Розроблення елементів сенсорної техніки на основі структур кремній-на-ізоляторі та мікрокристалів кремнію, модифікованих домішками бору і нікелю
Характеристика електрофізичних властивостей структур кремній-на-ізоляторі та мікрокристалів кремнію у широкому інтервалі температур на постійному та змінному струмах. Аналіз передумов розроблення фізичних основ створення мікроелектронних сенсорів.
Подобные документы
Дослідження поведінки забруднюючих металевих домішок в процесі вирощування монокристала кремнію за методом Чохральського та технологічних операцій виготовлення мікроелектронних приладів. Посилення вхідного контролю кінцевої частини монокристалів кремнію.
статья, добавлен 24.06.2022Розробка методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі низьких температур 4,2-77 К в полях з індукцією до 14 Тл. Осциляції Шубнікова-де-Гааза. Ефективна циклотронна маса електронів.
статья, добавлен 29.09.2016Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Оцінка дефектності та прогнозування виходу придатних мікроелектронних пристроїв. Аналіз напівпровідникової структури. Методика забезпечення технологічності мікроелектронних пристроїв та засобів контролю дефектності структур і стабільності їх елементів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Експериментальне дослідження та комп’ютерне моделювання вихідних і світлових діодних параметрів лабораторних зразків фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію з p+-i-n+ структурою. Аналіз електронної моделі перетворювача.
статья, добавлен 23.12.2016Методи розрахунку потенціалів, напруженості поля та траєкторій електронів і заряджених іонів з врахуванням потенціалів електродів та мікронерівностей поверхні мікрокатоду. Розробка і верифікація топології схеми керування, інтегрованої з мікрокатодом.
автореферат, добавлен 14.08.2015Дослідження низькотемпературного транспорту носіїв заряду і деформаційно-стимульованих ефектів в алмазоподібних напівпровідниках. Аналіз впливу магнітного поля на зміну механізму транспорту носіїв заряду в кремнії та германії за низьких температур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Рекомбінаційні параметри у пластинах кремнію в залежності від їх термічної передісторії високотемпературних обробок. Оптимізація технологічних процесів виготовлення сонячних елементів і фотоелектричних модулів з використанням кремнієвого матеріалу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
статья, добавлен 18.02.2016Аналіз радіовимірювальних перетворювачів температури, тиску, магнітного поля, оптичного випромінювання та систематизація відомих теоретичних підходів, покладених в основу їх побудови. Розроблення математичних моделей перетворювачів, та їх перевірка.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розроблення конструкції вертикального МОН-транзистора керованого малопотужним сигналом з р-каналом, який дозволяє отримати високу густину упаковки елементів. Оптимізація технологічних методів одержання перемикальних МОН-структур з подвійною дифузією.
автореферат, добавлен 04.03.2014Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016Закономірності впливу зовнішніх дестабілізуючих чинників на п’єзорезистивні властивості НК Si р-типу як матеріалу, придатного для розроблення сенсорів механічних величин. Зміна енергії активації домішкової провідності під дією одновісної деформації.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розроблення теоретичного базису створення нерекурсивних цифрових фільтрів шумоподібних сигналів (НЦФ ШПС) на основі матриць передаточних функцій. Створення програмних засобів комп’ютерного моделювання систем керування із використанням структур НЦФ ШПС.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження умов переносу нерівноважних дірок і стабілізації процесу формування макропор протягом електрохімічного травлення кремнієвих пластин при зона-зонному освітленні. Вивчення структури, хімічного складу та фотолюмінесценції поверхні макропор.
автореферат, добавлен 24.06.2014Підтвердження високої довгострокової стабільності параметрів платинових сенсорів. Доцільність індивідуального калібрування сенсорів на міжповірочний інтервал часу. Формули оцінки необхідної точності визначення індивідуальних значень параметрів сенсорів.
статья, добавлен 28.09.2016Розроблення біоелектронних, біохімічних, схемотехнічних моделей процесів, що протікають у біологічних тканинах; способів агрегатування електронних і комп’ютерних методів накопичення і аналізу біологічних проб у діагностуванні захворювань муковісцидозом.
автореферат, добавлен 24.02.2014Аналіз стану розвитку аналогових твердотільних інтегральних схем для сенсорної техніки. Алгоритм дослідження впливу механічних компонентів конструкції сенсорних пристроїв на їх параметри. Розподіл світлового потоку між фотоелементами акселерометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Розробка технологічних термообробок кристалічних сполук АIIВVI для керованої зміни їх оптичних і електрофізичних властивостей з метою застосувань в оптоелектроніці. Оптимальні режими отримання структурно досконалих однорідних плівок ZnO оптичної якості.
автореферат, добавлен 06.07.2014Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Порівняння ефективності електромагнітних кристалів на основі неоднорідностей з традиційними рішеннями на основі мікросмужкової лінії. Аналіз обмежень ефективності традиційних мікросмужкових структур. Комп’ютерне моделювання в CST Microwave Studio.
статья, добавлен 30.10.2016- 25. Хімічні сенсори
Огляд систем і матеріалів для створення хімічних сенсорів. Вивчення принципів їх роботи, типів й конструкції. Описання нових сенсорів на основі точкових мікроконтактів. Вибір ацетонітрилу як розчинника для утворення чутливого шару сенсорного елемента.
курсовая работа, добавлен 28.12.2015