Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації
Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
Подобные документы
Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Дослідження енергетичних спектрів носіїв заряду в об'ємних кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe, кристалів із поверхнею телуриду кадмію та товщини надграток. Парціальні вклади марганцю в густину станів валентної зони та зони провідності цих структур.
автореферат, добавлен 19.04.2014Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014З’ясування мікроскопічного механізму фазових перетворень. Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників, пов’язаної з виникненням квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях.
автореферат, добавлен 25.02.2015Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Напівпровідник — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Залежність провідності від тепла. Фактори, що впливають на провідність. Наведено приклади та початкові відомості про напівпровідники.
презентация, добавлен 13.12.2021Особливості зонної структури деформованих нанодротів InР різного діаметру. Вигин квантових дротів. Локальні мінімуми у зоні провідності та валентній зоні. Процес керування часом життя фотозбуджених носіїв заряду шляхом їх утримання на цих мінімумах.
статья, добавлен 23.12.2016Електрофізичні властивості напівпровідників. Створення малогабаритної електронної апаратури. Електронно-дірковий перехід. Утворенні ковалентних зв’язків, відповідно вільних носіїв зарядів для здійснення провідності. Поняття про біполярні транзистори.
конспект урока, добавлен 03.04.2014- 13. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013Визначення температурних полів на бічних поверхнях циліндра і шару, які лежать на жорсткій основі з круговою виїмкою, у випадку ізотропних матеріалів. Дослідження впливу контактної провідності на розподіл температурних полів у зоні стику двох тіл.
статья, добавлен 29.01.2016Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015- 19. Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015 Дослідження нелінійної провідності квантових контактів різної геометрії в присутності одиничних дефектів. Залежність нелінійної провідності від прикладеної напруги, потенціалу розсіювання й параметрів, що характеризують форму квантового контакту.
автореферат, добавлен 28.10.2015- 21. Вивчення механізму електричної провідності нематичних рідких кристалів у навчальному експерименті
Проблема удосконалення навчального експерименту у вищих навчальних закладах. Природа рідких кристалів. Лабораторна робота по вивченню процесів переносу носіїв струму провідності у нематичному рідкому кристалі, який знаходиться у різних фазових станах.
статья, добавлен 28.12.2017 Механізми провідності нестехіометричних цинк-заміщених літій-залізних шпінельних оксидів та дослідження характеру реалізації провідності в залежності від умов синтезної термообробки. Вплив заміщення та умов термообробки на процеси перенесення заряду.
автореферат, добавлен 25.07.2015Визначення умов існування електричного струму. Класифікація речовин за здатністю проводити електричні заряди. Вивчення електричних властивостей індію. Розгляд змісту електронної теорії провідності. Визначення відношення заряду до маси носіїв заряду.
практическая работа, добавлен 08.04.2020Залежність струмів термостимульованної деполяризації. Побудова графіка залежності струму від години. Метод наближеної оцінки енергії активації. Розрахунок ширини забороненої зони методом Гарліка-Гібсона, Гроссвейнера (парціальної напівширини піку).
практическая работа, добавлен 14.04.2013Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014