Исследование полупроводниковых диодов

Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.

Подобные документы

  • Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов. Вольтамперные характеристики германиевых и кремниевых диодов. Схема однополупериодного выпрямителя с параллельным включением диодов. Классификация выпрямительных диодов по мощности.

    лекция, добавлен 19.06.2010

  • Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.

    реферат, добавлен 20.10.2009

  • Реальная вольтамперная характеристика германиевых и кремниевых диодов. Важнейшая особенность изменения температуры при фиксированном токе. Анализ номинального напряжения стабилизации. Основная сущность схемы тиристорной структуры и стабилитрона.

    лабораторная работа, добавлен 06.03.2015

  • Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.

    лабораторная работа, добавлен 28.12.2014

  • Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.

    контрольная работа, добавлен 27.10.2015

  • Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.

    лабораторная работа, добавлен 06.07.2015

  • Классификация и область применения полупроводниковых диодов. Выпрямления переменного тока частотой от 50 до 100 килогерц. Расчет цепи, состоящей из последовательно соединенных диодов. Проектирование стабилизатора напряжения на интегральной микросхеме.

    контрольная работа, добавлен 20.02.2014

  • Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.

    реферат, добавлен 16.05.2016

  • Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.

    методичка, добавлен 25.12.2012

  • Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).

    лабораторная работа, добавлен 25.06.2015

  • Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.

    курсовая работа, добавлен 24.12.2015

  • Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.

    лабораторная работа, добавлен 07.02.2016

  • Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.

    методичка, добавлен 08.09.2015

  • Формирование неповторяющегося импульса ударного тока большой величины, базирующейся на использовании принципа дискретной суперпозиции зарядов в электрической цепи обмотки. Испытание силовых полупроводниковых диодов на устойчивость к его воздействию.

    статья, добавлен 10.04.2018

  • Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.

    контрольная работа, добавлен 29.10.2010

  • Рассмотрение основных параметров и характеристик диодов. Определение технологии применения диодов для выпрямления переменного тока. Характеристика удвоителя напряжения на базе двухполупериодного выпрямителя. Структурные схемы источников питания.

    презентация, добавлен 27.09.2017

  • Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.

    курс лекций, добавлен 28.08.2017

  • Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.

    курс лекций, добавлен 20.08.2017

  • Характеристика электронных, полупроводниковых, магнитных, пневматических и гидравлических усилителей. Использование полупроводниковых диодов в качестве генераторных узлов. Резонансный усилитель на туннельном диоде в составе входного узла приемника.

    реферат, добавлен 10.10.2012

  • Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.

    презентация, добавлен 23.06.2013

  • Особенности и преимущества светоизлучающих диодов по сравнению с другими электрическими источниками света, их спектральные характеристики и промышленное применение. Типичные структуры и параметры излучателей, используемых в современных оптронах.

    реферат, добавлен 11.11.2009

  • Параметры и характеристики диодов, их классификация и функциональные особенности. Основные статические и динамические параметры данных устройств. Физические закономерности, положенные в основу их работы, схемы выпрямления. Схема двуполярного питания.

    реферат, добавлен 27.06.2015

  • Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.

    контрольная работа, добавлен 03.09.2012

  • Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.

    реферат, добавлен 20.11.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.