Молекулярно-динамічне моделювання іонного розпилення поверхневих металевих кластерів
Моделювання розвитку каскадів атомних зіткнень в нанорозмірній області. Залежність процесу розпилення від структури поверхневого кластера. Модельні значення коефіцієнтів розпилення. Оцінка впливу вибору потенціалу міжатомної взаємодії на результати.
Подобные документы
Розгляд високодисперсного розпилення за умови низького тиску та осаджування краплин з мінімальними втратами через випаровування та обладнання для його здійснення. Розроблення моделі форсункирозпилювача в ПП SolidWorks, аналіз рідини, що розпилюється.
статья, добавлен 27.07.2016Вивчення методів побудови потоку рідини, що розпилюється форсунками. Виявлення залежності потоку полімеру, що має властивості рідини, від тиску та часу розпилення форсунками. Прогнозування необхідної кількості полімеру, що буде наноситись на деталі.
статья, добавлен 24.06.2016Фізичні принципи іонного розпилення нейтральних частинок певного сорту у діапазоні енергій первинних іонів. Розробка обладнання та методик для досліджень процесів іонного розпилення у широкому діапазоні енергій первинних іонів методом мас-спектрометрії.
автореферат, добавлен 18.07.2015Молекулярно-динамічне моделювання атомних переміщень. Утворення вакансій, радіаційно-адсорбованих та міжвузлових атомів у каскадах зіткнень, що виникають в одно- і двокомпонентних кристалах при взаємодії з низькоенергетичними іонами інертних газів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Застосування вольфраму і вуглецю як матеріалів першої стінки, що контактують із плазмою в термоядерному реакторі. Бомбардування вольфрамової плівки одночасно іонами палива та вуглецю середніх енергій. Вплив хімічної взаємодії на розпилення вольфраму.
автореферат, добавлен 30.08.2014Молекулярно-динамічне моделювання атомних переміщень у каскадах зіткнень, утворення вакансій радіаційно-адсорбованих атомів в однокомпонентних Al, Ni, Cu та двошарових кристалах Al/Ni і Ni/Al, які описуються багаточастинковими атомними потенціалами.
автореферат, добавлен 22.06.2014Вплив виду, концентрації легуючої домішки на фазовий склад і параметри кристалічної структури, оптичні й електричні властивості плівок оксиду цинку. Оптимізація технологічних параметрів різних видів магнетронного розпилення для одержання легованих плівок.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження процесів формування структури, складу і властивостей зростання плівкових покриттів, утворених залежно від умов розпилення і складу робочого газу. Оптимізація цих умов з метою одержання плівок із заданими фізико-механічними властивостями.
автореферат, добавлен 26.07.2014Створення діагностичних приладів для вимірювання параметрів пучків іонів і атомно-молекулярних потоків у вакуумному середовищі. Методика синтезу ультратонких суцільних плівок нітридів та оксинітридів металів з використанням іонно-променевого розпилення.
автореферат, добавлен 27.07.2015- 10. Природа люмінесценції та процеси старіння структур з кремнієвими наночастинками в оксидній матриці
Дослідження термостимульованих перетворень у системах SiOx, одержаних методом магнетронного розпилення, а також природи свічення та процесів старіння ряду низьковимірних кремнієвих систем. Обумовлення рекомбінації екситонів у кремнієвих нанокристалітах.
автореферат, добавлен 29.09.2015 Фізико-технологічні параметри процесу формування тонких плівок шляхом термоіонного і реакційного термоіонного осаджування, різних модифікацій магнетронного розпилення та методами активованого плазмою хімічного осадження і лазерного випаровування.
автореферат, добавлен 22.04.2014Систематичне експериментальне дослідження складу, структури і основних властивостей плівкових систем у залежності від умов розпилення. Аналіз впливу температури конденсації та величини високочастотного потенціалу зсуву на характеристики конденсатів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вивчення механізмів радіаційної ерозії та модифікації твердих тіл при опроміненні потужними плазмовими потоками в інтервалі корпускулярних і енергетичних навантажень. Визначення внеску розпилення, руйнування, випаровування поверхневого шару металів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
автореферат, добавлен 23.02.2014Селективні процеси при структуроутворенні конденсатів слабкопересичених парів металів, що мають суттєво різні температури плавлення, коефіцієнти іонного розпилення, тиск насичених парів. Вплив на процес алмазоутворення малих концентрацій титану.
автореферат, добавлен 28.08.2014Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Принципова схема руху крапель рідини у факелі розпилу відцентрової форсунки. Визначення середнього об'ємно-поверхневого діаметра крапель. Визначення дійсної міжфазної поверхні процесів тепломасообміну в контактних газорідинних апаратах крапельного типу.
статья, добавлен 29.01.2016Дослідження методом дискретного моделювання динаміки турбулентного нагрівання плазми без зіткнень при розвитку струмових і параметричних несталостей в області іонних циклотронних і нижньогібридних частот. Вивчення механізму насичення несталостей.
автореферат, добавлен 23.02.2014Формування багатокомпонентних покриттів з регульованою стехіометрією. Створення розсіювання мішеней, виготовлених з алюмінію і нікелю. Аналіз розпилення магнітних металів і сплавів. Вдосконалення схеми установки і джерел плазми для утворення укладання.
автореферат, добавлен 27.09.2014Класифікація квантових точок, їх конструкція та методи отримання. Перехід у атомну систему одиниць. Залежність змінення енергії зарядженої краплі від ексцентриситету. Залежність критичного заряду за Релеєм. Розрахунок негативно заряджених кластерів.
курсовая работа, добавлен 09.12.2014Дослідження електронних процесів під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами. Поняття електронної гетерогенної аккоммодації енергії хімічних реакцій. Комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабльних твердих тіл.
автореферат, добавлен 10.01.2014Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
курсовая работа, добавлен 26.08.2016Дослідження структурних і фізичних властивостей реактивно-магнетронно розпилених плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в розпилювальній плазмі. Взаємозв’язок між фізико-технологічними параметрами розпилення і властивостями тонких плівок.
автореферат, добавлен 30.10.2015Одержання методом реактивного магнетронного розпилення плівок різних фаз оксиду. Дослідження будови та мікроструктури плівок Bi2O3 за допомогою рентгенофазового аналізу, оптичної та електроннооптичної мікроскопії і специфіка їх температурної стабільності.
автореферат, добавлен 29.07.2014