвильовий вектор поверхні Фермі. Графіки залежностей енергії Фермі від кількості валентних електронів та від об’єму порожнеч.
курсовая работа, добавлен 01.09.2015Методи високоефективної плазмової нетермічної обробки поверхні діелектричних матеріалів, використання імпульсних високовольтних газових розрядів. Розробка пристроїв генерації плазми, вимірювання її властивостей та обробка поверхні для здійснення процесів.
автореферат, добавлен 26.08.2014Дослідження процесів, які призводять до утворення збуджених частинок, що відлітають від поверхні при взаємодії іонного пучка з твердим тілом. Використання методу іонно-фотонної спектроскопії для визначення параметрів електронної структури твердого тіла.
автореферат, добавлен 11.08.2015Процесс токопереноса в теории неупорядоченных конденсированных систем на примере пленочных структур In2O3-ZnSe-In, In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In. Процессы вакуумной конденсации пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe), (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3).
автореферат, добавлен 15.02.2018Аналіз фізичних чинників, що впливають на результати натурних інфрачервоних радіометричних вимірювань теплового випромінювання в системі море-атмосфера. Розроблення вимірювальних методик характеристик морської поверхні з необхідними рівнями точності.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження перебудови локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних та циліндричних квантових точках різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації. Аналіз матеріалу квантової точки, оточуючої матриці та зовнішнього тиску.
автореферат, добавлен 30.08.2014Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015