Исследование ключевых схем на биполярных транзисторах
Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
Подобные документы
Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Применение принципа каскадирования звеньев второго порядка с абсолютно высокой чувствительностью амплитудно- и фазочастотных характеристик в полосе пропускания. Влияние малосигнальных параметров биполярных транзисторов на параметры усилительных каскадов.
статья, добавлен 30.05.2017Навыки работы в автоматизированной среде Multisim 10. Разработка и исследование мультивибратора на биполярных транзисторах одной проводимости. Исследование компаратора на основе операционного усилителя. Разработка одновибратора в интегральном исполнении.
курсовая работа, добавлен 22.06.2012Исчисление напряжения насыщения и отпирания транзистора, статических уровней выходного напряжения для ненагруженного ключа. Зависимость длительности фронта включения, стадии рассасывания и протяжности фронта выключения от амплитуды входных импульсов.
контрольная работа, добавлен 23.12.2010Создание операционного усилителя с хорошим коэффициентом усиления для схемы с общим эмиттером. Использование метода дифференциального каскада для борьбы с температурным дрейфом в биполярных транзисторах. Значение синфазного сигнала. Характеристики ОУ.
лекция, добавлен 01.09.2013Технические показатели усилителей. Обратная связь и ее влияние на параметры усилителя. Схемы каскадов на биполярных и полевых транзисторах. Методы высокочастотной коррекции. Каскады с эмиттерной и стоковой нагрузками. Непосредственные связи в усилителях.
курс лекций, добавлен 16.05.2015Изучение состава усилителей на полевых транзисторах. Амплитудно-частотная характеристика усилителя. Исследование схемы усилительного каскада на полевом транзисторе с общим истоком. Анализ различия между емкостью разделительного конденсатора и транзистора.
лекция, добавлен 04.10.2013Усилитель - один из основных узлов различной аппаратуры в устройствах автоматики, телемеханики, вычислительной и информационно-измерительной техники. Расчет двухтактного бестрансформаторного усилителя мощности на биполярных комплементарных транзисторах.
курсовая работа, добавлен 10.01.2023Схема усилительного каскада. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. Напряжение между базой и эмиттером, входное сопротивление каскада.
контрольная работа, добавлен 24.12.2012Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Изучение схемы балансового каскада с активной нагрузкой, построенной на трех транзисторах. Анализ пути передачи входного сигнала. Определение сопротивления нагрузки транзистора. Защита балансных каскадов от большого дифференциального сигнала на их входах.
лекция, добавлен 04.10.2013Этапы разработки схемы топологии полупроводниковой ИМС. Конструктивно-технологические ограничения при разработке на биполярных транзисторах. Минимально допустимые размеры. Правила проектирования изолированных областей, учет их количества и размеров.
реферат, добавлен 13.06.2009Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.
лекция, добавлен 23.09.2016Принципиальная схема двухтактного усилительного каскада на биполярных транзисторах с общим эмиттером и питанием от одного источника. Амплитудно-частотная и фазовая характеристики спроектированного усилителя, измерение коэффициента нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 28.06.2015Основные технологические этапы построения схемы И-НЕ на n-МОП транзисторах. Характеристика схемы нагрузочного и активного транзистора. Этапы расчета емкости перекрытия каналов. Особенности расчета схемы при помощи программы P-Spice, параметры схемы.
контрольная работа, добавлен 27.05.2012Проведение исследований принципа действия, измерения характеристик и определения основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Крутизна характеристики прямой передачи. Дифференциальное сопротивление стока, коэффициент усиления.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2016Разработка проекта интегрирующего усилителя на основе операционного усилителя с выходным каскадом на транзисторах. Проведение графоаналитического расчета выходного каскада. Описание интегратора усилителя и анализ параметров усиления по напряжению и току.
курсовая работа, добавлен 15.07.2012Схема резистивного каскада с общим эмиттером. Тип транзистора и электрический расчёт транзисторного усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе: определение сопротивления нагрузки в цепи коллектора, емкости конденсатора, тока в цепи делителя.
контрольная работа, добавлен 05.12.2012Причины выбора принципиальной схемы на транзисторах. Методика определения амплитудных значений тока на нагрузке в усилителе мощности. Расчет величины резисторов защиты и эмиттерного повторителя на транзисторах. Технология изготовления печатной платы.
курсовая работа, добавлен 14.01.2015Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Основные статические параметры транзистора. Показатели динамического режима транзисторного усилителя. Принципиальная схема усилительного каскада. Расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Определение параметров схемы мультивибратора.
контрольная работа, добавлен 03.06.2018Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Основные логические операции, используемые в цифровых устройствах. Построение электронных ключей на транзисторах. Принципиальная схема инвертора с инжекционным питанием, его передаточная характеристика. Определение уровня логического нуля и единицы.
реферат, добавлен 24.04.2017Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013