Вольт-емкостные характеристики гетероструктур
Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
Подобные документы
Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013- 4. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.
реферат, добавлен 24.05.2015Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Исследование процесса накопления повреждений сверхвысокочастотных диодов при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
статья, добавлен 30.10.2018- 16. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.
презентация, добавлен 20.07.2013Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Увеличение дальности действия высокочастотных радиосистем. Принцип детектирования сверхвысокочастотного сигнала. Назначение и технические характеристики диодов с барьером Шоттки. Электрическая схема синхронного детектора радиоприёмного устройства.
реферат, добавлен 19.03.2019Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
лекция, добавлен 26.10.2013Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015