Адсорбційна чутливість напівпровідникових матеріалів групи А2В6, оксидів важких металів та поруватого кремнію з реальною поверхнею з кластерними структурами
Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
Подобные документы
Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Створення плівок поруватого кремнію електрохімічним методом. Характеристика електричних та оптичних властивостей прозорих плівкових оксидів. Застосування технології вологого хімічного та парового осадження при виготовленні головних ясних покрить.
диссертация, добавлен 01.01.2017Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Вивчення дії механічних напружень підкладки на люмінесцентні властивості сформованого на ній поруватого шару. Дослідження впливу хімічної обробки зразків поруватого кремнію на ефективність їх фотолюмінесценції. Аналіз впливу атмосферного середовища.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження електро- та фотофізичних властивостей плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу і гетерополіядерних комплексів з координованими іонами металів. Здійснення голографічного запису.
автореферат, добавлен 30.07.2015- 9. Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту
Дослідження електричних та фотоелектричних характеристик сендвіч-структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Виявлення збільшення електропровідності експериментальних структур, а також, величини фотоерс та фотоструму.
статья, добавлен 23.12.2016 З’ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологості, водними розчинами з різними рівнями кислотності. Чутливість інтенсивності фотолюмінесценції до спіральних структур полінуклеотидів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вплив кристалографічної орієнтації монокристалічного кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію в процесі анодизації. Механізми струмопереносу та випромінювальної рекомбінації. Особливості характеристик електролюмінесценції.
автореферат, добавлен 29.08.2014Аналіз залежності фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації за різних радіусів пор та середніх відстаней між ними. Дослідження впливу неоднорідності розмірів пор на фотопровідність поруватого кремнію. Виготовлення сенсорних пристроїв.
статья, добавлен 10.12.2016Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014З'ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологісті, водними розчинами з різними рН та розчинами біомолекул. Розгляд механізму впливу полінуклеотидів на фотолюмінесценцію пористого кремнію.
автореферат, добавлен 25.02.2015Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Вирішення науково-технічної проблеми щодо одержання підвищеного комплексу міцнісних та пластичних властивостей металів на основі встановлення умов направленої зміни структурного стану. Фізичні властивості та механічна поведінка металевих матеріалів.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження зміни мікромеханічних властивостей кремнію під впливом слабкого постійного магнітного поля. Вплив зовнішніх факторів (рентгенівського опромінення, водних, хімічних розчинів) на характер релаксації магнітомеханічного ефекту в кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 27.08.2014Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка та аналіз методів дослідження акустичних властивостей металів, магнітних діелектриків і напівпровідникових гетероструктур. Характеристика особливостей явищ конверсії електромагнітних і пружних полів, а також акустичних ефектів у вольфрамі.
автореферат, добавлен 30.07.2015Створення плівкових сенсорних елементів на основі гібридних систем полі-3,4-етилендиоксітіофен–нанокристали поруватого кремнію. Вивчення молекулярного складу матеріалів інфрачервоною спектроскопією. Вплив адсорбції молекул води на електропровідність.
статья, добавлен 27.02.2016Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
курсовая работа, добавлен 26.08.2016Розробка експрес методу контролю стану поверхні твердих тiл. Його практичне використання в умовах заводських та науково-дослідних лабораторій для виявлення точних властивостей та стану поверхні матеріалів (металів, напівпровідників, композитних структур).
автореферат, добавлен 28.06.2014