Газова чутливість поверхнево-бар’єрних структур на основі кремнію, арсеніду галію та сульфіду кадмію з надтонкими плівками титану та нікелю
З’ясування можливості використання поверхнево-бар’єрних напівпровідникових структур з надтонкими плівками титану і нікелю як первісних перетворювачів сигналу від оточуючого газового середовища. Встановлення фізичних процесів впливу аміаку і криптону.
Подобные документы
Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Аналіз електронно-польової емісії з кремнієвих структур типу Si-SiO2-d(Si)-SiO2 і Si-SiO2-d (Cs), вкритих плівками з дельта-легованим шаром. Емісійні властивості кремнієвих вістрійних емітерних матриць вкритих багатошаровими та алмазо-подібними плівками.
автореферат, добавлен 07.03.2014Встановлення впливу концентрації і хімічної природи впроваджених іонів між шарами халькогенідів індію, галію, вісмуту, титану на термодинамічні і кінетичні параметри процесу інтеркаляції, фазовий склад інтеркальованих сполук і положення в них рівня Фермі.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Дослідження впливу pН розчину на формування нанокристалів сульфіду кадмію та їхній розмір у процесі синтезу. Залежність розміру нанокристалів сульфіду кадмію, отриманих за допомогою золь-гель технології в желатиновому розчині, від значення pН середовища.
статья, добавлен 07.12.2016З’ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологості, водними розчинами з різними рівнями кислотності. Чутливість інтенсивності фотолюмінесценції до спіральних структур полінуклеотидів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Встановлення взаємозв'язку структури алмазних та алмазоподібних вуглецевих плівок з умовами осадження. Дослідження фоточутливості отриманих гетеропереходів в ультрафіолетовій області випромінювання. Практичне використання плівок в оптоелектроніці.
автореферат, добавлен 22.04.2014- 10. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах та детекторах оптичного випромінювання
Механізм переносу заряду електричних та фотоелектричних процесів. Зміст основних експериментальних та теоретичних кривих при зворотних напругах. Характеристика математичних форм спектральних нерівностей. Аналіз досліджуваних поверхнево-бар’єрних діодів.
автореферат, добавлен 27.09.2014 Вплив структури, точкових дефектів кристалічної будови, температури та концентрації на параметри самодифузії у впорядкованих алюмінідах нікелю та титану. Визначення взаємозв'язку складу, точкових дефектів та механізмів дифузії в інтерметалідах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Нітрид титану як бінарне хімічне з'єднання титану з азотом. Дослідження температурної залежності висоти потенціального бар’єру і послідовного опору ізотопного гетеропереходу та вольт фарадні характеристики при різних частотах збуджуючого сигналу.
статья, добавлен 29.07.2016Моделювання процесів формування неоднорідних градієнтних шарів на основі теорії самоорганізації та дисипативних структур. Встановлення закономірностей впливу хімічного елементу на фізичні властивості модифікованих тонкоплівкових і об’ємних структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015Аналіз ефективних спектроаналітичних методів визначення оптичних характеристик нанорозмірних металевих часток. Використання селективних металеводіелектричних структур на основі ультрадисперсних конденсатів нікелю і хрому в енергозберігаючих системах.
автореферат, добавлен 13.07.2014Оптимізація процесів парофазного вирощування методом ХТР структурно досконалих монокристалів телуридів кадмію та цинку, створення структур з БШ для одержання фізичної інформації про поверхню вирощених монокристалів, розробка фізичних основ приладів.
автореферат, добавлен 25.02.2014- 17. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Дослідження властивостей структур на основі пористого кремнію та механізмів їх модифікації під дією поверхневих обробок. Активація фотолюмінісцентних характеристик на імплантованих зразках. Сегрегація бору на границі поділу кремнієвого кристаліту.
автореферат, добавлен 20.04.2014Теоретичне визначення концентраційно-температурних областей стійкості твердих розчинів титану ізоморфного, а також евтектоідного типів по відношенню до ізоструктурних фазових перетворень та їх можливого впливу на кристалічну будову мартенситних фаз.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розробка теоретичних положень синтезу схем напівпровідникових вентильних перетворювачів із заданими властивостями на основі головної топологічної матриці. Основні топологічні закономірності структурного синтезу поліпшених схем перетворювальних пристроїв.
автореферат, добавлен 15.11.2013Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Розробка технологічного процесу концентрування та електрохімічного вилучення нікелю з розведених електролітів, які утворюються в лініях гальванохімічних виробництв. Результати електродних процесів, які відбуваються під час електролізу аміачних розчинів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Виявлення можливих ефектів просторової кореляції фаз та синхронізації джозефсонівських переходів в багатобар'єрних пристроях. Вплив нерівноважних та теплових ефектів на характеристики багатобар'єрних пристроїв. Специфіка несиметричних переходів.
автореферат, добавлен 23.02.2014Закономірності адсорбоелектричних ефектів при адсорбції водню і води в багатошарових кремнієвих структурах з композитними CuxPd шарами та мікроструктурованими процесами старіння Pd плівками. Параметри адсорбційних центрів на межі поділу метал/діелектрик.
автореферат, добавлен 11.10.2011Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
автореферат, добавлен 26.07.2014