Свойства полупроводников, расчет характеристик р-п – перехода
Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
Подобные документы
Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Особенности расчета цифрового фильтра нижних частот с максимально гладкой амплитудной характеристикой. Специфика построения графика модуля АЧХ фильтра. Расчет перехода частот и устойчивости фильтра. Частота дискретизации. Ослабление на переходной частоте.
контрольная работа, добавлен 04.10.2014Расчет коэффициента направленного действия антенны базовой станции. Определение среднего уровня затухания при распространении радиоволн над квази-плоской поверхностью. Расчет напряженности электрического поля для учета быстрых и медленных замираний.
курсовая работа, добавлен 10.11.2017Обоснование выбора элементов, резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов и транзисторов. Расчет коэффициента заполнения печатной платы и надежности прибора. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Технология изготовления печатных плат.
дипломная работа, добавлен 07.06.2012Построение нагрузочной кривой на графике выходных характеристик транзистора и проходной характеристики. Расчет входного сопротивления и коэффициента усиления с учетом обратной связи. Расчет промежуточного каскада усилителя и разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 28.06.2015Изучение математического описания линейных дискретных систем. Вычисление импульсной характеристики. Вычисление нулей, полюсов в алгебраической форме и коэффициента усиления передаточной функции. Построение матрицы коэффициентов и коэффициента усиления.
лабораторная работа, добавлен 19.05.2020Статистический анализ вероятностных свойств дискретного источника по заданной реализации отрезка его выходного текста сообщений. Вычисление безусловной и условной энтропии источника. Построение и расчет графиков модулирующего и модулированного сигналов.
курсовая работа, добавлен 20.05.2015Построение диаграммы токов и напряжений выпрямителя. Электрический расчет схемы сглаживающего реактора. Выбор тиристора и трансформатора. Определение нагрузочных характеристик: внешней, регулировочной и коэффициента мощности. Оценка массы и габаритов.
курсовая работа, добавлен 26.05.2014Вычисление параметров термометра сопротивления по теоретическим зависимостям. Построение графиков изменения погрешностей в функции температуры. Расчет величины сопротивления шунтирующего элемента. Определение характеристики корректированного термистора.
контрольная работа, добавлен 13.01.2016Общая характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность органических полупроводников. Свойства, лежащие в основе функционирования OLED дисплеев. Основные направления оптоэлектроники, использующих органические полупроводники.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Вычисление вероятности безотказной работы, частоты и интенсивности отказов на заданном интервале. Расчет средней наработки изделия до первого отказа. Количественные характеристики надежности. Закон распределения Релея. Двусторонний доверительный интервал.
контрольная работа, добавлен 05.12.2014Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
методичка, добавлен 29.11.2012Статистический анализ вероятностных свойств дискретного источника. Двоичное кодирование по методу Хаффмэна. Расчет графиков спектров, средней мощности и ширины спектра модулирующего сигнала, коэффициента использования пропускной способности линии связи.
курсовая работа, добавлен 17.11.2017- 66. P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Описание схемы усилителя мощности звуковой частоты. Рассмотрение основных рабочих характеристик, требований к источнику питания. Настройка и поиск неисправностей. Расчет усилительного каскада с общим эмиттером. Вычисление дифференциального усилителя.
курсовая работа, добавлен 21.01.2016Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019Оптические световоды и их свойства. Диаграмма уровней волоконно-оптических систем передачи. Расчет выходного каскада передатчика по постоянному и переменному току. Определение коэффициента усиления предварительного усилителя. Составление схемы модулятора.
курсовая работа, добавлен 05.10.2013Определение коэффициента передачи аналогового тракта и коэффициента ослабления синфазного сигнала. Расчет согласующего усилителя. Выбор схемы устройства. Блоки гальванической развязки. Преобразователи постоянного напряжения. Расчет фильтра нижних частот.
курсовая работа, добавлен 09.02.2019Проработка общих требований к измерителю температуры, разработка структурной и принципиальной схемы. Моделирование функционирования аналоговой части измерителя температуры, особенности перехода на бесcвинцовую пайку. Расчет себестоимости устройства.
дипломная работа, добавлен 06.05.2015Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015Изучение принципа действия, конструкции и основных характеристик электрохимического преобразователя. Произведен расчет зависимости активного и реактивного сопротивления ячейки от частоты. Построение импедансной диаграммы электрохимической ячейки.
лабораторная работа, добавлен 17.02.2022Расчет зависимости волнового сопротивления от ширины микрополосковой линий. Определение эффективной диэлектрической проницаемости подложки. Расчет коэффициента связи шлейфного направленного ответвителя. Моделирование фазовращателя типа "Мостовая схема".
лабораторная работа, добавлен 13.09.2016Расчет усилителя на биполярном и полевом транзисторах. Расчет частотных характеристик усилителя. Определение усилителя с заданным режимом покоя. Расчет генераторов тока и напряжения. Определение устройств на операционных усилителях и фильтра Чебышева.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017