Свойства полупроводниковых материалов

Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.

Подобные документы

  • Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.

    методичка, добавлен 26.05.2015

  • Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.

    курсовая работа, добавлен 29.05.2024

  • Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.

    статья, добавлен 09.03.2015

  • Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.

    статья, добавлен 04.01.2021

  • Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.

    реферат, добавлен 23.12.2015

  • Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.

    лекция, добавлен 04.12.2018

  • Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.

    отчет по практике, добавлен 04.10.2019

  • Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.

    лабораторная работа, добавлен 29.11.2010

  • Расчет температурной зависимости проводимости Gep-типа при заданных условиях. Время релаксации при рассеянии на ионах примеси. Взаимодействие электрона с колебаниями решетки. Температурная зависимость подвижности электронов с учетом рассеяния на фононах.

    курсовая работа, добавлен 30.05.2016

  • Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.

    дипломная работа, добавлен 30.05.2014

  • Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.

    дипломная работа, добавлен 28.12.2016

  • Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.

    автореферат, добавлен 29.03.2013

  • Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.

    реферат, добавлен 10.01.2018

  • Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.

    реферат, добавлен 15.11.2009

  • Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.

    автореферат, добавлен 18.11.2018

  • Процесс переноса заряда под действием электрического поля. Связь плотности тока с дрейфовой скоростью. Зависимость удельной проводимости от напряжения (тензорезистивный эффект). Расчет тензоров деформации для алмазоподобных кристаллов на примере кремния.

    статья, добавлен 27.11.2018

  • Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.

    курс лекций, добавлен 15.09.2017

  • Изучение электрических и диэлектрических свойств природного клиноптилолита Амурской области. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости, проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь. Характер выхода молекул воды из матрицы цеолитов.

    статья, добавлен 26.01.2021

  • Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.

    реферат, добавлен 22.01.2017

  • Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.

    реферат, добавлен 05.11.2017

  • Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины плёнки на её электрофизические свойства. Создание структур "кремний на изоляторе", измерение методом эллипсометрии. Исследование электрофизических свойств структур в условиях анодного окисления.

    дипломная работа, добавлен 15.10.2013

  • Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.

    курсовая работа, добавлен 25.09.2014

  • Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.

    реферат, добавлен 30.10.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.