Напівпровідникові кристали для детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання.
Загальна характеристика дисертаційної роботи, опис виконання комплексних досліджень фізичних властивостей кристалів CZT. Вирощування кристалів з високим ступенем структурної досконалості. Параметри кристалів після травлення, аналіз отриманих результатів.
Подобные документы
Визначення основних причин деградації сцинтиляційних характеристик кристалів при використанні традиційних методів поверхневої обробки. Вивчення особливостей кореляції між ступенем непропорційності фотонного відгуку та енергетичним розділенням кристалів.
автореферат, добавлен 26.09.2014Закономірності впливу на діелектричні властивості кристалів ZnSe легуючих домішок Cr і Te та системи двовимірних дефектів структури. Контроль придатності кристалів Cd1-xZnxTe для дозиметрії іонізуючих випромінювань як етап технології їх виготовлення.
автореферат, добавлен 29.08.2015Оптимізація технології отримання високочистої сировини для вирощування органічних монокристалів і поліпшення характеристик сцинтиляційних детекторів на їх основі. Розробка засобів спрямованого відведення тепла для отримання великогабаритних кристалів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Розробка науково-обґрунтованих методів контролю деформацій, механічних напруг, структурної досконалості і створення на їх основі вимірювального та ростового устаткування та апаратури для контролю структурної досконалості напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Особливість застосування кристалів в науці і техніці. Виготовлення більшості напівпровідникових електронних приладів з кристалів германію або кремнію. Використання алмазів як опорного каменя (підшипника) в хронометрах вищого класу для морських судів.
реферат, добавлен 27.02.2023Вплив фізико-хімічних властивостей розчинів на процеси стійкого швидкісного росту кристалів, оптичне поглинання, світлорозсіювання та об'ємну лазерну міцність великогабаритних кристалів. Формування структурних дефектів у великогабаритних монокристалах.
автореферат, добавлен 25.09.2015Створення теплового вузла з двома роздільно керованими нагрівачами для вирощування напівпровідникових кристалів II-VI сполук із розплаву під тиском аргону до 100 атм будь-яким із трьох методів: за Бриджменом, зонною плавкою або градієнтним охолодженням.
автореферат, добавлен 07.03.2014Створення математичної моделі нестаціонарного процесу теплообміну та дифузійного масообміну між комірками сахарози й паровою бульбашкою в тривимірному (по координаті) випадку. Побудова об’ємної геометричної моделі більшого й меншого кристалів цукру.
статья, добавлен 13.08.2016- 9. Вирощування легованих монокристалів InSb і моделювання конвекції в розплаві при впливі ультразвуку
Характеристика основних фізичних і фізико-хімічних властивостей кристалів напівпровідникової сполуки InSb та їх розплаву. Структура домішкових шарів і способи зниження цих видів неоднорідностей. Методика вирощування монокристалів в ультразвуковому полі.
автореферат, добавлен 22.06.2014 - 10. Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію
Встановлення закономірностей впливу властивостей розплаву на кристалізацію монокристалів і розподіл домішок. Удосконалення методу отримання якісніших монокристалів кремнію з високим виходом готової продукції, на основі отриманих закономірностей.
автореферат, добавлен 25.08.2014 Комплексне дослідження діелектричного відгуку кристалів ZnSe і CZT та елементів на їх основі на комбіновані тестові впливи. Розробка моделі "реальний кристал – системний об’єкт". Ознаки внутрішніх електричних полів, що сформовані в кристалах ZnSe і CZT.
автореферат, добавлен 07.03.2014Вивчення дефектно-домішкового складу монокристалів алмазу різних типів, отриманих в ростових системах Fe-Co-Ti(Zr)-С, при різному вмісті Ti або Zr. Дослідження особливостей формування габітусу та утворення ростових дефектів при вирощуванні кристалів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Викладення процесу створення сцинтиелектронних блоків детектування іонізуючого випромінювання та приладів радіаційного контролю на їх основі з подальшим тиражуванням за заводською технологією; удосконалення технологічних операцій вирощування кристалів.
автореферат, добавлен 27.02.2014Методи отримання кристалів алмазу в лабораторних умовах за допомогою апаратури високого тиску та створення необхідного температурного градієнта. Технологічні та конструктивні параметри виготовлення розчинників. Виробничі режими вирощування алмазу.
автореферат, добавлен 29.08.2014Метод витягування кристалів із розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється в тиглях перемінного по висоті перетину. Автоматизовані універсальні установки та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних ЛГК великих діаметрів.
автореферат, добавлен 23.08.2014Технологічні параметри гідродинаміки та масообміну, що відбуваються при кристалізації неорганічних солей у класифікуючому кристалізаторі. Гідрокласифікація речовин у циліндроконічному апараті. Характеристика класифікованого змуленого шару кристалів.
автореферат, добавлен 23.11.2013Визначення впливу надстехіометричних компонентів Zn, Se, Те та середовища попередньої термообробки шихти й кристалів ZnSe(ІВД) на вихідні характеристики халькогенідних сцинтиляторів. Властивості датчиків іонізуючих випромінювань на їхній основі.
автореферат, добавлен 29.08.2014Технологія одержання надчистих структурно-досконалих монокристалів Si з електрофізичними параметрами для фотоприймачів і детекторів іонізуючих випромінювань на основі дослідження впливу технологічних факторів процесу бестигельного зонного вирощування.
автореферат, добавлен 25.04.2014Використання заевтектичних силумінів для виробництва поршнів двигунів внутрішнього згоряння. Формування в структурі грубих первинних кристалів кремнієвого твердого розчину. Врахування особливостей електронної будови сплавів у процесі модифікування.
автореферат, добавлен 28.08.2014Сутність, завдання матеріалознавства, основні методи вивчення будови і властивостей матеріалів. Кристалічне та аморфне тіло, види зв'язків у кристалах. Роль дислокацій при визначенні міцності кристалів, механічні властивості матеріалів, види деформації.
курс лекций, добавлен 17.01.2017Проведення роботи з вивчення властивостей рекуперативного нагрівального колодязя. Опис аспектів роботи даної установки на основі побудови її математичної моделі. Вивчення фізичних властивостей роботи установки і розрахунок налаштувань її ПІ-регулятора.
статья, добавлен 16.04.2021Оцінка впливу мікромеханічних властивостей монокристалів діелектричних матеріалів, структурної досконалості їх епітаксійних структур. Переміщення дислокацій у полі механічних напруг. Використання підкладок GaAs в вирощуванні діелектричних матеріалів.
автореферат, добавлен 24.02.2014Розгляд геометрії кристалів кварцу. Характеристика основних типів зрізів та їх класифікації, математичного апарату поворотів осей координат. Аналіз методики вимірювання просторового положення та орієнтації в просторі конструкцій кварцових резонаторів.
статья, добавлен 27.07.2016Розробка способу насичення сталей хромом і алюмінієм. Аналіз фазових, хімічних складів, структури і захисних властивостей покриттів. Дифузійне хромоалітування попередньо хромованої сталі. Мікротвердість карбідного шару після випробувань на жаростійкість.
статья, добавлен 23.12.2013Методи і технологічні особистості отримання полімерної та дисперсної сірки кислотним розкладом натрію тіосульфату в закритій системі. Аналіз морфології та дисперсності кристалів сірки, визначення швидкості розкладу політіонових кислот під тиском.
автореферат, добавлен 28.08.2015