Процессы прилипания неравновесных носителей
Влияние уровней прилипания на стационарный (установившийся) фототок и стационарную фотопроводимость. Изменение релаксации фототока при наличии медленных центров захвата и при сильном заполнении уровней прилипания. Термостимулированное опустошение ловушек.
Подобные документы
Временная и дозовая кинетика туннельной релаксации неравновесных приграничных заряженных дефектов в изоляторах. Описание логарифмической туннельной релаксации как интеграла свертки по профилю мощности дозы с точной импульсной функцией линейного отклика.
статья, добавлен 23.11.2022Длина экранирования Дебая. Распределение концентрации носителей, заряда и поля в частично освещенном полупроводнике. Распределение носителей в однородном образце при генерации их светом. Спектральное распределение фототока. Появление диффузионного тока.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Решение задач повышения адсорбции и селективности. Исследование кондуктометрических сенсоров с чувствительным слоем на основе полупроводника. Анализ влияния глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне на увеличение газовой чувствительности.
статья, добавлен 29.06.2017Конструктивно-технологические и схемотехнические решения совместного использования цифровых ИМС различных серий. Обеспечение совместимости уровней цифровых элементов при проектировании микроэлектронной аппаратуры на цифровых интегральных микросхемах.
реферат, добавлен 10.02.2013Особенности использования буферных микросхем приемников (с гистерезисом) и передатчиков двуполярного сигнала для взаимного преобразования уровней интерфейса RS-232C и логики. Условия и особенности применения преобразователей уровней фирмы Maxim и Sypex.
реферат, добавлен 01.11.2016Определение границы диапазонов частот, занимаемых нижними боковыми полосами сигналов. Особенности назначения элементов передающей и приемной станции в структурной схеме. Расчет уровней передачи и приема для усилителя, построение диаграммы уровней.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
реферат, добавлен 08.06.2016Анализ уровней передачи и затухания четырехполюсников. Обзор диаграмм уровней канала. Исследование основных характеристик первичных сигналов. Построение систем передачи с частотным и временным разделением каналов. Применение импульсно-кодовой модуляции.
курсовая работа, добавлен 21.12.2016Вычисление скорости и коэффициента поглощения ультразвука в магнитной жидкости на основе воды при воздействии однородного постоянного магнитного поля. Зависимость натурального логарифма относительного времени релаксации от напряженности магнитного поля.
статья, добавлен 07.11.2018Распространение гидродинамических волн в магнитной жидкости с учетом релаксации магнитного поля к своему равновесному значению. Анизотропия скорости распространения ультразвука в магнитной жидкости. Коэффициент поглощения ультразвука в магнитной жидкости.
статья, добавлен 07.11.2018Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Феноменологические модельные представления о механизме генерации неравновесных точечных дефектов и теория количественных оценок. Анализ термодинамических стимулов такой генерации и оценка кинетических факторов, при которых процесс может быть реализован.
автореферат, добавлен 02.03.2018Сравнительный анализ вероятности наведения высокоточного оружия с тепловыми и оптическими головками самонаведения на малоразмерный стационарный объект в отсутствие и при наличии ложных целей, создающих помеховый фон. Изучение основных видов помех.
статья, добавлен 14.07.2016Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Описание схемы стеганографической системы защиты информации на основе прямого расширения спектра с минимальным изменением пикселей изображения и его максимальном заполнении. Применение корректирующих кодов для уменьшения ошибок встроенной информации.
статья, добавлен 07.03.2019Указано, что при попытках улучшения качества изображений различными методами, большое значение имеют ошибки, возникающие при оцифровке аналогового сигнала. Влияние шума вызванного квантованием яркости изображения на процесс повышения качества изображений.
статья, добавлен 30.10.2018Влияние периодического изменения сигнально-помеховой обстановки на эффективность функционирования протоколов канального и сетевого уровней в системе связи. Протокол маршрутизации информационных потоков. Обоснование способов помехозащиты сетей связи.
статья, добавлен 30.10.2018Влияние тока накачки на амплитуды выходных сигналов, частоту подставки, ширину статической зоны захвата и смещение нуля в кольцевом зеемановском лазере на чистом изотопе Ne. Энергопотребление датчиков. Повышение точности зеемановских лазерных гироскопов.
статья, добавлен 28.10.2018Появление микроконтроллеров с ядром ARM. Векторный контроллер прерываний. Технология интеллектуального управления энергопотреблением. Стоимость как функция уровней интеграции. Рассмотрение архитектуры различных микроконтроллеров, ядра, памяти и питания.
реферат, добавлен 19.05.2012Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Особенность исследования основных свойств инфокоммуникационных технологий. Изучение стратифицированного подхода в инфокоммуникациях. Характеристика уровней сетевой модели OSI. Содержание семиуровневой эталонной концепции взаимодействия открытых систем.
реферат, добавлен 01.12.2015Основные физические явления, используемые в квантовых приборах. Населенности энергетических уровней при термодинамическом равновесии. Переходы микрочастиц между энергетическими уровнями. Квантовые парамагнитные усилители. Квантовые стандарты частоты.
учебное пособие, добавлен 10.12.2013Скорость современных сетевых адаптеров. Распределенные вычисления в сети. Виды и стандарты сетей, их преимущества и недостатки. Специализированные серверы. Резервное копирование данных. Аппаратное обеспечение и взаимодействие уровней модели OSI.
реферат, добавлен 11.03.2013Функциональная схема универсального расширителя импульсов. Разработка принципиальной схемы устройства. Формирователь импульса с использованием триггера Шмитта. Области допустимых уровней сигнала на микросхеме. Связь между видеоимпульсами, радиоимпульсами.
курсовая работа, добавлен 08.11.2017