Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
Подобные документы
Оптичні та структурні властивості тонких кремнієвих та германієвих шарів. Самоіндукований ріст Si/Ge наноострівців, утворення акустичних фотонів та вплив інтердифузії на компонентний склад і пружну деформацію, її визначення за допомогою спектроскопії.
автореферат, добавлен 27.07.2014In the visible range observed at high excitation levels originates from two-electron recombination transitions in the hole liquid. The critical temperature of the dipolar is substantially less than the spatially. The binding energy of free biexcitons.
статья, добавлен 30.07.2016Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015Дослідження взаємодії ЕМВ з багатошаровими покриттями твердого тіла, виконаного із благородних металів. Фільтруючі властивості багатошарових покриттів, використання їх при створенні елементів електронної техніки. Експерименти по розробці таких елементів.
статья, добавлен 19.03.2014Дослідження опису генерації оптичного випромінювання у напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивними і квантоворозмірними активними шарами, взаємодії оптичного випромінювання з матеріалом активних елементів волоконно-оптичних систем.
автореферат, добавлен 22.04.2014- 6. Вплив H, C, N і Si на електронну структуру та фізичні властивості кристалів на основі сполук Fe і Cr
Спін-поляризований розрахунок енергетичної зонної структури і рентгенівських емісійних спектрів нітрида заліза Fe4N. Релятивістський розрахунок цементиту Fe3C. Обчислення енергетичної зонної структури і енергії когезії сплавів CrNiFe2Hx (x = 0, 2, 4).
автореферат, добавлен 18.11.2013 Розрахунок енергії мінізон надграток з різними співвідношеннями товщин шарів. Теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій, що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Вплив деформації на зміну енергії носіїв заряду в гетероструктурах.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження схеми та принципу роботи волоконно-оптичного давача деформації на основі багатомодового полімерного оптичного волокна. Аналіз залежностей коефіцієнта кореляції спекл-картин від параметрів оптичного волокна та довжини хвилі випромінювання.
статья, добавлен 23.09.2016Механізм трансформації енергії оптичного випромінювання. Розробка методичного підходу до керування енергетичною дією оптичного випромінювання на тварин в процесі їх вирощування на основі аналізу явища фотореактивації і положень квантової біофізики.
статья, добавлен 30.01.2017Експериментальний та теоретичний аналіз спектрів оптичного пропускання в епітаксійних плівках Hg1-xCdxTe з різним характером та величиною градієнта складу. Дослідження механізмів темнового струму і спектрів шуму в довгохвильових фотодіодах n+-p-типу.
автореферат, добавлен 12.02.2014Динаміка заселеності енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання, вплив часу життя рівнів і механізму релаксації. Розрахунок модуляційних спектрів оптичного поглинання для інтерпретації спектрів п'єзофотопровідності.
автореферат, добавлен 04.03.2014Аналіз електронних станів на основі параметрів фотовідгуку у приповерхневій області широкозонних матеріалів (алмазні полікристалічні плівки), при взаємодії з випромінюванням інфрачервоного регіону. Взаємодія спектральних параметрів джерел випромінювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вплив ефектів деполяризації оптичного випромінювання на визначення оптичної системи людського ока. Метод модуляційної поляриметрії. Поляризаційна характеристика розсіяної енергії електромагнітних хвиль. Корекція зору при передачі різних типів даних.
автореферат, добавлен 14.09.2014Аналіз ефективності генерації далекого інфро-червоного випромінювання низькорозмірними напівпровідниковими гетероструктурами та ультратонкими металевими плівками, використовуючи нелінійні ефекти, міжпідзонні електронні переходи в металевих плівках.
автореферат, добавлен 22.06.2014Виявлення залежності спектрів та хвильових функцій електронів від геометричних розмірів складових частин багатошарових сферичних наногетеросистем. Дослідження особливостей локалізації електронів та дірок у періодичних сферичних наногетеросистемах.
автореферат, добавлен 04.03.2014Методика розрахунку зонної структури та встановлення повної діаграми дисперсії енергетичних зон. Визначення рівноважних параметрів основного стану та атомних показників броміду індію. Аналіз спектрів діелектричних функцій експериментальних оптимумів.
автореферат, добавлен 28.06.2014Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Оцінка спектрів генерації випромінювання на моногалогенідах. Властивості отриманих ізотопних молекул. Розгляд особливостей випромінювання променів на моногалогенідах інертних газів. Вплив магнітного поля на спектр електричного розряду ексимерного лазеру.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розгляд характеристик класифікації випромінювання оптичного діапазону: інфрачервоного, ультрафіолетового та лазерного. Визначення основних заходів та засобів захисту від опромінення. Встановлення джерел випромінювання та їх впливу на організм людини.
реферат, добавлен 12.05.2015Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014