3d - інтеркаляційна модифікація шаруватих кристалів для пристроїв спінтроніки та молекулярної енергетики
Формування інтеркалатних структур з почерговими фоточутливими напівпровідниковими і 3d-вмісними магнітоактивними нанопрошарками із забезпеченням магніторезистивного ефекту при кімнатній температурі, 3d-інтеркаляційного модифікування графітових кластерів.
Подобные документы
Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015- 3. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 - 4. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій та дифракції повільних електронів на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання шаруватих кристалів In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.
статья, добавлен 13.10.2016 Динаміка зміни спектру поглинання інтеркальованих шаруватих кристалів, вплив на неї структурних змін обумовлених інтеркаляцією та змін анізотропії електронного перемішування інтеркалянт-матриця. Прогнозування немонотонної зміни інтенсивності піку.
статья, добавлен 25.03.2016Прогнозування міцності і жорсткості шаруватих композицій для умов плоского напруженого стану з урахуванням залишкових термічних напружень. Термомеханічні характеристики окремого шару. Критерії міцності та статистична модель композиційних матеріалів.
автореферат, добавлен 28.08.2015Характеристика процесів взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до появи нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу частинок, які слабо дифундують в напівпровідникових конструкціях.
автореферат, добавлен 14.10.2015Процеси взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу домішок, що дифундують в напівпровідникових структурах. Утворення шару метал-діелектрик.
автореферат, добавлен 29.09.2014- 9. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Розвиток теорії лінійного та нелінійного оптичного відгука від неоднорідних магнітних середовищ. Огляд шаруватих бігіротропних середовищ, магнітних плівок з різними типами доменних структур, фотонних кристалів, ультратонких багатошарових структур.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження процесу відтворення ефекту емісії світла при агломерації та конденсації малих кластерів атомів Аg в матриці інертного газу, а також відображення послаблення ефекту впливу сусідніх атомів аргону на енергетичний стан збуджених кластерів срібла.
автореферат, добавлен 04.03.2014Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Встановлення змін властивостей шаруватих монокристалів InSe і GaSe та нанооб’єктів на їх основі при впровадженні в них водню, барію, йоду. Методи одержання нанорозмірних шаруватих сполук InSe і GaSe. Оптичні характеристики інтеркальованих монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Використання кристалів лангаситу і групи ніобату літію як робочих елементів оптоелектронних пристроїв керування лазерним випромінюванням. Покращення п’єзоелектричних і електрооптичних характеристик шляхом вивчення просторової анізотропії властивостей.
автореферат, добавлен 20.07.2015Специфіка механізму іонного розпилення поверхневих металевих кластерів з використанням методу молекулярної динаміки. Особливості моделювання розпилення іонами аргону низьких енергій металевих кластерів з поверхонь металевих монокристалічних підкладинок.
автореферат, добавлен 14.10.2015- 16. Відновлення профілю діелектричної проникності шаруватих структур за значенням коефіцієнта відбиття
Підвищення точності та швидкості способу параметричного спектрального аналізу при дослідженні частотних залежностей коефіцієнта відбиття від шаруватих діелектричних структур з кусково-сталим профілем. Отримання значень глибин залягання меж шарів.
автореферат, добавлен 29.07.2015 Вивчення пружніх властивостей кристалів, роль акустичних збуджень при фазових переходах. Розрахунок фононних спектрів та фазових переходів в сеґнетоелектриках. Особливості хімічного зв’язку при переході від кристалів з об’ємною морфологією до шаруватих.
автореферат, добавлен 25.08.2014Величина екранування поля спонтанної поляризації, що призводить до збільшення ролі флуктуацій параметру. Температурний гістерезис діелектричної проникності кристалів Li2Ge7O15 при температурі фазового переходу. Частотна дисперсія дебаєвського типу.
автореферат, добавлен 15.11.2013Модифікація фізичної моделі, створення програмного забезпечення для математичного моделювання констант розповсюдження хвильоводних мод в шаруватих діелектричних структурах та біметалічних структурах. Створення планарного поляризаційного інтерферометру.
автореферат, добавлен 25.06.2014- 20. Особливості діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектриках CuInP2S(Se)6
Знайомство з особливостями діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектриках CuInP2S(Se)6. Розгляд способів забезпечення умов стехіометричності для кристалів CuInP2S(Se)6. Загальна характеристика дефектів кристалічної гратки.
статья, добавлен 27.12.2016 - 21. Термодинаміка протонної моделі кристалів сім’ї KH2PO4 з тунелюванням і п’єзоелектричною взаємодією
Розробка статистичної теорії фазового переходу і термодинамічних властивостей сегнетоактивних недейтерованих кристалів. Модифікація протонної моделі з короткосяжними і далекосяжними взаємодіями. Отримання температурних залежностей спонтанних поляризації.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Дослідження впливу плоских дефектів на динамічні характеристики сильно анізотропних шаруватих кристалів, вивчення особливостей локалізації коливань у складних багатошарових сполуках. З’ясування особливостей фононних спектрів складних шаруватих систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Виявлення ознак та особливостей різноманітних математичних моделей шаруватих пластин і оболонок. Варіаційна постановка змішаних граничних задач для шаруватих структур як основа методу скінченних елементів. Визначення міжшарових контактних напружень.
автореферат, добавлен 05.01.2014Роль одномірних кристалів для тонкоплівкових шаруватих композицій. Особливості виготовлення рентгенооптичних елементів і функціональних твердотільних матеріалів. Засоби формування рентгенівських дзеркал для керування електромагнітним випромінюванням.
автореферат, добавлен 23.11.2013