Фізичні основи, принцип дії та параметри фотоелектронних приладів
Визначення поняття фотоелектронного приладу та види зовнішнього фотоефекту. Аналіз законів фотоелектронної емісії та характеристик фотокатода. Характеристика електровакуумних та напівпровідникових фотоелементів. Вивчення фотоелектронних помножувачів.
Подобные документы
Основні напрямки застосування фотоефекту у наці та техніці. Принципи дії та застосування вакуумних, напівпровідникових та вентильних фотоелементів. Фотоелементи у вигляді сонячних батарей. Застосування фотоефекту для реєстрації і зміни світлових потоків.
презентация, добавлен 18.06.2023- 2. Вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента
Аналіз основних рис фотопровідності, явищ зовнішнього й внутрішнього фотоефекту. Дослідження законів внутрішнього фотоефекту на прикладі одержання вольт-амперної і світлової характеристик напівпровідникового фотоопору. Розрахунок його питомої чутливості.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017 Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Дослідження сучасних законів зовнішнього фотоефекту. Вольт-амперні характеристики фотоелемента для трьох різних положень лампочки. Залежність падіння напруги на пристрої від струму, що в ньому протікає. Вивчення інтегральної чутливості фотоелемента.
лабораторная работа, добавлен 07.07.2017Фактори, які впливають на режими генерації електровакуумних приладів зі схрещеними полями, що знаходять широке застосування в промисловості, зв’язку, медицині та побуті. Визначення показників якості електровакуумних приладів М-типу, їх блок-схема.
статья, добавлен 19.06.2018Дослідження закономірностей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих та компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Умови експлуатації мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Основи фізики напівпровідникових приладів. Атомна фізика та квантова механіка. Класифікація твердих тіл за структурою, хімічним зв'язком та провідністю. Зонна діаграма напівпровідника. Принципи роботи діодів та фізичні основи роботи транзисторів.
методичка, добавлен 24.06.2014Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Принцип дії приладів магнітоелектричної системи - дія магнітного поля постійного магніту на рухому котушку, по якій протікає струм. Будова та принципи робити приладу електромагнітної системи. Функціональні особливості та можливості теплових приладів.
реферат, добавлен 12.12.2013Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012Енергетичні стани квантових систем. Оптичні елементи квантових приладів. Методи утворення від`ємних температур. Активні середовища квантових приладів. Фізичні явища, що використовуються для прийому лазерного випромінювання. Основи нелінійної оптики.
методичка, добавлен 18.04.2014Вивчення основних фізичних закономірностей, що визначають принцип роботи і основні параметри тиристорів на підставі аналізу вольт-амперних характеристик динистора і тринистора. Основні характеристики, призначення та області застосування тиристора.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2012Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Процеси, які відбуваються в електронній лампі при постійному струмі розжарення катода. Суть явища термоелектронної емісії. Фактори, від яких залежить термоелектронний струм насичення. Визначення основних параметрів тріода, зняття анодних характеристик.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Принципова оптична схема спектрального приладу. Спектроскоп, спектрограф, спектрометр, монохроматор. Загальне поняття про лінійну дисперсію, зв'язок з роздільною здатністю. Молекулярний спектральний аналіз. Основні задачі теорії спектральних приладів.
реферат, добавлен 10.02.2013Розробка теорії варизонних напівпровідникових приладів з гетеропереходом. Вивчення ефектів міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів. Визначення параметрів енергетичного зазору між долинами. Підвищення граничної частоти генерації.
автореферат, добавлен 27.08.2015Опис принципу дії плитки зі східчастим регулюванням температури, приладів для кип'ятіння води, опалювальних приладів, стаціонарних кухонних плит. Особливості під’єднання побутових приладів до мережі. Принципи автоматичного регулювання температури праски.
реферат, добавлен 18.02.2011Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Вивчення застосування явища поверхневого плазмон-поляритонного резонансу в тонких шарах золота та срібла. Вплив оптичних параметрів шаруватої структури на чутливість сенсору та дослідження впливу зовнішнього електричного потенціалу на параметри сенсору.
автореферат, добавлен 27.04.2014Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Методика розрахунку характеристик простого двокаскадного помножувача. Електростатичний генератор Ван де Граафа — прискорювач заряджених частинок, в якому для створення високої постійної напруги використовується фізичний процес електризації тертям.
контрольная работа, добавлен 14.07.2017Виявлення наявності істотного струмового перегріву активної області інфрачервоних випромінювачів відносно корпуса приладу. Встановлення взаємозв'язку інжекційно-термічних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових випромінювачах ІЧ – діапазону.
автореферат, добавлен 29.07.2014Принцип дії, основні параметри ФЕП та методика їх вимірювання за навантажувальної характеристики. Виготовлення сонячного елементу. Імітатори сонячного випромінювання. Розгляд вольт-амперної характеристики. Відкриття явища внутрішнього фотоефекту.
курсовая работа, добавлен 14.05.2013Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Опис лічильників електричної енергії (типу СТ-ЕА12, лічильника багатотарифного однофазного 2104.02.20 РТ), їх параметри і головні модифікації. Зовнішня перевірка стану цього приладу і схоронності пломб. Види повірки і характерні особливості її проведення.
контрольная работа, добавлен 19.05.2013