Осаждение нитрида кремния
Нанесение изображения через маску 2-го уровня (углубление) используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление. Изучение осаждения 1-ого слоя оксида, используя LPCVD. Удаление ненужного поликремния, используя реактивное ионнное травление.
Подобные документы
Сравнение технологии, которая позволяет вести телефонные разговоры, используя IP-сеть передачи данных с традиционной телефонией. Исследование основных типов IP-телефонов. Перечень стандартных функций VoIP-шлюзов. Основные протоколы транспортного уровня.
курсовая работа, добавлен 24.02.2020Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Рост популярности метод электрофоретического осаждения в микроэлектронике. Исследование преимуществ метода электрофоретического осаждения. Основные факторы, влияющие на процесс. Экспериментальное исследование процесса осаждения с заданным составом.
курсовая работа, добавлен 14.06.2018Оценка влияния параметров процесса газофазного осаждения нитрида кремния (Si3N4) на механические напряжения пленок. Определение размерного фактора, позволяющего управлять чувствительностью гофрированной мембраны для миниатюрного акустического датчика.
автореферат, добавлен 31.07.2018Изучение особенностей записи, хранения, воспроизведения звука, используя любой микроконтроллер AVR с АЦП, память AT45DB161 DataFlash и несколько внешних компонентов. Анализ особенностей аналогового сигнала. Схема соединения микроконтроллера и памяти.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2017Написание структурной формулы в дизъюнктивной форме, используя метод тождественных преобразований и табличный метод, основанный на применении карт Карно. Составление таблицы истинности не полностью определенной булевой функции четырех переменных.
контрольная работа, добавлен 20.01.2016Создание и расчет асинхронного и синхронного автоматов по Мили и по Муру, используя заданную последовательность сигналов. Составление таблицы переходов, кодирование состояний. Определение входных сигналов триггеров и функций выхода цифрового автомата.
контрольная работа, добавлен 27.03.2012Рассмотрение последовательности изготовления патч-корда, используя материалы и оборудование: кримпер, сетевой кабель (неэкранированная витая пара UTP5), коннекторы. Изучение схемы обрезки проводников витой пары и цветовой схемы кроссовер-кабеля.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2015- 10. Исследование резонансного усилителя и генератора гармонических колебаний с низкочастотным гиратором
Структура гиратора как электронного устройства, имитирующего свойства катушки индуктивности. Получение усилителя с резонансной частотной характеристикой или генератора колебаний. Определение значения генерируемой частоты, используя фигуры Лиссажу.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015 Нахождение коэффициента направленного действия (КНД) пирамидальной рупорной антенны, используя зеркальный метод Парсела. Сравнение полученных экспериментальных результатов с результатами теоретических расчетов. Обсуждение причин возможных расхождений.
лабораторная работа, добавлен 20.05.2022Характеристика методов улучшения точности позиционирования транспортного средства, используя ограниченный набор сенсоров и карту в условиях плохого GPS-сигнала. Системы спутниковой навигации. Сравнение результатов фильтра частиц с фильтром Калмана.
статья, добавлен 14.07.2020Синтезировать регулятор, используя метод моментов, метод матричных операторов, спектральный метод, метод минимизации функционала в частотной области и метод минимизации функционала во временной области. Для системы синтезировать модальный регулятор.
курсовая работа, добавлен 21.01.2009Сущность элементов микросистемной техники как устройств с интегрированными в объеме или на поверхности твердого тела электрическими структурами. Технологические операции, используемые в микроэлектронике: окисление, фотолитография, травление, легирование.
лекция, добавлен 26.10.2013Конструкторская классификация составных частей радиоэлектронной аппаратуры, схемотехнические элементы, их компоновка и взаимосвязь. Технология печатных плат. Метод травления меди с проблемных мест. Искажение профиля печатных проводников при травлении.
контрольная работа, добавлен 20.09.2012Характеристика кремниевой объёмной микрообработки. Рассмотрение маскирования полимерами и тонкими плёнками. Изучение прохождения химического осаждения из паровой фазы при пониженном давлении поликристаллического кремния или фосфорокварцевого стекла.
лекция, добавлен 26.10.2013Определение физико-химических свойств материалов для изготовления ступенчатых волноводов методами плавления стекла, его парофазного (внешнего, осевого) и плазменного осаждения. Изучение строения оптоволоконного кабеля и его защиты от внешних факторов.
реферат, добавлен 27.11.2009Послойная структура многослойных плат. Гибкость при распределении сигнальных слоев и плоскостей питания. Функциональные требования к модулю. Стандартные материалы, применяемые при изготовлении печатных плат. Травление структуры печатных проводников.
реферат, добавлен 25.04.2017Свойства пористого фосфида индия, энергетические параметры его монокристаллической фазы. Травление фосфида индия в кислых средах. Электрохимическая обработка монокристаллов фосфида индия. Создание быстродействующих интегральных схем малой энергоемкости.
статья, добавлен 24.02.2016Апробация методов, необходимых для создания прибора на основе микроконтроллера. Составление принципиальной электрической схемы электронного устройства. Подбор оптимального раствора для травления печатных плат. Написание программы для микроконтроллера.
творческая работа, добавлен 03.05.2019Изучение влияния помех, возникающих независимо от формирования изображения оптической системой, на качество отображения, восстанавливаемое методом опорного изображения. Виды искажений, которые локализуются на пространственном спектре изображения.
статья, добавлен 30.10.2018Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.
доклад, добавлен 22.05.2016Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Исследование влияния шума и ошибок в определении аппаратной функции на восстановление изображения с помощью метода опорного изображения и фильтрации по методу Винера. Негативное влияние помех различного происхождения на процесс формирования изображений.
статья, добавлен 30.10.2018