Дозовые радиационные эффекты в комплементарной структуре металл-оксид-полупроводника и биполярных системах при воздействии факторов космического пространства
Главная характеристика дозовых действий в современных комплементарных и биполярных структурах. Особенность водородной и конверсионной моделей накопления поверхностных состояний. Расчет и моделирование эффекта низкой интенсивности в двухполюсных приборах.
Подобные документы
Электрическая характеристика явления защелки. Создание больших, сверхбольших интегральных схем. Варианты масштабирования приборов со структурой металл-оксид-полупроводник. Исследование устойчивости сверхбольших интегральных схем к эффекту "защелкивания".
статья, добавлен 08.04.2019Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2015Программируемая лабораторная измерительная система, ее структура и принцип работы. Рекомбинационные потери в биполярных микроэлектронных структурах. Эффекты продольного падения напряжения. Управление моп-транзистором по подложке в подпороговой области.
методичка, добавлен 12.05.2014Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Изучение влияния наночастиц металла на люминесценцию оксида цинка за счет эффекта поверхностного плазмонного резонанса. Иследование лазерного эффекта в случайно-неоднородных структурах оксида цинка. Особенности люминесценции оксида цинка в УФ-диапазоне.
дипломная работа, добавлен 08.10.2017Применение метода физического моделирования для решения задач электромагнитной совместимости электронных средств с участием макрообъектов. Главная особенность проектирования помех при электромагнитном воздействии на элементы металлоконструкции здания.
статья, добавлен 30.10.2018Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Распределение диэлектрической и магнитной проницаемостей в направляющих структурах. Анализ распространения поверхностных волн в нелинейных анизотропно-градиентных четырёхслойных планарных структурах. Решение волновых уравнений с учетом их взаимодействия.
статья, добавлен 28.07.2017Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Особенность применения элементов электронных схем. Характеристика биполярных и полевых транзисторов. Анализ устройства для формирования и аналого-цифрового преобразования сигналов. Сущность линейных конфигураций на основе операционных усилителей.
учебное пособие, добавлен 17.01.2015Расчет усилителя мощности с токовым бустером, емкостей разделительных конденсаторов, фильтров в цепях питания. Оценка усилительных свойств выходного каскада. Логарифмическая амплитудно-частотная характеристика промежуточного каскада. Электрическая схема.
курсовая работа, добавлен 23.11.2013Классическая схема операционного усилителя. Принципиальная схема усилителя мощности на 50 Вт. Схема усилителя мощности с истоковым повторителем. Симметричная схема усиления на биполярных транзисторах. Схема Энтони Холтона и Эдвина Пайя и другие.
лекция, добавлен 14.11.2014Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Основной физический механизм компенсации эффекта сдвига фазы отражения. Проект фильтра с разными длинами волн путем изменения толщины диэлектрических слоев. Экспериментальная реализация всенаправленного NBF в традиционной структуре металл-диэлектрик.
статья, добавлен 11.03.2011Туннельные эффекты в одномерных системах с дискретным спектром. Критерий билокализации волновых функций. Математическое обоснование расщепления спектра и локализации состояний при координатном и импульсном туннелировании в одномерных квантовых системах.
диссертация, добавлен 28.12.2016Моделирование пьезоэлектрического генератора, который является элементом устройства накопления энергии. Исследование зависимости собственных частот и выходного напряжения от геометрических размеров. Анализ упрощенных моделей учета инерционной массы.
статья, добавлен 27.07.2017Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017Исследование основных аспектов проектирования входного широкополосного RC-усилителя, источником сигнала которого является генератор тока. Определение цепей питания фотодиода. Предварительный расчет каскадов по постоянному току на биполярных транзисторах.
курсовая работа, добавлен 07.05.2014Исследование и моделирование оптимального поворота космического корабля с упруго защемленными крыльями солнечных батарей вокруг продольной оси корпуса с исключением колебаний (крыльев и корабля) в конечном состоянии. Анализ полученного результата.
статья, добавлен 05.12.2013Предварительный расчет резисторов по постоянному току. Проверка расчета по постоянному току каскадов на биполярных транзисторах V3 и V4 с помощью компьютера. Вычисление усилителя на переменном токе, построение амплитудно-частотной характеристики.
курсовая работа, добавлен 09.03.2021Физические процессы на контакте "металл-полупроводник". Термоэлектронная эмиссия. Поверхностные состояния. Образования режимов обеднения, обогащения и инверсии в приповерхностном слое полупроводника. Зонные диаграммы, соответствующие этим режимам.
реферат, добавлен 18.11.2015- 25. Численное моделирование процессов формирования электронных пучков в аксиально-симметричных системах
Общая методика моделирования процессов формирования электронных пучков в аксиально-симметричных системах, апробированная в численных экспериментах в заданных интервалах напряжений на фокусирующих электродах и ее реализация в электронно-лучевых приборах.
статья, добавлен 13.10.2016