Явища генерації і переносу в неідеальних гетероструктурах і створення на їх основі сенсорів зображень нового типу
Теорія збудження і переносу нерівноважних носіїв струму в неідеальних гетеропереходах. Створення ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображення нового типу. Виготовлення перетворювача сигналів оптичного зображення із внутрішнім посиленням.
Подобные документы
Вивчення особливостей переносу заряду в квантових гетероструктурах на основі сполук А3В5 під дією освітлення, додаткового електричного потенціалу та наявності носіїв заряду обох знаків. Особливості побудови моделі електрично-індукованої надгратки.
автореферат, добавлен 06.07.2014Експериментальний та теоретичний аналіз спектрів оптичного пропускання в епітаксійних плівках Hg1-xCdxTe з різним характером та величиною градієнта складу. Дослідження механізмів темнового струму і спектрів шуму в довгохвильових фотодіодах n+-p-типу.
автореферат, добавлен 12.02.2014- 3. Електричні та газочутливі властивості точково-контактних сенсорів на основі органічних провідників
Дослідження електричної провідності сенсорів у рівноважному стані та під впливом складної газової суміші, якою є газ, що видихається людиною. Створення передумов для розробки точково-контактних газочутливих сенсорів для аналізу видихуваного газу.
статья, добавлен 30.01.2016 Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014Вивчення електронного транспорту в одно- та двобар'єрних квантових гетероструктурах типу AlxGa1-xN/GaN. Дослідження фізичних явищ, що виникають в умовах сильних магнітних і електричних полів при кріогенних температурах, як особливостей переносу заряду.
автореферат, добавлен 20.07.2015Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Аналіз галузі побудови сенсорів на основі RFID-технології. Перспективні технічні рішення. Основні параметри такого роду сенсорів та проведення їх узагальненої класифікації. Детальний аналіз ринку виробництва сенсорів, що базуються на RFID-технології.
статья, добавлен 28.02.2017- 9. Реакційно-дифузійні процеси в системах з поверхнею поділу "метал-газ": квантово-статистичний опис
Теорія процесів переносу для систем типу "метал–адсорбат–газ". Квантово-статистична теорія рівноважних характеристик металевих систем. Розрахунок рівноважних функцій розподілу електронів. Процеси переносу електронної підсистеми напівобмеженого металу.
автореферат, добавлен 26.08.2015 Спектри фотолюмінесценції виготовлених зразків залежно від температури та інтенсивності оптичного збудження. Механізми випромінювальної рекомбінації нерівноважних носіїв заряду, що відповідають за окремі смуги фотолюмінесценції нанокристалів CdS.
статья, добавлен 13.10.2016Фізичні основи оптичного зв'язку. Випромінювальні напівпровідникові прилади та їх фізичні характеристики. Умови генерації світла лазерними діодами. Засоби модуляції оптичного випромінювання. Властивості поширення світла у світловодах, вікна прозорості.
методичка, добавлен 24.06.2014Дослідження опису генерації оптичного випромінювання у напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивними і квантоворозмірними активними шарами, взаємодії оптичного випромінювання з матеріалом активних елементів волоконно-оптичних систем.
автореферат, добавлен 22.04.2014Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Механізм трансформації енергії оптичного випромінювання. Розробка методичного підходу до керування енергетичною дією оптичного випромінювання на тварин в процесі їх вирощування на основі аналізу явища фотореактивації і положень квантової біофізики.
статья, добавлен 30.01.2017Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Створення мікроелектронних хімічних біосенсорiв. Розробка високочутливих селективних аналізаторів іонів важких металів. Вивчення впливу парів аміаку на електропровідність плівок поліаніліну. Комп’ютерне моделювання зміни поверхневого потенціалу сенсорів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Створення дифракційної моделі розсіювання оптичного випромінювання з урахуванням фазових та поляризаційних змін хвилі при відбиванні від локальних дефектів поверхні. Реалізація сенсорів хвильового фронту з підвищеними чутливістю та просторовою здатністю.
автореферат, добавлен 25.07.2015Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз недоліків сенсорів на основі полімерних сегнетоелектриків. Знайомство з сучасними методами дослідження властивостей сенсорів. Розгляд закономірностей формування і релаксації поляризованого стану в сенсорах на основі полімерних сегнетоелектриків.
автореферат, добавлен 26.09.2015З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Явища, що виникають при резонансній дифракції на одновимірних металевих ґратках. Заглушення дзеркального відбиття і ефектів, що можуть його супроводжувати. Спектральні залежності інтенсивності та поляризації. Сигнали у сучасних лініях оптичного зв’язку.
автореферат, добавлен 30.08.2014Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Математичне моделювання збудження у плазмі кільватерних полів періодичною послідовністю релятивістських електронних згустків, довгим РЕЗ внаслідок його само модуляції та формування стаціонарних нерівноважних розподілів кулонівськи взаємодіючих частинок.
автореферат, добавлен 07.03.2014Взаємодія світла з плоскою та мікрорельєфною межею резонансного поділу. Моделювання сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу. Зміни параметрів тонких плівок золота та каліксаренів при адсорбції органічних розчинників із насичених парів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014